Tiristores de conmutación rápida 100A – 320A, Paquete de espárragos
Los tiristores de conmutación rápida (TFI) AS ENERGITM en diseño de espárrago, también llamados "Tiristores de Impulso Rápido" (TFI), son dispositivos semiconductores de conmutación rápida. Los tiristores de conmutación rápida cumplen con requisitos como mayor resistencia di/dt, bajas pérdidas de conmutación, y tiempos de encendido y apagado cortos. Regulan y convierten corrientes de CC y CA hasta 320A en un rango de frecuencia de hasta 10kHz en circuitos con voltajes de hasta 1800V (dependiendo de la serie).
Los tiristores de conmutación rápida de espárrago de la serie TFI tienen los siguientes tipos (corriente): 100 A, 120 A, 125 A, 150 A, 160 A, 200 A, 250 A, 300 A, 320 Amperios.
Series de tiristores de conmutación rápida de espárrago de alta potencia
Guía de numeración de partes para tiristores de conmutación rápida de espárrago
Pasaporte técnico para tiristores de conmutación rápida de espárrago
Los tiristores de conmutación rápida son tiristores con una carga de recuperación inversa Qrr adicionalmente normalizada. Estos dispositivos están adaptados para conmutar pulsos de corriente con una alta tasa de aumento en el frente y una alta amplitud.
Los tiristores rápidos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor más alto de (diT/dt)cr (hasta 2500 A/µs), diseñados para operar en modos de mayor frecuencia (hasta 10kHz). Los parámetros del tiristor, como VTM, tq, Qrr, están interrelacionados, por lo que una disminución en los valores de tq y Qrr lleva a un aumento en VTM.
Los tiristores de conmutación rápida (de impulso) se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo que los diferencia de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calentamiento y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de CA, sistemas UPS y otros sistemas que requieren tiempos de encendido y apagado cortos. Los tiristores tienen una carcasa sellada de cerámica estándar en la industria, que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de impactos mecánicos y del entorno.
La polaridad del tiristor está determinada por el ícono en la carcasa. En esta página se presentan diagramas esquemáticos y circuitos de tiristores rápidos de espárrago con ánodo, cátodo y electrodo de control (puerta). A continuación, se enumeran las especificaciones técnicas, la guía de numeración de partes, la polaridad, las dimensiones y los enfriadores recomendados para los tiristores rápidos de espárrago.
Se utilizan disipadores de calor de aire y agua para enfriar los tiristores de espárrago. Para garantizar un contacto térmico y eléctrico confiable con el disipador, se debe observar un par de apriete Md durante el ensamblaje. Para mejorar la disipación de calor del tiristor durante el ensamblaje, se utiliza pasta conductora de calor.
Los tiristores rápidos tienen una carcasa sellada de cerámica que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de impactos mecánicos y del entorno.
Los tiristores rápidos de espárrago de AS Energi Global LLC tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 600 a 1800 V y amperajes de 100 a 320 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos, enfriamiento por aire natural o forzado.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores de espárrago de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos declaración de calidad y certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores de conmutación rápida depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores y diodos de alta potencia, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofreceremos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Tiristores de conmutación rápida TFI261, TFI361, TFI271, TFI371 (100A – 320A)
| Tipo | IT(AV) (Tcase) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Md ±10% |
W | Encapsulado | Rosca | Ficha técnica |
| A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | N·m | g | mm | |||
| 100 A | ||||||||||||||
| TFI361-100 | 100 (93) | 600-1200 | 2.5 | 312 | 1000 | 800 | 12.5-50 | 125 | 0.150 | 25 | 240 | ST6 | M20x1.5 | |
| 125 A | ||||||||||||||
| TFI261-125 | 125 (88) | 800-1400 | 4.5 | 80 | 200-2500 | 1000 | 16-32 | 125 | 0.150 | 25 | 240 | ST6 (T.SA1) |
M20x1.5 | |
| TFI361-125 | 129 (80) | 600-1200 | 2.6 | 100 | 1000 | 800 | 20-25 | 125 | 0.160 | 25 | 240 | ST6 | M20x1.5 | |
| 160 A | ||||||||||||||
| TFI261-160 | 160 (83) | 800-1400 | 5.5 | 140 | 200-2500 | 1000 | 20-40 | 125 | 0.150 | 25 | 240 | ST6 (T.SA1) |
M20x1.5 | |
| TFI271-160 | 160 (98) | 1000-1400 | 6.0 | 170 | 200-2500 | 1600 | 16-32 | 125 | 0.085 | 30 | 440 | ST7 | M24x1.5 | |
| TFI371-160 | 160 (98) | 600-1200 | 4.0 | 80 | 1000 | 1000 | 10-32 | 125 | 0.084 | 30 | 440 | ST7 | M24x1.5 | |
| 200 A | ||||||||||||||
| TFI271-200 | 200 (95) | 1000-1400 | 6.5 | 200 | 200-2500 | 1600 | 20-40 | 125 | 0.085 | 30 | 440 | ST7 | M24x1.5 | |
| TFI371-200 | 200 (90) | 600-1800 | 6.0 | 180 | 1000 | 1000 | 25-50 | 125 | 0.084 | 30 | 440 | ST7 (T.SB2) |
M24x1.5 | |
| 250 A | ||||||||||||||
| TFI271-250 | 250 (88) | 1000-1400 | 7.0 | 230 | 200-2500 | 1600 | 25-50 | 125 | 0.085 | 30 | 440 | ST7 | M24x1.5 | |
| TFI371-250 | 250 (93) | 1000-1400 | 7.0 | 240 | 200-2500 | 1600 | 25-50 | 125 | 0.085 | 30 | 470 | ST7 | M24x1.5 | |
| 320 A | ||||||||||||||
| TFI271-320 | 320 (77) | 1000-1400 | 7.5 | 260 | 200-2500 | 1600 | 32-63 | 125 | 0.080 | 30 | 440 | ST7 | M24x1.5 | |
Guía de numeración de piezas para tiristores de conmutación rápida:
| TFI | 271 | – | 200 | – | 14 | – | 9 | 6 | 3 |
| TFI | – | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 271 | – | Tipo tiristor (tipo espárrago). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 200 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 14 | – | Clase de tensión VRRM / 100 (Tensión nominal – 1400 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9 | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)crit:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6 | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3 | – | Parámetro del tiempo de conexión tgt:
|
Semiconductores de alta potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y tensiones de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos. Puede comprar semiconductores en cualquier volumen, y al realizar pedidos grandes, el precio será más bajo.
Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para adquirir tiristores, diodos y módulos de alta potencia, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
Recomendaciones de instalación para tiristores rápidos:
La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de contacto del tiristor y el disipador en todo el rango de temperaturas se garantiza mediante un par de apriete adecuado (fuerza de sujeción).
Antes del montaje, se debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar daños mecánicos y limpiarlas (2) con un paño empapado en alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Después de la inspección, fije los contactos de corriente (conectores), instale un pasador para alinear la estructura.
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda aplicar (3) una fina capa de pasta térmica de silicona antes del montaje, aunque no es una condición obligatoria para la instalación.
Instale el tiristor (3), la segunda parte del disipador, el aislante de fibra de vidrio y la arandela de empuje.
Enrosque la traviesa (4) y apriete las tuercas de manera uniforme. Asegúrese de que no haya desalineación y que las superficies de contacto estén niveladas.
Cuando las piezas estén suficientemente apretadas pero aún sean móviles, recomendamos colocar el disipador en una superficie plana y verificar la tolerancia de paralelismo de la superficie adyacente general (5).
Apriete cada tuerca de forma alternada (aproximadamente un cuarto de vuelta) hasta el tope (6). La cantidad de flexión de la traviesa determina si la fuerza de sujeción lograda corresponde a la requerida.
Después de la instalación, los sujetadores (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:
Los tiristores de potencia no deben operarse durante largos períodos de tiempo a su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad está determinado por el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.
Reemplace un tiristor de potencia fallido con un tiristor que coincida con los parámetros del que se está reemplazando.
Debe proporcionarse una superrefrigeración al operar en un entorno con una temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y los disipadores para eliminar el polvo y los contaminantes y garantizar una disipación de calor adecuada.
Se deben usar divisores de corriente inductivos (a menudo cables toroidales retorcidos) para igualar las corrientes entre los tiristores de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más populares son el circuito cerrado, el circuito de bobina común o el tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del cable magnético.
La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los tiristores de potencia están conectados en serie se logra utilizando resistencias derivadas conectadas en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona conectando capacitores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alta tensión durante su operación.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:

DE
IT





















































