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Pavlo GorkunMódulos de diodos de recuperación rápida Powerex Sustitución
Módulos de Diodos de Recuperación Rápida tienen un diseño monolítico con una topología dual de semiconductores (tipo diodo-diodo). Se utilizan en circuitos de CC y CA con cargas de hasta 250A y tensiones inversas de impulso de hasta 4000V.
Los módulos de diodos de recuperación rápida AM-LC, AM-NC, AM-ND AS ENERGITM son un repuesto, equivalente y alternativa a los dispositivos semiconductores de los módulos de diodos Powerex Europe.
Guía de numeración de módulos de diodos de recuperación rápida
Los módulos de diodos están alojados en una carcasa industrial estándar, lo que facilita la integración del dispositivo en equipos existentes.
Los módulos están diseñados y ensamblados con un contacto de presión altamente confiable, lo que responde a los requisitos específicos de aplicaciones optimizadas en costo y rendimiento.
Los módulos de diodos se utilizan en diversos equipos de potencia: unidades de potencia y control, accionamientos eléctricos, reguladores de potencia, reguladores de CA, convertidores, controladores de hornos de cuba o procesos químicos, equipos de soldadura, y como rectificadores para convertidores de CA.
Nuestros módulos de potencia se ofrecen en varias topologías de dispositivo dual y simple para casi todas las aplicaciones de control de fase o rectificación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad de 2 años a partir de la fecha de compra para los módulos tiristor/diodo. Al suministrar módulos tiristor/diodo, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos de diodos depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los módulos de diodos de recuperación rápida Powerex y sus sustitutos
| Tipo | IF(AV)M (TC) |
V RRM | IFSM | I 2t | V T0 | r T | R th(jc) por módulo |
R th(jc) por unión |
R th(cs) por módulo |
Dimensiones L×B×H | Sustitución AS ENERGITM |
Ficha de datos |
| A | V | kA | kA 2·s | V | mΩ | °C/W | °C/W | °C/W | mm | |||
| LC8136240A | 240 (73) | 3600 | 8.25 | 340 | 1.306 | 3.5 | 0.065 | 0.065 | 0.001 | 150x60x52 | AM-LC8136240A |  |
| LC8138240A | 240 (73) | 3800 | 8.25 | 340 | 1.306 | 3.5 | 0.065 | 0.065 | 0.001 | 150x60x52 | AM-LC8138240A | |
| LC8140240A | 240 (73) | 4000 | 8.25 | 340 | 1.306 | 3.5 | 0.065 | 0.065 | 0.001 | 150x60x52 | AM-LC8140240A | |
| NC4406250H | 250 (89) | 600 | 4.5 | 85 | 0.908 | 1.211 | 0.14 | 0.14 | 0.03 | 116x50x52 | AM-NC4406250H | |
| NC4408250H | 250 (89) | 800 | 4.5 | 85 | 0.908 | 1.211 | 0.14 | 0.14 | 0.03 | 116x50x52 | AM-NC4408250H | |
| NC4410250H | 250 (89) | 1000 | 4.5 | 85 | 0.908 | 1.211 | 0.14 | 0.14 | 0.03 | 116x50x52 | AM-NC4410250H | |
| ND4410250E | 250 (89) | 1000 | 4.5 | 85 | 0.908 | 1.211 | 0.14 | 0.14 | 0.03 | 116x50x52 | AM-ND4410250E | |
Guía de numeración de piezas para módulos de diodos de recuperación rápida:
| A | M | – | LC8 | 1 | 40 | 240 | A |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Grupo de productos: Módulo. |
| LC8 | – | Tipo de envase. |
| 1 | – | Módulos de diodos. |
| 40 | – | Clase de tensión VRRM / 100. |
| 240 | – | IF(AV), Amp. |
| A | – | Modificación |
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, diodos de rotor y soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, además de disipadores de aire y agua para ellos.
Puede comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad, y al pedir grandes volúmenes, el precio será menor. Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de Tiristores de Potencia, Diodos, Módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos precios personalizados!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Recomendaciones para el montaje de módulos de potencia
Especificaciones y preparación de disipadores y superficies
Para asegurar un buen contacto térmico y obtener los valores de resistencia térmica al contacto especificados en la Ficha de datos, la superficie de contacto del disipador debe estar limpia y libre de partículas de polvo. Es útil limpiar la superficie de montaje del disipador con toallitas y un limpiador a base de alcohol, por ejemplo isopropanol, justo antes del proceso de montaje. Se deben cumplir las siguientes especificaciones mecánicas:
– La desigualdad de la zona de montaje del disipador debe ser ≤ 50μm por cada 100 mm
– Rugosidad Rz: < 10 μm
– No debe haber escalones > 10 μm
Especificación de la superficie del disipador de calor |
Aplicación de Pasta Térmica
Se recomienda usar impresión con plantilla para aplicar el material de interfaz térmica. Se recomienda un espesor de pasta térmica en el rango de 50 μm a 100 μm. No se recomienda aplicar la pasta térmica mediante rodillo para producción en masa, ya que no se puede garantizar la reproducibilidad del espesor optimizado de la pasta térmica.
Par de apriete en el disipador MS
Para asegurar los módulos de potencia, se recomienda encarecidamente el uso de tornillos de acero en combinación con arandelas adecuadas y arandelas de resorte o tornillos combinados. Se debe respetar el valor de par especificado en la Ficha de datos.
Se recomienda un apriete previo y un reapriete al valor de par dado. Para el proceso de atornillado, la velocidad debe ser limitada y se recomienda una limitación suave del par para evitar picos de par, que pueden ocurrir con atornilladores neumáticos.
Ejemplo de orden de montaje |
Los tornillos deben apretarse en diagonal con el mismo par de apriete en varios pasos hasta alcanzar el valor de par de apriete especificado MS.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
