Abrazadera V72-26.80M para SCRs, Ø58 mm, altura 26 mm, recambio Infineon
| Diámetro de la carcasa | Ø58 mm | |
| Altura | 26 mm | |
| Fuerza de sujeción | 8 kN | |
| Distancia de fluencia min | 23 mm | |
| Vivienda | T58/26 | |
| Sustitución AS ENERGITM | AV72-26.80M | |
| Añadir a la cesta | a petición | |
Abrazadera V72-26.80M AS ENERGITM para tiristores SCR, diodos rectificadores en encapsulado tipo disco con un diámetro de carcasa de 58 mm y una altura de 26 mm.
Características: Diámetro de carcasa: 58 mm; Altura: 26 mm; Montaje fácil para enfriamiento por un solo lado; Fuerza de sujeción: 8 kN; Distancia mínima de seguimiento: 23 mm.
Las especificaciones técnicas y parámetros de V72-26.80M y su reemplazo AV72-26.80M, hoja de datos PDF, dibujo esquemático y dimensiones se enumeran a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para las abrazaderas para SCRs de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar abrazaderas, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico.
El precio final de las pinzas para SCR depende de la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de la pinza Infineon y recambio:
| Especificaciones de la pinza | V72-26.80M |
| Diámetro de la carcasa | Ø58 mm |
| Altura: | 26 mm |
| Fuerza de sujeción | 8 kN |
| Distancia mínima de arrastre | 23 mm |
| Temperatura de funcionamiento | -40 - +130 °C |
| Categoría de productos | Unidades de sujeción para discos |
| Apto para carcasa de disco | Dispositivos de tipo disco |
| Vivienda | V72-26.80M |
| Sustitución AS ENERGITM | AV72-26.80M |
| Ficha de datos |
Guía de numeración de piezas de la abrazadera AV72-26.80M:
| A | V72 | – | 26 | . | 80M |
| A | – | |
| V72 | – | Tipo de pinza. |
| 26 | – | Altura, mm. |
| 80M | – | Fuerza de sujeción, kN. |
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y tensiones de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puedes adquirir dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al realizar pedidos de grandes lotes, el precio será más bajo. Nos hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a todo el mundo.
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Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Recomendaciones para el montaje de un tiristor de disco con disipador de aire:
La fiabilidad de la transferencia térmica y del contacto eléctrico entre las superficies de contacto del tiristor y del disipador a lo largo de todo el rango de temperaturas se garantiza mediante el par de apriete (fuerza de sujeción).
Antes del montaje, se debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar daños mecánicos y limpiarlas (2) con un paño empapado en alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Después de la inspección, fijar los contactos de corriente (conexiones), instalar un pasador para fijar la alineación de la estructura.
Para mejorar los parámetros de transferencia térmica, se recomienda aplicar (3) una capa fina de pasta térmica de silicona antes del montaje (esto es una recomendación y no un requisito obligatorio para la instalación).
Instala el tiristor (3), la segunda parte del disipador, el aislante de fibra de vidrio y la arandela de empuje.
Rosca la traviesa (4) y aprieta uniformemente las tuercas. Asegúrate de que no haya desalineación y que haya uniformidad en las superficies de contacto.
Cuando las piezas estén suficientemente sujetas pero aún móviles, se recomienda colocar el disipador en una superficie plana y comprobar la tolerancia de paralelismo del plano global adyacente de las superficies (5).
Aprieta cada tuerca por turnos (aproximadamente un cuarto de vuelta) hasta el tope (6). La cantidad de flexión de la traviesa determina si la fuerza de sujeción alcanzada corresponde a la requerida.
Después de la instalación, los elementos de sujeción (tuercas y arandelas) deben protegerse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:
No se deben operar los tiristores de potencia durante largos períodos en su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad se determina según el grado requerido de confiabilidad del dispositivo.
Reemplaza un tiristor de potencia defectuoso por otro que tenga parámetros equivalentes al que se está sustituyendo.
Se debe proporcionar una refrigeración extra cuando se opere en un ambiente con temperatura ambiental elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y de los disipadores para eliminar polvo y contaminantes, asegurando así una disipación térmica adecuada.
Se deben usar divisores de corriente inductivos (a menudo alambre toroidal trenzado) para equilibrar las corrientes entre tiristores de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más populares son circuito cerrado, circuito de bobina común o tiristor de potencia. La eficacia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del alambre magnético.
La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los tiristores de potencia están conectados en serie se logra usando resistencias en derivación conectadas en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona conectando capacitores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alta tensión durante su funcionamiento.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:

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