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Pavlo GorkunDiodo de recuperación rápida R52-100-06 Recambio Kubara Lamina
| Número de pieza de Kubara Lamina | R52-100-06 |
| Corriente de avance media, IF(AV)M (TC) | 100А (75ºC) |
| Tensión, VRRM | 600V |
| Paquete Rosca de espárrago |
5 M12x1.25 |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ADR52-100-06 |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Diodo de Recuperación Rápida ADR52-100-06 AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al diodo de recuperación rápida R52-100-06 de Kubara Lamina. Corriente directa promedio IFAV – 100 amperios, tensión inversa repetitiva máxima VRRM – 600V.
Características de los Diodos de Recuperación Rápida: optimizados para frecuencia de línea; alta capacidad de sobrecarga; baja carga de recuperación; corto tiempo de recuperación inversa; alta velocidad de conmutación; alta tensión inversa y gran capacidad de manejo de corriente. La peculiaridad de estos diodos es su recuperación rápida (corto tiempo de recuperación inversa trr y baja carga de recuperación) y su uso en frecuencias elevadas. Los diodos poseen alta capacidad de conducción de corriente a altas frecuencias. Sus principales aplicaciones son en convertidores DC-DC e inversores, calefacción por inducción, rectificadores de alta frecuencia y fuentes de alimentación conmutadas. También están disponibles disipadores de aire y agua para la refrigeración de los diodos bajo pedido.
"Disipadores de calor refrigerados por aire serie O para dispositivos de perno" También están disponibles bajo pedido para refrigeración por tiristores.
Los Diodos Rectificadores AS ENERGITM presentan las siguientes características: encapsulado estándar industrial; bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VRRM/VRSM, amplia experiencia de uso en diversas industrias, rango de tensiones de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 7500 A, alta resistencia al estrés térmico y eléctrico.
Las especificaciones técnicas y parámetros de los modelos R52-100-06 y su reemplazo ADR52-100-06, hoja de datos PDF, dibujo de dimensiones y medidas se presentan a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad de 2 años a partir de la fecha de compra para los diodos de recuperación rápida. En caso necesario, junto con los diodos suministramos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los diodos de recuperación rápida depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del Diodo de Recuperación Rápida Kubara Lamina y Recambio:
| Especificaciones del diodo | R52-100-06 | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IF(AV)M (TC) | 100 A (75ºC) |
| Tensión de bloqueo inversa de pico repetitivo máx. | VRRM | 600 V |
| Corriente de pico de sobretensión | IFSM | 2.2 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 24 kA2·s |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 1.9 mΩ |
| Pico de tensión en estado encendido | VFM | 1.9 V |
| Corriente de pico en estado activado | IFM | 314 A |
| Tiempo de recuperación inversa | trr | 1.0 - 2.0 µs |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.25 °C/W |
| Resistencia térmica, carcasa a disipador | Rth(CS) | 0.12 °C/W |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj | -40...+125 ºC |
| Par de montaje | Md | 14.0-17.0 Nm |
| Peso | W | 125 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | 5 |
| Rosca de espárrago | Ød | M12x1.25 |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ADR52-100-06 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para el diodo de recuperación rápida ADR52-100-06:
| A | – | DR | 5 | 2 | – | 100 | – | 06 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| DR | – | Grupo de productos: Diodo de recuperación rápida (Diodo de conmutación rápida). |
| 5 | – | Código de tamaño del elemento. |
| 2 | – | Código del tipo de carcasa: 1 – base tipo stud, encapsulado cerámico 2 – base tipo stud, encapsulado vidrio-metal 3,5 – cerámico, carcasa tipo hockey puk 4 – base plana, encapsulado cerámico 6 – base plana, encapsulado vidrio-metal |
| 100 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. |
| 06 | – | Clase de tensión VRRM / 100. |
Dimensiones del diodo de recuperación rápida R52-100-06 y del repuesto ADR52-100-06:
Paquete 5
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y tensiones de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puedes adquirir dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al pedir grandes lotes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos y módulos, envía una solicitud por correo electrónico a:
Y te proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para diodos de potencia:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para enfriar dispositivos semiconductores de potencia en el diseño de pernos.
Los disipadores de calor de los refrigeradores están hechos de perfiles de radiador de aluminio y no requieren una capa protectora adicional cuando se utilizan en diversas condiciones climáticas.
Para obtener más información sobre los disipadores de calor, consulte: "Disipadores de calor refrigerados por aire para dispositivos de perno".
Recomendaciones de instalación para tiristores de montaje en perno de potencia:
La fiabilidad de la transferencia de calor y del contacto eléctrico entre las superficies de contacto del tiristor y el enfriador en todo el rango de temperaturas está garantizada por un par adecuado.
Antes del montaje se debe realizar inspección visual (1) superficies de contacto por daños mecánicos y limpiar (2), empapado con alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor se recomienda para lubricar (3)una fina capa de pasta conductora térmica de silicona antes del montaje, lo cual no es una condición obligatoria para la instalación.
Después de la instalación, los sujetadores (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:
Los tiristores de potencia no deben operarse durante largos periodos a su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad se determina por el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.
Reemplace un tiristor de potencia averiado por uno que coincida con los parámetros del que se va a reemplazar.
Se debe proporcionar sobreenfriamiento cuando se opera en un entorno con una temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y los enfriadores para eliminar el polvo y los contaminantes para garantizar una disipación adecuada del calor.
Los divisores de corriente inductivos (a menudo de cable toroidal trenzado) deben utilizarse para igualar las corrientes entre tiristores de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más comunes son circuito cerrado, circuito de bobina común o tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del cable magnético.
La prevención del desequilibrio de tensión cuando los tiristores de potencia se conectan en serie se logra mediante el uso de resistencias shunt conectadas en paralelo con cada tiristor. La ecualización de tensión en condiciones transitorias se logra conectando condensadores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar tiristores de potencia bajo alto voltaje durante el funcionamiento.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
