Tiristores de potencia rápida 200A - 2000A, paquete de disco

Thyristor rápido (TF) AS ENERGITM en diseño de disco es un dispositivo semiconductor tipo pack de presión para conmutación rápida. Los thyristores rápidos cumplen con requisitos como una mayor resistencia a di/dt, bajas pérdidas de conmutación, y tiempos de encendido y apagado cortos. Regulan y convierten corrientes de CC y CA hasta 2000A en un rango de frecuencias de hasta 10kHz en circuitos con voltajes hasta 3600V (dependiendo de la serie).

Las series de thyristores rápidos de potencia en disco TF tienen los siguientes tipos (corriente): 200 A, 250 A, 320 A, 400 A, 500 A, 630 A, 800 A, 1000 A, 1600 A, 2000 Amperios.

Series de thyristores rápidos de alta potencia en disco

Guía de numeración de piezas para thyristores rápidos de potencia en disco

Pasaporte técnico para thyristores rápidos de potencia en disco

Recomendaciones de instalación para thyristores de potencia

Los thyristores rápidos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr, ERQ diseñados para operar en modos de frecuencias más altas. Los parámetros del thyristor de VTM, tq, Qrr están interrelacionados, por lo que una disminución de los valores de tq y Qrr lleva a un aumento de VTM. Los thyristores rápidos se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo, lo que los diferencia de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calefacción y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de corriente alterna, UPS y otros sistemas que requieren tiempos de encendido y apagado cortos. Los thyristores tienen una carcasa cerámica sellada de estándar industrial que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de los impactos mecánicos y del entorno.

La polaridad del thyristor está determinada por el icono en la carcasa. En esta página se encuentran los diagramas esquemáticos y los circuitos de thyristores rápidos con ánodo, cátodo y electrodo de control (puerta). Las especificaciones técnicas, la guía de numeración de piezas, la polaridad, las dimensiones y los refrigeradores recomendados para los thyristores se enumeran a continuación.

Se utilizan disipadores de aire y agua para enfriar los thyristores. Para mantener las pérdidas eléctricas al mínimo y la disipación de calor al máximo, debe proporcionarse el par necesario durante el montaje, la llamada fuerza de compresión Fm. La correspondencia de la fuerza de sujeción lograda con la requerida se determina por la deflexión de la viga. Para una mejor disipación de calor del thyristor discreto durante el montaje, se utiliza pasta conductora de calor, lo cual no es un requisito previo para la instalación.

Los thyristores rápidos tienen una carcasa sellada que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de los impactos mecánicos y del entorno. Este thyristor rápido tiene una carcasa de disco con contactos a presión.

Los thyristores rápidos de AS Energi Global LLC tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 300 a 3600 V y corrientes de 200 a 2000 A, alta resistencia a los ciclos térmicos y eléctricos, refrigeración por aire natural o forzada.

Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los thyristores de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar thyristores, si es necesario, proporcionamos la declaración de calidad y el certificado de conformidad.

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El precio final de los tiristores rápidos depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.

Si tiene preguntas sobre la adquisición de tiristores y diodos de alta potencia, envíe un correo electrónico a:

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Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
Para un gran número, ¡¡¡le facilitaremos un precio individual!!!

Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.


Galería de fotos

La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.


Serie de tiristores Disc Fast:


TF133...TF933

TF143...TF943

TF153...TF953

TF173, TF273

Tiristores rápidos TF133...TF933 (200A – 500A)

Tipo IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W Paquete Dimensiones
ØDxØdxH
Ficha técnica
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
200 A
TF233-200 200 (102) 1000-1500 4.5 100 200-2500 1600 6.3-12.5 125 0.04 10 110 T.B2 42x25x14 PDF
TF433-200 200 (102) 1000-1500 4.5 100 200-2500 1600 6.3-12.5 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
250 A
TF133-250 250 (94) 1600-2400 5.0 120 200-2500 1600 20-40 125 0.04 10 110 PT31-1
(T.B2)
48x27x15 PDF
TF233-250 250 (97) 1000-1500 5.4 140 200-2500 1600 8-16 125 0.04 10 110 T.B2 42x25x14 PDF
TF333-250 250 (86) 1600-2400 5.0 120 200-2500 1600 20-40 125 0.05 10 180
100
T.B3
PT31
54x32x20
47x27x15
PDF
TF433-250 250 (97) 1000-1500 5.4 140 200-2500 1600 8-16 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
TF833-250 250 (94) 3000 5.7 162 1000 1000 50-125 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
TF933-250 250 (92) 3000-3600 5.4 140 200-1000 1000 63-80 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
320 A
TF133-320 320 (85) 1600-2400 6.0 320 200-1000 1600 25-50 125 0.04 10 110 PT31-1
(T.B2)
48x27x15 PDF
TF233-320 320 (90) 1000-1500 5.5 150 200-2500 1600 10-20 125 0.04 10 110 T.B2 42x25x14 PDF
TF333-320 320 (85) 1600-2400 6.0 170 200-1000 1600 25-40 125 0.05 10 180 T.B3 54x32x20 PDF
TF433-320 320 (90) 1000-1500 5.5 150 200-2500 1600 10-20 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
400 A
TF133-400 400 (85) 1600-2400 6.6 210 200-1000 1600 50-63 125 0.04 10 110 PT31-1
(T.B2)
48x27x15 PDF
TF233-400 400 (85) 400-1400 6.5 200 200-1000 800 20-50 125 0.04 10 180 PT32 54x32x20 PDF
TF333-400 371 (85) 1400-2400 6.6 200 200-2500 1600 50-63 1250.05 10 180
100
T.B3
PT31
54x32x20
47x27x15
PDF
500 A
TF333-500 500 (95) 300-1400 7.5 280 500-1000 500 32 125 0.035 10 100 PT31 47x27x15 PDF

Tiristor rápidos TF143...TF943 (400A – 630A)

Tipo IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W Paquete Dimensiones
ØDxØdxH
Ficha técnica
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
400 A
TF143-400 400 (88) 1400-2200 8.0 320 200-1000 2000 25-50 125 0.034 15 240 PT42 60x38x20 PDF
TF243-400 400 (94) 1000-1500 9.5 450 200-2500 2000 10-20 125 0.03 15 180 PT41 57x35x14 PDF
TF943-400 400 (85) 3000-3600 7.5 600 200-1000 2000 50-63 125 0.034 15 240 T.C2 60x38x20 PDF
500 A
TF143-500 500 (85) 1400-2200 9.0 400 200-1000 2000 32-63 125 0.034 15 240 PT42 60x38x20 PDF
TF243-500 500 (91) 1000-1500 11.0 600 200-2500 2000 12.5-25 125 0.03 15 180 PT41 57x35x14 PDF
TF343-500 550 (85) 500-1100 9.0 800 500-1000 500 25 125 0.028 15 180 PT41 57x35x14 PDF
630 A
TF143-630 630 (80) 1400-2200 10.0 500 200-1000 2000 32-63 125 0.034 15 240 PT42 60x38x20 PDF
TF243-630 630 (84) 1000-1500 11.5 660 200-2500 200 16-32 125 0.03 15 180 PT41 57x35x14 PDF
TF343-630 630 (90) 400-1400 10.5 820 500-1000 500 32 125 0.028 15 180 PT41 57x35x14 PDF

Tiristor rápidos TF153...TF953 (630A – 1000A)

Tipo IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W Paquete Dimensiones
ØDxØdxH
Ficha técnica
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
630 A
TF153-630 630 (85) 1400-2200 16.0 1200 200-1000 2000 20-40 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF253-630 630 (85) 800-1600 6.0 1600 200-1000 800 25-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF453-630 630 (94) 1400-2200 20.0 2000 200-2500 2000 20-40 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF
TF953-630 630 (90) 3000-3600 17.0 2400 200-2500 2000 50-63 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF
800 A
TF153-800 800 (85) 1400-2200 17.0 1445 200-1000 2000 20-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF253-800 800 (85) 800-1600 8.0 1900 200-1000 800 25-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF453-800 800 (86) 1400-2200 21.0 2200 200-2500 2000 20-40 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF
TF553-800 800 (85) 1400-2400 15.0 2630 1000 630 25-63 125 0.021 26 550 PT53-1 75x51x26 PDF
1000 A
TF153-1000 1000 (75) 1400-2200 18.0 1620 200-1000 2000 20-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF253-1000 1000 (85) 800-1400 10.0 2100 200-1000 800 25-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF453-1000 1000 (79) 1400-2200 22.0 2400 200-2500 2000 20-40 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF

Tiristor rápidos TF173, TF273 (1600A, 2000A)

Tipo IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W Paquete Dimensiones
ØDxØdxH
Ficha técnica
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
1600 A
TF173-1600 1600 (95) 1600-2800 37.0 6800 200-1000 2500 50-63 125 0.008 45 1200 PT73 112x75x26 PDF
TF173-2000 2000 (90) 2000-2500 40.0 8000 200-1000 2500 40-63 125 0.008 45 1200 PT73 112x75x26 PDF
2000 A
TF273-2000 2000 (76) 1400-2400 40.0 9300 500-1000 1000 50 125 0.011 45 1200 PT73 112x75x26 PDF

Guía de numeración de piezas para Tiristor rápidos:

TF 953 630 32 9 5 3
TF Tiristor rápido, brand AS ENERGITM
953 Tipo tiristor (tipo disco).
630 Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp.
32 Clase de tensión VRRM / 100  (Tensión nominal - 3200 V).
9 Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)crit:
Codificación alfanumérica 0 P3 E3 A3 P2 K2 Е2 A2 T1 P1 M1
Codificación digital 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Valor, V/µs no normalizado 20 50 100 200 320 500 1000 1600 2000 2500
5 Parámetro del tiempo de desconexión tq:
Codificación alfanumérica 0 C3 E3 H3 K3 M3 P3 T3 X3 A4 B4 C4 E4
Codificación digital 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Valor, µs no normalizado 63 50 40 32 25 20 16 12.5 10 8 6.3 5
3 Parámetro del tiempo de conexión tgt:
Codificación alfanumérica 0 T3 A4 B4 C4 H4 K4 M4 P4 T4 X4 A5 C5
Codificación digital 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Valor, µs no normalizado 16 10 8 6.3 4 3.2 2.5 2.0 1.6 1.25 1.0 0.63

Pasaporte técnico para Tiristor rápidos (muestra):

Cuando suministramos tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.

  • Pasaporte técnico
  • Pasaporte técnico
  • Pasaporte técnico

Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM

Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, y disipadores de calor de aire y agua para ellos. Puede comprar semiconductores en cualquier volumen, y al realizar pedidos de grandes cantidades, el precio será más bajo.
Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.

Para comprar tiristores, diodos y módulos de alta potencia, envíe una solicitud por correo electrónico a:

[email protected]

Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.


Foto de tiristores rápidos (tableta):

  • Tiristor rápido
  • Tiristor rápido
  • Tiristor rápido
  • Tiristor rápido
  • Tiristor rápido
  • Tiristor rápido

Recomendaciones de instalación para Tiristor rápidos:

Montaje del disco Tiristor rápido con disipador térmico

La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del tiristor y el disipador de calor en todo el rango de temperaturas se garantiza mediante el par de apriete adecuado (Fuerza de sujeción).

Antes del montaje, debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar posibles daños mecánicos y limpiar (2), utilizando alcohol (tolueno, gasolina, acetona).

Tras la inspección, fije los contactos de corriente (cables) y instale un pasador para alinear la estructura.

Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda lubricar (3) con una capa fina de pasta térmica conductora de silicona antes del montaje, aunque no es una condición obligatoria para la instalación.

Instale el tiristor (3), la segunda parte del disipador de calor, el aislante de fibra de vidrio y la arandela de presión.

Enrosque el travesaño (4) y ajuste las tuercas de manera uniforme. Asegúrese de que no haya desalineaciones y que las superficies de contacto estén niveladas.

Cuando las piezas estén suficientemente apretadas pero aún móviles, recomendamos colocar el disipador de calor sobre una superficie plana y verificar la tolerancia de paralelismo del plano adyacente general de las superficies (5).

Aprete cada tuerca de forma alternada (aproximadamente un cuarto de vuelta) hasta el tope (6). La cantidad de deflexión del travesaño determina si la Fuerza de sujeción alcanzada corresponde a la requerida.

Después del montaje, los elementos de fijación (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra la corrosión.


Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:

Los tiristores de potencia no deben operar durante largos períodos de tiempo en su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el Factor de seguridad está determinado por el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.

Reemplace un tiristor de potencia defectuoso con uno que coincida con los parámetros del tiristor que se reemplaza.

Se debe proporcionar una superenfriamiento al operar en un entorno con una temperatura ambiente elevada.

Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y los disipadores de calor para eliminar el polvo y los contaminantes y garantizar una adecuada disipación de calor.

Para igualar las corrientes entre tiristores de potencia conectados en paralelo, se deben usar divisores de corriente inductivos (a menudo alambres toroidales retorcidos). Los métodos de conexión más populares son el circuito cerrado, el circuito de bobina común o el tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del alambre magnético.

La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los tiristores de potencia están conectados en serie se logra mediante el uso de resistencias de derivación conectadas en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona conectando condensadores en paralelo a cada tiristor.

Dispositivo bajo tensión

Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alta tensión durante su operación.


icon ¿Por qué elegir AS ENERGITM?

  • Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
  • Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
  • Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
  • Clientes de más de 50 países confían en nosotros
  • 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
  • Producimos análogos de productos de otros fabricantes
  • Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años

 

Garantía de calidad

Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.

Certificados

Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.

Informe de la prueba

Geografía de la asociación

AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.

Geografía

Logística y entrega

Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.

Logistics

AS ENERGITM Fabricación de semiconductores

Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.

Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.


Productos destacados:

 

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