Sustitución rápida de tiristores Vishay
Tiristores rápidos, también conocidos como Tiristores de Grado Inversor, en diseño de disco son un dispositivo semiconductor tipo press pack de conmutación rápida. Los tiristores rápidos cumplen con requisitos, como mayor resistencia di/dt, bajas pérdidas de conmutación, y tiempos de encendido y apagado cortos. Regulan y convierten corrientes de CC y CA hasta 940A en circuitos con voltajes hasta 1200V (dependiendo del tipo de tiristor).
Tiristores ASTD AS ENERGITM son un sustituto, análogo, alternativo para tiristores rápidos discretos de disparo eléctrico presspack Vishay Semiconductors.
"Enfriadores con refrigeración por aire serie O para dispositivos de disco", "Enfriador por aire serie SF", "Enfriador por agua serie SS" para la refrigeración de tiristores también están disponibles para pedido.
Guía de numeración de partes para tiristores rápidos
Características: diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia y transmisión de energía; optimizados para una baja caída de voltaje en estado de conducción; valores de Qrr y VT combinados disponibles para conexiones en serie y/o paralelo.
Tiristores rápidos discretos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor más alto de (diT/dt)crit (hasta 2500 A/µs), diseñados para operar en modos de frecuencias más altas. Los tiristores de grado inversor se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo, lo que los diferencia de los modelos estándar. Se utilizan en inversores, cortadores, calentamiento y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de corriente alterna (CA), UPS y otros sistemas que requieren tiempos de encendido y apagado cortos. Los tiristores tienen una carcasa sellada de cerámica de estándar industrial, aislando la parte funcional y el elemento semiconductor de los impactos mecánicos y del entorno.
El tiristor tiene una carcasa de cerámica de estándar industrial, lo que facilita su integración en equipos existentes. Este tiristor tiene una carcasa en disco con contactos de presión. La polaridad del tiristor está determinada por el icono en el caso. Las especificaciones técnicas, la guía de numeración de partes y las hojas de datos de los tiristores se detallan a continuación.
Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y amperajes de 100 a 15000 A, alta resistencia al ciclo térmico y eléctrico, refrigeración por aire natural o forzada.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos el pasaporte técnico y el certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores discretos rápidos depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los tiristores rápidos discretos Vishay y sus reemplazos
| Tipo | ITAV/IFAV (TC) |
VRRM/VDRM | ITSM IFSM |
I2t | VT(TO) | rT | Tvj max | Rth(j-c) |
W | Paquete, Dimensiones ØDxØdxH |
Reemplazo AS ENERGITM |
Hoja de datos | |
| A (ºC) | V | A | kA2·s | V | mΩ | ºC | ºC/W | g | mm | ||||
| VS-ST173C | |||||||||||||
| VS-ST173C10CFK0 | 330 (55) | 1000 | 4680 | 110 | 1.61 | 0.77 | 125 | 0.016 | 50 | A-PUK (TO-200AB) 42x19x14 |
ASTD173C10CFK0 | ||
| VS-ST173C10CFK1 | 1000 | ASTD173C10CFK1 | |||||||||||
| VS-ST173C10CFP0 | 1000 | ASTD173C10CFP0 | |||||||||||
| VS-ST173C10CFP1 | 1000 | ASTD173C10CFP1 | |||||||||||
| VS-ST173C12CFK0 | 1200 | ASTD173C12CFK0 | |||||||||||
| VS-ST173C12CFK0L | 1200 | ASTD173C12CFK0L | |||||||||||
| VS-ST173C12CFK1 | 1200 | ASTD173C12CFK1 | |||||||||||
| VS-ST173C12CFP0 | 1200 | ASTD173C12CFP0 | |||||||||||
| VS-ST173C12CFP1 | 1200 | ASTD173C12CFP1 | |||||||||||
| VS-ST183C | |||||||||||||
| VS-ST183C04CFL0 | 370 (55) | 400 | 4900 | 120 | 1.45 | 0.58 | 125 | 0.016 | 50 | A-PUK (TO-200AB) 42x19x14 |
ASTD183C04CFL0 | ||
| VS-ST183C04CFN0 | 400 | ASTD183C04CFN0 | |||||||||||
| VS-ST183C04CFN1 | 400 | ASTD183C04CFN1 | |||||||||||
| VS-ST183C08CFL0 | 800 | ASTD183C08CFL0 | |||||||||||
| VS-ST183C08CFL1 | 800 | ASTD183C08CFL1 | |||||||||||
| VS-ST183C08CFN0 | 800 | ASTD183C08CFN0 | |||||||||||
| VS-ST183C08CFN1 | 800 | ASTD183C08CFN1 | |||||||||||
| VS-ST203C | |||||||||||||
| VS-ST203C10CFJ1 | 370 (55) | 1000 | 5260 | 138 | 1.22 | 0.83 | 125 | 0.017 | 50 | A-PUK (TO-200AB) 42x19x14 |
ASTD203C10CFJ1 | ||
| VS-ST203C12CFJ0 | 1200 | ASTD203C12CFJ0 | |||||||||||
| VS-ST203C12CFJ1 | 1200 | ASTD203C12CFJ1 | |||||||||||
| VS-ST223C | |||||||||||||
| VS-ST223C04CFL0 | 390 (55) | 400 | 5850 | 171 | 1.09 | 0.82 | 125 | 0.017 | 50 | A-PUK (TO-200AB) 42x19x14 |
ASTD223C04CFL0 | ||
| VS-ST223C04CFL1 | 400 | ASTD223C04CFL1 | |||||||||||
| VS-ST223C04CFN0 | 400 | ASTD223C04CFN0 | |||||||||||
| VS-ST223C04CFN1 | 400 | ASTD223C04CFN1 | |||||||||||
| VS-ST223C08CFL0 | 800 | ASTD223C08CFL0 | |||||||||||
| VS-ST223C08CFL1 | 800 | ASTD223C08CFL1 | |||||||||||
| VS-ST223C08CFN0 | 800 | ASTD223C08CFN0 | |||||||||||
| VS-ST223C08CFN1 | 800 | ASTD223C08CFN1 | |||||||||||
| VS-ST303CL | |||||||||||||
| VS-ST303C04LFK0 | 515 (55) | 400 | 7950 | 316 | 1.48 | 0.56 | 125 | 0.010 | 250 | B-PUK (TO-200AC) 58x34x27 |
ASTD303C04LFK0 | ||
| VS-ST303C04LFL0 | 400 | ASTD303C04LFL0 | |||||||||||
| VS-ST303C08LFL1 | 800 | ASTD303C08LFL1 | |||||||||||
| VS-ST303C08LFN0 | 800 | ASTD303C08LFN0 | |||||||||||
| VS-ST303C08LFN1 | 800 | ASTD303C08LFN1 | |||||||||||
| VS-ST303C10LFJ0 | 1000 | ASTD303C10LFJ0 | |||||||||||
| VS-ST303C12LFH0 | 1200 | ASTD303C12LFH0 | |||||||||||
| VS-ST303C12LFJ1 | 1200 | ASTD303C12LFJ1 | |||||||||||
| VS-ST303C12LFK0 | 1200 | ASTD303C12LFK0 | |||||||||||
| VS-ST303C12LFK0L | 1200 | ASTD303C12LFK0L | |||||||||||
| VS-ST303C12LFK1 | 1200 | ASTD303C12LFK1 | |||||||||||
| VS-ST303C12LFK1L | 1200 | ASTD303C12LFK1L | |||||||||||
| VS-ST303C | |||||||||||||
| VS-ST303C04CFL0 | 620 (55) | 400 | 7950 | 316 | 1.48 | 0.56 | 125 | 0.010 | 83 | E-PUK (TO-200AB) 42x25x14.5 |
ASTD303C04CFL0 | ||
| VS-ST303C04CFL1 | 400 | ASTD303C04CFL1 | |||||||||||
| VS-ST303C04CFN1 | 400 | ASTD303C04CFN1 | |||||||||||
| VS-ST303C08CFK1 | 800 | ASTD303C08CFK1 | |||||||||||
| VS-ST303C08CFL1 | 800 | ASTD303C08CFL1 | |||||||||||
| VS-ST303C08CFN1 | 800 | ASTD303C08CFN1 | |||||||||||
| VS-ST303C10CFJ0 | 1000 | ASTD303C10CFJ0 | |||||||||||
| VS-ST303C10CFK0 | 1000 | ASTD303C10CFK0 | |||||||||||
| VS-ST303C12CCL1 | 1200 | ASTD303C12CCL1 | |||||||||||
| VS-ST303C12CFJ0 | 1200 | ASTD303C12CFJ0 | |||||||||||
| VS-ST303C12CFJ1 | 1200 | ASTD303C12CFJ1 | |||||||||||
| VS-ST303C12CFK0 | 1200 | ASTD303C12CFK0 | |||||||||||
| VS-ST303C12CFK0L | 1200 | ASTD303C12CFK0L | |||||||||||
| VS-ST303C12CFK1 | 1200 | ASTD303C12CFK1 | |||||||||||
| VS-ST303C12CFK1L | 1200 | ASTD303C12CFK1L | |||||||||||
| VS-ST333CL | |||||||||||||
| VS-ST333C04LFL0 | 620 (55) | 400 | 11000 | 605 | 0.93 | 0.58 | 125 | 0.010 | 250 | B-PUK (TO-200AC) 58x34x27 |
ASTD333C04LFL0 | ||
| VS-ST333C04LFL1 | 400 | ASTD333C04LFL1 | |||||||||||
| VS-ST333C04LFM0 | 400 | ASTD333C04LFM0 | |||||||||||
| VS-ST333C04LFM1 | 400 | ASTD333C04LFM1 | |||||||||||
| VS-ST333C08LFL0 | 800 | ASTD333C08LFL0 | |||||||||||
| VS-ST333C08LFL1 | 800 | ASTD333C08LFL1 | |||||||||||
| VS-ST333C08LFM0 | 800 | ASTD333C08LFM0 | |||||||||||
| VS-ST333C08LFM1 | 800 | ASTD333C08LFM1 | |||||||||||
| VS-ST333C | |||||||||||||
| VS-ST333C04CFL0 | 720 (55) | 400 | 11000 | 605 | 0.93 | 0.58 | 125 | 0.011 | 83 | E-PUK (TO-200AB) 42x25x14.5 |
ASTD333C04CFL0 | ||
| VS-ST333C04CFL1 | 400 | ASTD333C04CFL1 | |||||||||||
| VS-ST333C04CFM1 | 400 | ASTD333C04CFM1 | |||||||||||
| VS-ST333C08CFL0 | 800 | ASTD333C08CFL0 | |||||||||||
| VS-ST333C08CFL1 | 800 | ASTD333C08CFL1 | |||||||||||
| VS-ST333C08CFM0 | 800 | ASTD333C08CFM0 | |||||||||||
| VS-ST333C08CFM1 | 800 | ASTD333C08CFM1 | |||||||||||
| VS-ST733CL | |||||||||||||
| VS-ST733C04LFL1 | 940 (55) | 400 | 20000 | 2000 | 1.20 | 0.29 | 125 | 0.009 | 255 | B-PUK (TO-200AC) 58x34x27 |
ASTD733C04LFL1 | ||
| VS-ST733C04LFM1 | 400 | ASTD733C04LFM1 | |||||||||||
| VS-ST733C08LFL0 | 800 | ASTD733C08LFL0 | |||||||||||
| VS-ST733C08LFL1 | 800 | ASTD733C08LFL1 | |||||||||||
| VS-ST733C08LFM0 | 800 | ASTD733C08LFM0 | |||||||||||
| VS-ST733C08LFM0L | 800 | ASTD733C08LFM0L | |||||||||||
| VS-ST733C08LFM1 | 800 | ASTD733C08LFM1 | |||||||||||
Guía de numeración de piezas para tiristores discretos rápidos:
| AS | TD | 33 | 3 | C | 08 | L | F | L | 0 |
| AS | – | |||||||||||||||||
| TD | – | Grupo de productos: Tiristor de disco discreto. | ||||||||||||||||
| 33 | – | Número de pieza esencial. | ||||||||||||||||
| 3 | – | Tiristor de desconexión rápida. | ||||||||||||||||
| C | – | PUK de cerámica. | ||||||||||||||||
| 08 | – | Clase de tensión VRRM / 100. | ||||||||||||||||
| L | – | Tipo de carcasa (paquete): B-PUK (TO-200AC). | ||||||||||||||||
| F | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)crit:
|
||||||||||||||||
| L | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
|
||||||||||||||||
| 0 | – | Bornes de conexión rápida (puerta y cátodo auxiliar sin soldar). |
Semiconductores de alta potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor de aire y agua para ellos.
Puede comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad, y al hacer pedidos grandes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos a todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos, módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, le proporcionaremos un precio individual!!!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Recomendaciones de instalación para tiristores de potencia:
La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del tiristor y el disipador térmico en todo el rango de temperatura se garantiza mediante un par de apriete adecuado (fuerza de sujeción).
Antes del montaje, se debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar daños mecánicos y limpiar (2) con un paño empapado en alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Después de la inspección, fijar los contactos de corriente (cables), instalar un pasador para fijar la alineación de la estructura.
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda aplicar (3) una capa fina de pasta térmica de silicona antes del montaje, aunque no es un requisito obligatorio para la instalación.
Instalar el tiristor (3), la segunda parte del disipador, el aislante de fibra de vidrio y la arandela de empuje.
Roscar la traviesa (4) y apretar uniformemente las tuercas. Asegúrese de que no haya desalineaciones y que las superficies de contacto sean uniformes.
Cuando las piezas estén lo suficientemente sujetas pero aún móviles, se recomienda colocar el disipador en una superficie plana y verificar la tolerancia de paralelismo del plano general adyacente de las superficies (5).
Apretar cada tuerca por turno (aproximadamente un cuarto de vuelta) hasta el tope (6). La cantidad de desviación de la traviesa determina si la fuerza de sujeción alcanzada corresponde a la requerida.
Después de la instalación, los elementos de fijación (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para los tiristores de potencia:
No se debe operar los tiristores de potencia durante períodos prolongados al límite de carga de todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad está determinado por el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.
Sustituya un tiristor de potencia averiado por uno que coincida con los parámetros del que se va a sustituir.
Debe proporcionarse una refrigeración adicional al operar en un entorno con una temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y disipadores para eliminar polvo y contaminantes y así asegurar una correcta disipación térmica.
Se deben utilizar divisores de corriente inductivos (a menudo alambre toroidal enrollado) para igualar las corrientes entre los tiristores de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más comunes son circuito cerrado, circuito de bobina común o tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del alambre magnético.
La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los tiristores de potencia están conectados en serie se logra mediante el uso de resistencias de derivación conectadas en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona mediante la conexión de condensadores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alto voltaje durante su funcionamiento.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:

DE
IT
















































