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Pavlo GorkunMódulos de diodo rectificador simple Infineon Sustitución
Módulos de Diodo Rectificador Simple, también conocidos como Diodos de Recuperación Estándar, son diodos de tipo press pack de uso general.
Características: optimizados para frecuencia de línea; bajas pérdidas en estado de conducción; alta capacidad de manejo de voltaje inverso y corriente.
Diodos Rectificadores AMND y AMDZ AS ENERGITM son dispositivos semiconductores de reemplazo, análogos y alternativos para Módulos de Diodo Rectificador Simple Series ND, DZ de Infineon Technologies, Eupec.
"Disipadores de calor enfriados por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de calor por aire serie SF", "Disipador de calor por agua serie SS" para enfriamiento de diodos también están disponibles para pedido.
El diodo tiene una carcasa cerámica estándar industrial que facilita su integración en el equipo existente. Este diodo tiene una carcasa de disco con contactos a presión. La polaridad del diodo (ánodo, cátodo) se determina por el ícono en la carcasa. Las especificaciones técnicas, la guía de numeración de partes y las hojas de datos para diodos se enumeran a continuación.
Los Diodos Rectificadores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VRSM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rangos de voltaje de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 7500 A, alta resistencia a los ciclos térmicos y eléctricos.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los diodos rectificadores de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar diodos, si es necesario, proporcionamos un pasaporte técnico y un certificado de conformidad.
El precio final de los diodos rectificadores estándar depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los módulos de diodos rectificadores simples Infineon y sustitutos
| Tipo | IF(AV)M | V RRM
V DRM |
IFSM | I 2t | V T0 | r T | T vj max | R th(j-c) | W | Paquete, Dimensiones L×B×H | Sustitución AS ENERGI TM |
Ficha de datos |
| A | V | A | kA 2·s | V | mΩ | ºC | K/W | g | mm | |||
| ND89N16K | 89 | 1600 | 2400 | 28.8 | 0.75 | 2.3 | 150 | 0.45 | 160 |
DP20 92x20x30 |
AMND89N16K |
|
| ND89N12K | 89 | 1200 | 2400 | 28.8 | 0.75 | 2.3 | 150 | 0.45 | 160 |
DP20 92x20x30 |
AMND89N12K |
|
| ND104N18K | 104 | 1800 | 2500 | 31.25 | 0.7 | 2.1 | 150 | 0.39 | 160 |
DP20 92x20x30 |
AMND104N18K |
|
| ND104N16K | 104 | 1600 | 2500 | 31.25 | 0.7 | 2.1 | 150 | 0.39 | 160 |
DP20 92x20x30 |
AMND104N16K |
|
| ND104N12K | 104 | 1200 | 2500 | 31.25 | 0.7 | 2.1 | 150 | 0.39 | 160 |
DP20 92x20x30 |
AMND104N12K |
|
| ND171N18K | 170 | 1800 | 5600 | 157 | 0.75 | 0.8 | 150 | 0.26 | 310 |
DP34 94x34x30 |
AMND171N18K |
|
| ND171N16K | 170 | 1600 | 5600 | 157 | 0.75 | 0.8 | 150 | 0.26 | 310 |
DP34 94x34x30 |
AMND171N16K |
|
| ND261N26K | 260 | 2600 | 8300 | 344 | 0.7 | 0.68 | 150 | 0.17 | 700 |
DP50ND 92x50x52 |
AMND261N26K |
|
| ND260N16K | 260 | 1600 | 8300 | 344 | 0.7 | 0.68 | 150 | 0.17 | 700 |
DP50ND 92x50x52 |
AMND260N16K |
|
| ND260N14K | 260 | 1400 | 8300 | 344 | 0.7 | 0.68 | 150 | 0.17 | 700 |
DP50ND 92x50x52 |
AMND260N14K |
|
| DZ435N40K | 435 | 4000 | 12000 | 720 | 0.84 | 0.6 | 150 | 0.078 | 900 |
DP50.1 101x50x52 |
AMDZ435N40K |
|
| DZ435N36K | 435 | 3600 | 12000 | 720 | 0.84 | 0.6 | 150 | 0.078 | 900 |
DP50.1 101x50x52 |
AMDZ435N36K |
|
| DZ540N26K | 540 | 2600 | 14000 | 980 | 0.78 | 0.31 | 150 | 0.078 | 900 |
DP50.1 101x50x52 |
AMDZ540N26K |
|
| DZ540N22K | 540 | 2200 | 14000 | 980 | 0.78 | 0.31 | 150 | 0.078 | 900 |
DP50.1 101x50x52 |
AMDZ540N22K |
|
| DZ600N18K | 600 | 1800 | 19000 | 1805 | 0.75 | 0.22 | 150 | 0.078 | 900 |
DP50.1 101x50x52 |
AMDZ600N18K |
|
| DZ600N16K | 600 | 1600 | 19000 | 1805 | 0.75 | 0.22 | 150 | 0.078 | 900 |
DP50.1 101x50x52 |
AMDZ600N16K |
|
| DZ600N12K | 600 | 1200 | 19000 | 1805 | 0.75 | 0.22 | 150 | 0.078 | 900 |
DP50.1 101x50x52 |
AMDZ600N12K |
|
| DZ950N44K | 950 | 4400 | 29000 | 4205 | 0.85 | 0.28 | 150 | 0.042 | 2750 |
DP70 104x70x90 |
AMDZ950N44K |
|
| DZ950N36K | 950 | 3600 | 29000 | 4205 | 0.85 | 0.28 | 150 | 0.042 | 2750 |
DP70 104x70x90 |
AMDZ950N36K |
|
| DZ1070N28K | 1070 | 2800 | 35000 | 6125 | 0.8 | 0.17 | 160 | 0.045 | 2750 |
DP70 104x70x90 |
AMDZ1070N28K |
|
| DZ1070N26K | 1070 | 2600 | 35000 | 6125 | 0.8 | 0.17 | 160 | 0.045 | 2750 |
DP70 104x70x90 |
AMDZ1070N26K |
|
| DZ1100N22K TIM | 1100 | 2200 | 40000 | 8000 | 0.75 | 0.073 | 150 | 0.048 | 1950 |
DP70A 104x70x90 |
AMDZ1100N22K-TIM |
|
| DZ1100N22K | 1100 | 2200 | 40000 | 8000 | 0.75 | 0.073 | 150 | 0.048 | 1950 |
DP70A 104x70x90 |
AMDZ1100N22K |
|
| DZ1070N22K | 1100 | 2200 | 35000 | 6125 | 0.75 | 0.073 | 150 | 0.045 | 1950 |
DP70A 104x70x90 |
AMDZ1070N22K |
|
| DZ1070N18K | 1100 | 1800 | 35000 | 6125 | 0.75 | 0.073 | 150 | 0.045 | 1950 |
DP70A 104x70x90 |
AMDZ1070N18K |
|
Guía de numeración de piezas para módulos de diodos rectificadores simples:
| A | M | DZ | 1070 | N | 26 | K |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Grupo de productos: Módulo. |
| DZ | – | Configuración: Diodo único. |
| 1070 | – | Corriente media en estado encendido IF(AV), Amp. |
| N | – | Dispositivo de control de fase. |
| 26 | – | Clase de tensión VRRM / 100. |
| K | – | Construcción mecánica: tecnología de contacto a presión |
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa está dedicada a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, diodos de rotor y soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor de aire y agua para ellos.
Puedes comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad, y al hacer pedidos de grandes lotes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para consultas relacionadas con la adquisición de Tiristores de Potencia, Diodos, Módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, proporcionaremos un precio individual!!!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Recomendaciones para el montaje de módulos de potencia
Especificaciones de disipadores de calor y preparación de la superficie
Para asegurar un buen contacto térmico y obtener los valores de resistencia térmica especificados en la Ficha de datos, la superficie de contacto del disipador de calor debe estar limpia y libre de partículas de polvo. Es útil limpiar la superficie de montaje del disipador de calor con toallitas y un limpiador a base de alcohol, por ejemplo, isopropanol, justo antes del proceso de montaje. Se deben cumplir las siguientes especificaciones mecánicas:
– La desigualdad del área de montaje del disipador de calor debe ser ≤ 50μm por 100 mm
– Rugosidad Rz: < 10 μm
– No debe haber pasos > 10 μm
Especificación de la superficie del disipador de calor |
Aplicación de pasta térmica
Se recomienda utilizar impresión con plantilla para aplicar el material de interfaz térmica. Se recomienda utilizar un grosor de pasta térmica en el rango de 50 μm a 100 μm. No se recomienda aplicar la pasta térmica mediante rodillo para producción en masa, ya que no se puede garantizar la reproducibilidad de un grosor optimizado de pasta térmica.
Par de montaje en el disipador de calor MS
Para asegurar los módulos de potencia, se recomienda encarecidamente el uso de tornillos de acero en combinación con arandelas adecuadas y arandelas de retención o tornillos combinados. Se debe respetar el valor de par especificado en la Ficha de datos.
Se recomienda un par de apriete preliminar y un reajuste al valor de par especificado. Para el proceso de atornillado, se debe limitar la velocidad y se recomienda una limitación suave del par para evitar picos de par que puedan ocurrir con destornilladores neumáticos.
Ejemplo de orden de montaje |
Los tornillos deben apretarse en diagonal con el mismo par de apriete en varios pasos hasta alcanzar el valor de par de apriete especificado MS.
Consejos y recomendaciones para los diodos de potencia:
Los diodos de potencia no deben ser operados durante largos períodos de tiempo a su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad está determinado por el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.
Reemplace un diodo de potencia defectuoso con un diodo que coincida con los parámetros del que se está reemplazando.
Se debe proporcionar refrigeración cuando se opera en un ambiente con temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los diodos de potencia y los enfriadores para eliminar el polvo y los contaminantes y garantizar una adecuada disipación de calor.
Se deben utilizar divisores de corriente inductivos (a menudo cable toroidal trenzado) para igualar las corrientes entre los diodos de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más populares son el circuito cerrado, el circuito de bobina común o el diodo de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del cable magnético.
La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los diodos de potencia están conectados en serie se logra utilizando resistores de derivación conectados en paralelo con cada diodo. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona conectando capacitores en paralelo con cada diodo.
Está estrictamente prohibido tocar los diodos de potencia bajo alta tensión durante su funcionamiento.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
