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Pavlo GorkunDiodo de recuperación rápida para GTO R72F-16-50CS Recambio Powerex
| Número de pieza Powerex | R72F-16-50CS |
| Corriente de avance media, IF(AV)M (TC) | 500A (75ºC) |
| Tensión, VRRM | 1600V |
| Paquete Hilo |
R72 58.5x34x26.9 |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ADD-R72F-16-50CS |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Diodo de Recuperación Rápida para GTO ADD-R72F-16-50CS AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al diodo de recuperación rápida R72F-16-50CS Powerex. Corriente directa media IFAV – 500 amperios, voltaje pico repetitivo inverso VRRM – 1600V.
Características de los Diodos de Recuperación Rápida: optimizados para frecuencia de línea; alta capacidad de sobretensión; baja carga de recuperación; bajo tiempo de recuperación inversa; alta velocidad de conmutación; alta capacidad para manejar voltajes inversos y corrientes elevadas. La peculiaridad de estos diodos es su rápida recuperación (bajo tiempo de recuperación inversa trr y baja carga de recuperación) y su aplicación en altas frecuencias. Los diodos tienen una alta capacidad de conducción de corriente a altas frecuencias. Sus principales aplicaciones son convertidores DC-DC e inversores, calentamiento por inducción, rectificadores de alta frecuencia y fuentes de alimentación conmutadas. También están disponibles a pedido disipadores de aire y agua para la refrigeración de diodos.
"Disipadores de calor refrigerados por aire serie O para dispositivos de perno" También están disponibles bajo pedido para refrigeración por tiristores.
Los Diodos Rectificadores AS ENERGITM cuentan con las siguientes características: carcasa estándar industrial; bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VRRM/VRSM, amplia experiencia en la aplicación de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 7500 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos.
Las especificaciones técnicas y parámetros de R72F-16-50CS y el reemplazo ADD-R72F-16-50CS, hoja de datos en PDF, dibujo esquemático y dimensiones se listan a continuación.
Nuestra empresa ofrece garantía de calidad para los diodos de recuperación rápida por 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar los diodos, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los diodos de recuperación rápida depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del diodo de recuperación rápida para GTO Powerex y sustitución:
| Especificaciones del diodo | R72F-16-50CS | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IF(AV)M (TC) | 500 A (75ºC) |
| Tensión de bloqueo inversa de pico repetitivo máx. | VRRM | 1600 V |
| Corrientes inversas pico repetitivas, máx. | IRRM | 30 mA |
| Pico de sobretensión de corriente de avance | IFSM | 9.5 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 450 kA2·s |
| Tensión de umbral | VF(T0) | 1.05 V |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 0.50 mΩ |
| Corriente de pico en estado activado | IFM | 1000 A |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | di/dt | 30 A/µs |
| Tiempo de recuperación inversa | trr | 3 µs |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.055 °C/W |
| Temperatura | Tj | -40 to 125 ºC |
| Par de montaje | Ms | 8.9 to 11 kN |
| Paquete (carcasa) | tipo | R72 |
| Rosca de espárrago | Ød | 58.5x34x26.9 |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ADD-R72F-16-50CS |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas del diodo de recuperación rápida para GTO ADD-R72F-16-50CS:
| A | DS | – | 72 | F | 16 | – | 50 | CS |
| A | – |  AS ENERGITM |
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| DS | – | Grupo de productos: Espárrago de diodo. | ||||||||||||||||||||||||||
| 72 | – | Tipo de caso. | ||||||||||||||||||||||||||
| F | – | 2: Diodo de Recuperación Rápida (para polaridad estándar en stud: cátodo a base); 3: Diodo de Recuperación Rápida (para polaridad inversa en stud: ánodo a base); S: Diodo Snubber GTO (para polaridad estándar en stud: cátodo a base); R: Diodo Snubber GTO (para polaridad inversa en stud: ánodo a base); F: Diodo Free Wheel GTO (para polaridad estándar en stud: cátodo a base); E: Diodo Free Wheel GTO (para polaridad inversa en stud: ánodo a base). |
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| 16 | – | Clase de tensión VRRM / 100. | ||||||||||||||||||||||||||
| 50 | – | Corriente media en estado abierto IF(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||
| CS | – | Tiempo de recuperación inversa:
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| + | – | Diodo versión antigua. |
Dimensiones del diodo de recuperación rápida para GTO R72F-16-50CS y recambio ADD-R72F-16-50CS:
Paquete R72
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15,000 A y voltajes de hasta 9,000 V, así como disipadores de aire y agua para ellos.
Puede comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad, y al realizar pedidos en grandes volúmenes, el precio por unidad será menor. Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a nivel mundial.
Para consultas relacionadas con la adquisición de Tiristores de Potencia, Diodos y Módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio individualizado!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores térmicos para diodos de potencia en formato stud:
Los disipadores térmicos (radiadores) se utilizan para la refrigeración de dispositivos semiconductores de potencia en diseño stud.
Los disipadores están fabricados con perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se usan en diversas condiciones climáticas.
Para más información sobre disipadores térmicos, consulte: "Disipadores térmicos para dispositivos stud con refrigeración por aire".
Recomendaciones de instalación para diodos rectificadores de potencia tipo espárrago:
La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del diodo y el disipador a lo largo de todo el rango de temperatura se garantiza mediante un torque adecuado.
Antes del montaje, se debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar daños mecánicos y limpiar (2) con alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Para mejorar los parámetros de transferencia térmica, se recomienda lubricar (3) con una capa fina de pasta térmica conductora de silicona antes del montaje, aunque no es una condición obligatoria para la instalación.
Después de la instalación, los elementos de fijación (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para diodos de potencia:
Los diodos de potencia no deben operar durante largos períodos en su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad se determina según el grado requerido de confiabilidad del dispositivo.
Reemplaza un diodo de potencia averiado por uno que coincida con los parámetros del diodo que se reemplaza.
Se debe proporcionar una refrigeración adicional cuando se opere en un ambiente con temperatura ambiental elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los diodos de potencia y los disipadores para eliminar polvo y contaminantes y así asegurar una correcta disipación del calor.
Se deben usar divisores de corriente inductivos (a menudo cable toroidal trenzado) para igualar las corrientes entre diodos de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más populares son circuito cerrado, circuito de bobina común o diodo de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso se determina por la sección transversal del cable magnético.
La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los diodos de potencia están conectados en serie se logra utilizando resistencias shunt conectadas en paralelo con cada diodo. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona conectando condensadores en paralelo con cada diodo.
Está estrictamente prohibido tocar los diodos de potencia bajo alta tensión durante su funcionamiento.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
