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Pavlo GorkunDiodo de recuperación rápida VS-SD203R20S20PC, tipo espárrago, recambio Vishay
| Número de pieza Vishay | VS-SD203R20S20PC |
| Corriente de avance media, IF(AV)M (TC) | 200A (85ºC) |
| Tensión, VRRM | 2000 V |
| Rosca de espárrago | 3/4"-16UNF-2A |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ASDS203R20S20PC |
| Añadir a la cesta | a petición
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Diodo de recuperación rápida ASDS203R20S20PC AS ENERGITM en diseño de espárrago, es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para el diodo de recuperación rápida VS-SD203R20S20PC de Vishay Semiconductors.
Corriente media directa IFAV – 200 amperios, voltaje repetitivo pico inverso VRRM – 400V. También están disponibles para pedido "Disipadores de aire serie O para dispositivos con espárrago" para la refrigeración del diodo.
Se utilizan disipadores de aire y agua para enfriar los diodos. Para asegurar un contacto térmico y eléctrico confiable con el disipador, se debe respetar un par de apriete Md durante el montaje. Para mejorar la disipación de calor del diodo durante el montaje, se usa pasta conductora térmica (esto es una recomendación y no un requisito obligatorio para la instalación).
Características: optimizado para frecuencia de línea; bajas pérdidas en estado conductor; bajo tiempo de recuperación inversa; alta velocidad de conmutación; alta tensión inversa y alta capacidad de manejo de corriente.
Los diodos de recuperación rápida convierten corrientes de CC y CA de hasta 200A en circuitos con voltajes de hasta 2500V. Sus principales aplicaciones son para convertidores DC-DC e inversores, rectificadores de alta frecuencia y fuentes de alimentación conmutadas.
La peculiaridad de los diodos es su rápida recuperación (corto tiempo de recuperación inversa trr y pequeña carga de recuperación) y su aplicación a altas frecuencias. Los diodos tienen una alta capacidad de corriente a frecuencias elevadas.
Los Diodos de Recuperación Rápida AS ENERGITM tienen las siguientes características: carcasa estándar industrial; bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VRRM/VRSM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes desde 100 hasta 9000 V y amperajes desde 10 hasta 15000 A, alta resistencia al ciclo térmico y eléctrico.
Las especificaciones técnicas y parámetros de VS-SD203R20S20PC y su reemplazo ASDS203R20S20PC, hoja de datos en PDF, dibujo esquemático y dimensiones se enumeran a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los diodos de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar diodos, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los diodos de recuperación estándar en diseño de montante depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del diodo de recuperación rápida (tipo espárrago) Vishay y sustitución:
| Especificaciones del diodo | VS-SD203R20S20PC | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IF(AV)M (TC) | 200 A (85ºC) |
| Tensión de bloqueo inversa de pico repetitivo máx. | VRRM | 400 V |
| Corriente de pico de sobretensión | IFSM | 4990 A |
| Tiempo de recuperación inversa | trr | 2.0 μs |
| Factor de seguridad | I2t | 125 kA2·s |
| Tensión de umbral | VF(T0) | 1.47 V |
| Resistencia a la inclinación hacia delante | rT | 0.46 mΩ |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.008 K/kW |
| Par de montaje, roscas no lubricadas | Md± 10 % | 31 Nm |
| Peso | W | 250 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | DO-9 (DO-205AB) |
| Rosca de espárrago | Ød | 3/4"-16UNF-2A |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASDS203R20S20PC |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para diodos de recuperación rápida:
| AS | DS | 20 | 3 | R | 20 | S20 | P | C |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| DS | – | Grupo de productos: Espárrago de diodo. |
| 20 | – | Número de pieza esencial. |
| 3 | – | Recuperación rápida. |
| R | – | N = clavija polaridad normal (cátodo hacia la clavija) R = polaridad inversa del espárrago (ánodo al espárrago). |
| 20 | – | Código de tensión x 100 = VRRM. |
| S20 | – | trr código . |
| P | – | P = base para tacos DO-9 (DO-205AB) 3/4" 16UNF-2A M = base para tacos DO-9 (DO-205AB) M16 x 1.5. |
| C | – | C = carcasa cerámica (más de 1600 V) V = junta vidrio-metal (sólo hasta 1600 V). |
Polaridad (ánodo, cátodo) y dimensiones de los diodos prisioneros:
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Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (diodos de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, además de disipadores de aire y agua para ellos.
Puede comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad y, al hacer pedidos grandes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de Tiristores de Potencia, Diodos y Módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
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¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio individual!!!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores térmicos para diodos de potencia tipo espárrago:
Los disipadores térmicos (radiadores) se utilizan para la refrigeración de dispositivos semiconductores de potencia en diseño tipo espárrago.
Los disipadores de los enfriadores están hechos de perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se usan en diversas condiciones climáticas.
Para más información sobre disipadores térmicos, consulte: "Disipadores térmicos con refrigeración por aire para dispositivos tipo espárrago".
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
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- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
