Módulos de tiristor simple Sustitución Infineon

Diagrama de circuito de los módulos tiristores

Módulos de tiristores simples son de diseño monolítico con una única topología de tiristores semiconductores (un interruptor). Se utilizan en circuitos de corriente continua y alterna con cargas de hasta 860A y tensiones de impulso inversas de hasta 3600V.

Módulos de tiristores AMTZ AS ENERGI^TM son un repuesto, equivalente y alternativa a los módulos SCR serie TZ de Infineon Technologies.

Los módulos de tiristores vienen en una carcasa industrial estándar, lo que facilita su integración en equipos existentes.

Guía de numeración de piezas para módulos de tiristores

icon Referencia de fabricación de semiconductores AS ENERGI^TM

Los módulos están diseñados y ensamblados con tecnología de contacto a presión de alta fiabilidad y con tecnología de soldadura, lo que responde a los requisitos específicos de aplicaciones optimizadas en coste y rendimiento.

Los módulos de tiristores se utilizan en diversos equipos de potencia: unidades de potencia y control, accionamientos eléctricos, reguladores de potencia, reguladores de CA, convertidores, controladores de hornos altos o procesos químicos, equipos de soldadura y como rectificadores para convertidores de CA.

Nuestros módulos de potencia se ofrecen en varias topologías de dispositivos simples y dobles para casi todas las aplicaciones de control de fase o rectificación.

Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad de 2 años a partir de la fecha de compra para los módulos de tiristores / diodos. Al suministrar módulos de tiristores / diodos, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.

El precio final de los módulos tiristores / diodos depende de la clase, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.

Para preguntas sobre la adquisición de módulos de potencia, tiristores, diodos, envía una solicitud por correo electrónico a:

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Y te enviaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofreceremos un precio individual!

Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.

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La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGI^TM, así como ejemplos de informes de prueba.

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Especificaciones generales de los módulos tiristores simples Infineon y sustitutos

Tipo	I_F(AV)M	V _RRM V _DRM	I_FSM	I ²t	V _T0	r _T	T _{vj max}	R _th(j-c)	W	Paquete, Dimensiones L×B×H	Sustitución AS ENERGI ^TM	Ficha de datos
Tipo	A	V	A	kA ²·s	V	mΩ	ºC	K/W	g	mm	Sustitución AS ENERGI ^TM	PDF
TZ150N26KOF	150	2600	4000	101	1.2	2.3	125	0.13	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ150N26KOF
TZ240N36KOF	240	3600	5500	151	1.17	1.7	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ240N36KOF
TZ240N34KOF	240	3400	5500	151	1.17	1.7	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ240N36KOF
TZ400N26KOF	400	2600	11000	605	1.0	0.5	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ400N26KOF
TZ400N24KOF	400	2400	11000	605	1.0	0.5	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ400N24KOF
TZ425N18KOF	425	1800	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N18KOF
TZ425N16KOF	425	1600	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N16KOF
TZ425N14KOF	425	1400	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N14KOF
TZ425N12KOF	425	1200	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N12KOF
TZ430N22KOF	430	2200	12000	720	0.95	0.45	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ430N22KOF
TZ500N18KOF	500	1800	14500	1051	0.9	0.27	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ500N18KOF
TZ500N16KOF	500	1600	14500	1051	0.9	0.27	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ500N16KOF
TZ530N36KOF	530	3600	20000	2000	1.05	0.49	125	0.045	2750	TP70 104x70x90	AMTZ530N36KOF
TZ600N16KOF	600	1600	14000	980	0.9	0.27	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ600N16KOF
TZ630N28KOF	630	2800	23000	2650	0.95	0.37	125	0.042	2750	TP70 104x70x90	AMTZ630N28KOF
TZ630N24KOF	630	2400	23000	2650	0.95	0.37	125	0.042	2750	TP70 104x70x90	AMTZ630N24KOF
TZ630N22KOF	630	2200	23000	2650	0.95	0.37	125	0.042	2750	TP70 104x70x90	AMTZ630N22KOF
TZ740N22KOF	740	2200	26500	3500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ740N22KOF
TZ800N18KOF	800	1800	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N18KOF
TZ800N16KOF	800	1600	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N16KOF
TZ800N14KOF	800	1400	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N14KOF
TZ800N18KOF TIM	800	1800	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N18KOF-TIM
TZ800N16KOF TIM	800	1600	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N16KOF-TIM
TZ800N12KOF	800	1200	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N12KOF
TZ810N22KOF	819	2200	35000	6125	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ810N22KOF
TZ810N22KOF TIM	819	2200	35000	6125	0.82	0.17	125	0.42	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ810N22KOF-TIM
TZ740N22KOF TIM	819	2200	26500	3500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ740N22KOF-TIM
TZ860N16KOF TIM	860	1600	40000	8000	0.8	1.45	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ860N16KOF-TIM
TZ860N16KOF	860	1600	40000	8000	0.8	1.45	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ860N16KOF

Guía de numeración de piezas para módulos tiristores individuales:

150

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Grupo de productos: Módulo.
TZ	–	Topología del circuito: Tiristor simple.
150	–	Corriente media en estado encendido I_T(AV), Amp.
N	–	Dispositivo de control de fase.
26	–	Clase de tensión V_RRM / 100.
K	–	Construcción mecánica: K – tecnología de contacto por presión S – tecnología de soldadura
O	–	Tiempo de apagado tq: no garantizado.
F	–	Aumento crítico de la clase dv/dt fuera de estado: F = 1000 V/μs

Recomendaciones para el montaje de módulos de potencia

Especificaciones del disipador de calor y la superficie, preparación

Para asegurar un buen contacto térmico y obtener los valores de resistencia al contacto térmico especificados en la Ficha de datos, la superficie de contacto del disipador de calor debe estar limpia y libre de partículas de polvo. Es útil limpiar la superficie de montaje del disipador de calor con toallitas y un limpiador a base de alcohol, como el isopropanol, justo antes del proceso de montaje. Se deben cumplir las siguientes especificaciones mecánicas:
– La irregularidad del área de montaje del disipador de calor debe ser ≤ 50μm por cada 100 mm
– Rugosidad Rz: < 10 μm
– No debe haber escalones > 10 μm

Especificación de la superficie del disipador de calor

Aplicación de pasta térmica

Se recomienda usar impresión con plantilla para aplicar el material de interfaz térmica. Se recomienda utilizar un grosor de pasta térmica en el rango de 50 μm a 100 μm. No se recomienda aplicar la pasta térmica mediante rodillo para la producción en masa, ya que no se puede garantizar la reproducibilidad de un grosor de pasta térmica optimizado.

Par de montaje sobre el disipador de calor M_S

Para asegurar los módulos de potencia, se recomienda encarecidamente el uso de tornillos de acero en combinación con arandelas adecuadas y arandelas de resorte o tornillos combinados. Se debe observar el valor del par de apriete especificado en la Ficha de datos.

Se recomienda un par de apriete preliminar y volver a apretar hasta el valor de par especificado. Para el proceso de atornillado, se debe limitar la velocidad y se recomienda una limitación suave del par de apriete para evitar picos de par, que pueden ocurrir con destornilladores neumáticos.

Ejemplo de orden de montaje

Los tornillos deben apretarse en diagonal con el mismo par de apriete en varios pasos hasta alcanzar el valor de par de apriete especificado M_S.

¿Por qué elegir AS ENERGI^TM?

Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
Clientes de más de 50 países confían en nosotros
20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
Producimos análogos de productos de otros fabricantes
Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años

Garantía de calidad

Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.

Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.

Geografía de la asociación

AS ENERGI^TM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.

Logística y entrega

Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.

AS ENERGI^TM Fabricación de semiconductores

Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.

Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.

Productos destacados:

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