Tiristores de potencia rápida 200A - 2000A, paquete de disco
Thyristor rápido (TF) AS ENERGITM en diseño de disco es un dispositivo semiconductor tipo pack de presión para conmutación rápida. Los thyristores rápidos cumplen con requisitos como una mayor resistencia a di/dt, bajas pérdidas de conmutación, y tiempos de encendido y apagado cortos. Regulan y convierten corrientes de CC y CA hasta 2000A en un rango de frecuencias de hasta 10kHz en circuitos con voltajes hasta 3600V (dependiendo de la serie).
Las series de thyristores rápidos de potencia en disco TF tienen los siguientes tipos (corriente): 200 A, 250 A, 320 A, 400 A, 500 A, 630 A, 800 A, 1000 A, 1600 A, 2000 Amperios.
Series de thyristores rápidos de alta potencia en disco
Guía de numeración de piezas para thyristores rápidos de potencia en disco
Pasaporte técnico para thyristores rápidos de potencia en disco
Los thyristores rápidos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr, ERQ diseñados para operar en modos de frecuencias más altas. Los parámetros del thyristor de VTM, tq, Qrr están interrelacionados, por lo que una disminución de los valores de tq y Qrr lleva a un aumento de VTM. Los thyristores rápidos se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo, lo que los diferencia de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calefacción y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de corriente alterna, UPS y otros sistemas que requieren tiempos de encendido y apagado cortos. Los thyristores tienen una carcasa cerámica sellada de estándar industrial que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de los impactos mecánicos y del entorno.
La polaridad del thyristor está determinada por el icono en la carcasa. En esta página se encuentran los diagramas esquemáticos y los circuitos de thyristores rápidos con ánodo, cátodo y electrodo de control (puerta). Las especificaciones técnicas, la guía de numeración de piezas, la polaridad, las dimensiones y los refrigeradores recomendados para los thyristores se enumeran a continuación.
Se utilizan disipadores de aire y agua para enfriar los thyristores. Para mantener las pérdidas eléctricas al mínimo y la disipación de calor al máximo, debe proporcionarse el par necesario durante el montaje, la llamada fuerza de compresión Fm. La correspondencia de la fuerza de sujeción lograda con la requerida se determina por la deflexión de la viga. Para una mejor disipación de calor del thyristor discreto durante el montaje, se utiliza pasta conductora de calor, lo cual no es un requisito previo para la instalación.
Los thyristores rápidos tienen una carcasa sellada que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de los impactos mecánicos y del entorno. Este thyristor rápido tiene una carcasa de disco con contactos a presión.
Los thyristores rápidos de AS Energi Global LLC tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 300 a 3600 V y corrientes de 200 a 2000 A, alta resistencia a los ciclos térmicos y eléctricos, refrigeración por aire natural o forzada.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los thyristores de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar thyristores, si es necesario, proporcionamos la declaración de calidad y el certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores rápidos depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Si tiene preguntas sobre la adquisición de tiristores y diodos de alta potencia, envíe un correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
Para un gran número, ¡¡¡le facilitaremos un precio individual!!!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Serie de tiristores Disc Fast:
TF133...TF933 |
TF143...TF943 |
TF153...TF953 |
TF173, TF273 |
Tiristores rápidos TF133...TF933 (200A – 500A)
| Tipo | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquete | Dimensiones ØDxØdxH |
Ficha técnica |
| A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
| 200 A | ||||||||||||||
| TF233-200 | 200 (102) | 1000-1500 | 4.5 | 100 | 200-2500 | 1600 | 6.3-12.5 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | T.B2 | 42x25x14 | |
| TF433-200 | 200 (102) | 1000-1500 | 4.5 | 100 | 200-2500 | 1600 | 6.3-12.5 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
| 250 A | ||||||||||||||
| TF133-250 | 250 (94) | 1600-2400 | 5.0 | 120 | 200-2500 | 1600 | 20-40 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | PT31-1 (T.B2) |
48x27x15 | |
| TF233-250 | 250 (97) | 1000-1500 | 5.4 | 140 | 200-2500 | 1600 | 8-16 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | T.B2 | 42x25x14 | |
| TF333-250 | 250 (86) | 1600-2400 | 5.0 | 120 | 200-2500 | 1600 | 20-40 | 125 | 0.05 | 10 | 180 100 |
T.B3 PT31 |
54x32x20 47x27x15 |
|
| TF433-250 | 250 (97) | 1000-1500 | 5.4 | 140 | 200-2500 | 1600 | 8-16 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
| TF833-250 | 250 (94) | 3000 | 5.7 | 162 | 1000 | 1000 | 50-125 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
| TF933-250 | 250 (92) | 3000-3600 | 5.4 | 140 | 200-1000 | 1000 | 63-80 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
| 320 A | ||||||||||||||
| TF133-320 | 320 (85) | 1600-2400 | 6.0 | 320 | 200-1000 | 1600 | 25-50 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | PT31-1 (T.B2) |
48x27x15 | |
| TF233-320 | 320 (90) | 1000-1500 | 5.5 | 150 | 200-2500 | 1600 | 10-20 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | T.B2 | 42x25x14 | |
| TF333-320 | 320 (85) | 1600-2400 | 6.0 | 170 | 200-1000 | 1600 | 25-40 | 125 | 0.05 | 10 | 180 | T.B3 | 54x32x20 | |
| TF433-320 | 320 (90) | 1000-1500 | 5.5 | 150 | 200-2500 | 1600 | 10-20 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
| 400 A | ||||||||||||||
| TF133-400 | 400 (85) | 1600-2400 | 6.6 | 210 | 200-1000 | 1600 | 50-63 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | PT31-1 (T.B2) |
48x27x15 | |
| TF233-400 | 400 (85) | 400-1400 | 6.5 | 200 | 200-1000 | 800 | 20-50 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 | 54x32x20 | |
| TF333-400 | 371 (85) | 1400-2400 | 6.6 | 200 | 200-2500 | 1600 | 50-63 | 125 | 0.05 | 10 | 180 100 |
T.B3 PT31 |
54x32x20 47x27x15 |
|
| 500 A | ||||||||||||||
| TF333-500 | 500 (95) | 300-1400 | 7.5 | 280 | 500-1000 | 500 | 32 | 125 | 0.035 | 10 | 100 | PT31 | 47x27x15 | |
Tiristor rápidos TF143...TF943 (400A – 630A)
| Tipo | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquete | Dimensiones ØDxØdxH |
Ficha técnica |
| A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
| 400 A | ||||||||||||||
| TF143-400 | 400 (88) | 1400-2200 | 8.0 | 320 | 200-1000 | 2000 | 25-50 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | PT42 | 60x38x20 | |
| TF243-400 | 400 (94) | 1000-1500 | 9.5 | 450 | 200-2500 | 2000 | 10-20 | 125 | 0.03 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
| TF943-400 | 400 (85) | 3000-3600 | 7.5 | 600 | 200-1000 | 2000 | 50-63 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | T.C2 | 60x38x20 | |
| 500 A | ||||||||||||||
| TF143-500 | 500 (85) | 1400-2200 | 9.0 | 400 | 200-1000 | 2000 | 32-63 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | PT42 | 60x38x20 | |
| TF243-500 | 500 (91) | 1000-1500 | 11.0 | 600 | 200-2500 | 2000 | 12.5-25 | 125 | 0.03 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
| TF343-500 | 550 (85) | 500-1100 | 9.0 | 800 | 500-1000 | 500 | 25 | 125 | 0.028 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
| 630 A | ||||||||||||||
| TF143-630 | 630 (80) | 1400-2200 | 10.0 | 500 | 200-1000 | 2000 | 32-63 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | PT42 | 60x38x20 | |
| TF243-630 | 630 (84) | 1000-1500 | 11.5 | 660 | 200-2500 | 200 | 16-32 | 125 | 0.03 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
| TF343-630 | 630 (90) | 400-1400 | 10.5 | 820 | 500-1000 | 500 | 32 | 125 | 0.028 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
Tiristor rápidos TF153...TF953 (630A – 1000A)
| Tipo | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquete | Dimensiones ØDxØdxH |
Ficha técnica |
| A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
| 630 A | ||||||||||||||
| TF153-630 | 630 (85) | 1400-2200 | 16.0 | 1200 | 200-1000 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
| TF253-630 | 630 (85) | 800-1600 | 6.0 | 1600 | 200-1000 | 800 | 25-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
| TF453-630 | 630 (94) | 1400-2200 | 20.0 | 2000 | 200-2500 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 | |
| TF953-630 | 630 (90) | 3000-3600 | 17.0 | 2400 | 200-2500 | 2000 | 50-63 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 | |
| 800 A | ||||||||||||||
| TF153-800 | 800 (85) | 1400-2200 | 17.0 | 1445 | 200-1000 | 2000 | 20-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
| TF253-800 | 800 (85) | 800-1600 | 8.0 | 1900 | 200-1000 | 800 | 25-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
| TF453-800 | 800 (86) | 1400-2200 | 21.0 | 2200 | 200-2500 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 | |
| TF553-800 | 800 (85) | 1400-2400 | 15.0 | 2630 | 1000 | 630 | 25-63 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53-1 | 75x51x26 | |
| 1000 A | ||||||||||||||
| TF153-1000 | 1000 (75) | 1400-2200 | 18.0 | 1620 | 200-1000 | 2000 | 20-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
| TF253-1000 | 1000 (85) | 800-1400 | 10.0 | 2100 | 200-1000 | 800 | 25-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
| TF453-1000 | 1000 (79) | 1400-2200 | 22.0 | 2400 | 200-2500 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 | |
Tiristor rápidos TF173, TF273 (1600A, 2000A)
| Tipo | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquete | Dimensiones ØDxØdxH |
Ficha técnica |
| A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
| 1600 A | ||||||||||||||
| TF173-1600 | 1600 (95) | 1600-2800 | 37.0 | 6800 | 200-1000 | 2500 | 50-63 | 125 | 0.008 | 45 | 1200 | PT73 | 112x75x26 | |
| TF173-2000 | 2000 (90) | 2000-2500 | 40.0 | 8000 | 200-1000 | 2500 | 40-63 | 125 | 0.008 | 45 | 1200 | PT73 | 112x75x26 | |
| 2000 A | ||||||||||||||
| TF273-2000 | 2000 (76) | 1400-2400 | 40.0 | 9300 | 500-1000 | 1000 | 50 | 125 | 0.011 | 45 | 1200 | PT73 | 112x75x26 | |
Guía de numeración de piezas para Tiristor rápidos:
| TF | 953 | – | 630 | – | 32 | – | 9 | 5 | 3 |
| TF | – | Tiristor rápido, |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 953 | – | Tipo tiristor (tipo disco). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 630 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 32 | – | Clase de tensión VRRM / 100 (Tensión nominal - 3200 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9 | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)crit:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5 | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3 | – | Parámetro del tiempo de conexión tgt:
|
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, y disipadores de calor de aire y agua para ellos. Puede comprar semiconductores en cualquier volumen, y al realizar pedidos de grandes cantidades, el precio será más bajo.
Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para comprar tiristores, diodos y módulos de alta potencia, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
Recomendaciones de instalación para Tiristor rápidos:
La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del tiristor y el disipador de calor en todo el rango de temperaturas se garantiza mediante el par de apriete adecuado (Fuerza de sujeción).
Antes del montaje, debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar posibles daños mecánicos y limpiar (2), utilizando alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Tras la inspección, fije los contactos de corriente (cables) y instale un pasador para alinear la estructura.
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda lubricar (3) con una capa fina de pasta térmica conductora de silicona antes del montaje, aunque no es una condición obligatoria para la instalación.
Instale el tiristor (3), la segunda parte del disipador de calor, el aislante de fibra de vidrio y la arandela de presión.
Enrosque el travesaño (4) y ajuste las tuercas de manera uniforme. Asegúrese de que no haya desalineaciones y que las superficies de contacto estén niveladas.
Cuando las piezas estén suficientemente apretadas pero aún móviles, recomendamos colocar el disipador de calor sobre una superficie plana y verificar la tolerancia de paralelismo del plano adyacente general de las superficies (5).
Aprete cada tuerca de forma alternada (aproximadamente un cuarto de vuelta) hasta el tope (6). La cantidad de deflexión del travesaño determina si la Fuerza de sujeción alcanzada corresponde a la requerida.
Después del montaje, los elementos de fijación (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:
Los tiristores de potencia no deben operar durante largos períodos de tiempo en su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el Factor de seguridad está determinado por el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.
Reemplace un tiristor de potencia defectuoso con uno que coincida con los parámetros del tiristor que se reemplaza.
Se debe proporcionar una superenfriamiento al operar en un entorno con una temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y los disipadores de calor para eliminar el polvo y los contaminantes y garantizar una adecuada disipación de calor.
Para igualar las corrientes entre tiristores de potencia conectados en paralelo, se deben usar divisores de corriente inductivos (a menudo alambres toroidales retorcidos). Los métodos de conexión más populares son el circuito cerrado, el circuito de bobina común o el tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del alambre magnético.
La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los tiristores de potencia están conectados en serie se logra mediante el uso de resistencias de derivación conectadas en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona conectando condensadores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alta tensión durante su operación.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:

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