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Pavlo GorkunPinzas para SCR, semiconductores de potencia, Infineon Sustitución
Abrazaderas para SCR adecuadas para dispositivos tipo disco con diámetro de carcasa desde 42 mm hasta 75 mm y altura de 26 mm o 14 mm.
Si es suficiente la refrigeración por un solo lado, nuestros tiristores y diodos en formato disco con carcasa hasta Ø75 mm pueden montarse fácilmente en un disipador utilizando unidades de sujeción. Bajo pedido, ofrecemos abrazaderas (refrigeración unilateral) adecuadas para nuestras carcasas tipo disco.
Características: montaje fácil para refrigeración unilateral y aplicable para carcasas tipo disco.
Lista de diámetros de carcasa: 42 mm, 50 mm, 58 mm, 58.5 mm, 66 mm, 69 mm, 74 mm, 75 mm.
Las abrazaderas se utilizan para tiristores de control de fase de potencia, SCR y diodos rectificadores en empaques tipo disco.
Las especificaciones y parámetros, dimensiones y dibujos de las abrazaderas se detallan a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para las abrazaderas de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar abrazaderas, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de las pinzas depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de las abrazaderas Infineon y recambios
| Tipo | Fuerza máxima de sujeción | Diámetro | Altura | Distancia de fuga mínima | Temperatura de operación | Adecuado para carcasa tipo disco | Carcasa | Reemplazo AS ENERGITM |
Hoja de datos |
| kN | mm | mm | mm | ºC | |||||
| V50-14.45N | 4,5 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T42/14 | AV50-14.45N | 
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| V50-14.45M | 4,5 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T42/14 | AV50-14.45M |
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| V50-14.60N | 6 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T42/14 | AV50-14.60N |
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| V50-14.60M | 6 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T42/14 | AV50-14.60M |
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| V61-14.80N | 8 | Ø48 | 14 | 11 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T48/14 | AV61-14.80N |
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| V61-14.80M | 8 | Ø48 | 14 | 11 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T48/14 | AV61-14.80M |
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| V72-14.150M | 15 | Ø58 | 14 | 11 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T58/14 | AV72-14.150M | |
| V72-26.80M | 8 | Ø58 | 26 | 23 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T58/26 | AV72-26.80M | |
| V72-26.120M | 12 | Ø58 | 26 | 23 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T58/26 | AV72-26.120M | |
| V72-26.150M | 15 | Ø75 | 26 | 23 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T75/26 | AV72-26.150M | |
| V89-26.300M | 30 | Ø75 | 26 | 26 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T75/26 | AV89-26.300M |
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| V89-26.400M | 40 | Ø75 | 26 | 26 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T75/26 | AV89-26.400M |
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| V100-35.200N | 20 | Ø75 | 26 | 26 | -40 - 130 | Dispositivos de tipo disco | T75/26 | AV100-35.200N |
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Guía de numeración de piezas para abrazaderas:
| A | V72 | – | 26 | . | 150M |
| A | – |  AS ENERGITM |
| V72 | – | Tipo de pinza. |
| 26 | – | Altura, mm. |
| 150M | – | Fuerza de sujeción, kN. |
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para los mismos.
Puedes comprar dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al hacer pedidos grandes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de Tiristores de Potencia, Diodos y Módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio personalizado!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Foto de Pinzas Infineon:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
