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Pavlo GorkunDiodos de recuperación rápida de alto rendimiento IXYS Sustitución
Diodos de recuperación rápida de alto rendimiento (HiPerFRED) son diodos de propósito general con tensiones de bloqueo de hasta 1200V y corrientes nominales de hasta 120A.
Diodos de recuperación rápida de alto rendimiento (HiPerFRED) AMDS AS ENERGITM son dispositivos semiconductores reemplazo, análogos y alternativos para los diodos de recuperación rápida de alto rendimiento (HiPerFRED) IXYS.
"Disipadores enfriados por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de aire serie SF", "Disipador de agua serie SS" para la refrigeración de diodos también están disponibles para pedido.
Guía de numeración de piezas para diodos HiPerFRED
Video: Reseñas de diodos de disco de alta potencia Características: chips planar pasivados; corriente de fuga muy baja; tiempo de recuperación muy corto; comportamiento térmico mejorado; valores Irm muy bajos; recuperación muy suave; tensión de avalancha clasificada para operación confiable; recuperación inversa suave para baja EMI/RFI.
Los diodos rectificadores convierten corrientes DC y AC de hasta 12.1 kA en circuitos con tensiones de hasta 7.2 kV. Sus principales aplicaciones son rectificadores para grandes variadores de frecuencia AC, convertidores de tracción, subestaciones junto a la vía, soldadura y fuentes de alimentación DC. Los dispositivos están principalmente destinados a aplicaciones con frecuencias de línea de hasta 500 Hz.
El diodo tiene una carcasa cerámica estándar de la industria que facilita la integración del dispositivo en equipos existentes. Este diodo tiene una carcasa de disco con contactos de presión. La polaridad del diodo (ánodo, cátodo) está determinada por el ícono en la carcasa. Las especificaciones técnicas, guía de numeración de piezas, hojas de datos PDF y esquemas para diodos rectificadores se listan a continuación.
Los Diodos Rectificadores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VRSM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes desde 100 hasta 9000 V y corrientes desde 10 hasta 15000 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los diodos rectificadores de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar los diodos, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los diodos de recuperación rápida depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los diodos de recuperación rápida de alto rendimiento IXYS y sustitutos
| Tipo | IF(AV)M | VRRM | IFSM | VF0 | rF | Tvj max | Rth (j-c) |
Rth (c-h) |
MD | W | Paquete | Dimensiones | Sustitución AS ENERGITM |
Ficha de datos |
| A | V | kA | V | mΩ | ºC | K/W | K/W | Nm | g | mm | ||||
| DSEP2X31-03A | 30 | 300 | 300 | 0.71 | 6.2 | 150 | 1.15 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X31-03A |  |
| DSEP2X61-03A | 60 | 300 | 600 | 0.79 | 5.3 | 150 | 0.85 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X61-03A | |
| DSEP2X91-03A | 90 | 300 | 1000 | 0.77 | 3.7 | 150 | 0.6 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X91-03A | |
| DSEP2X31-06A | 30 | 600 | 250 | 0.98 | 8.2 | 150 | 1.15 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X31-06A | |
| DSEP2X31-06B | 30 | 600 | 250 | 1.01 | 19.2 | 150 | 1.15 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X31-06B | |
| DSEP2X61-06A | 60 | 600 | 600 | 1.09 | 4.3 | 150 | 0.85 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X61-06A | |
| DSEP2X91-06A | 90 | 600 | 1000 | 1.08 | 3.4 | 150 | 0.6 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X91-06A | |
| DSEP2X31-12A | 30 | 1200 | 200 | 1.31 | 15.4 | 150 | 1.15 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X31-12A | |
| DSEP2X60-12A | 60 | 1200 | 800 | 1.15 | 6.2 | 150 | 0.6 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X60-12A | |
| DSEP2X61-12A | 60 | 1200 | 800 | 1.15 | 6.2 | 150 | 0.6 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X61-12A | |
| DPF240X200NA | 120 | 200 | 1200 | 0.61 | 3.6 | 150 | 0.4 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDPF240X200NA | |
| DPF240X400NA | 120 | 400 | 1200 | 0.71 | 2.9 | 150 | 0.5 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDPF240X400NA | |
| DSEC240-04A | 120 | 400 | 2000 | 0.74 | 2.8 | 150 | 0.2 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEC240-04A | |
| DSEC240-06A | 120 | 600 | 2000 | 1.03 | 1.91 | 150 | 0.2 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEC240-06A | |
| DSEP2X101-04A | 100 | 400 | 1000 | 0.72 | 5.0 | 150 | 0.6 | 0.1 | 1.5 | 30 | SOT-227B (minibloc) | 38x25x12 | AMDSEP2X101-04A | |
Guía de numeración de piezas para diodos de recuperación rápida de alto rendimiento:
| A | MD | SEP | 2x31 | - | 06A |
| A | – |  AS ENERGITM |
| MD | – | Tipo de semiconductor: Módulo Diodo. |
| SEP | – | Topología de la conexión interna. |
| 2x31 | – | 2 diodos de IF(AV) = 31A each. |
| 06 | – | Clase de tensión VRRM / 100. |
Esquema de conexión de los módulos tiristores:
-
Patas paralelas
-
Cátodo común
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de aire y agua para ellos.
Puede comprar dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al hacer pedidos grandes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de Tiristores de Potencia, Diodos, Módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
