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Pavlo GorkunDiodo Disco de recuperación rápida R9G2-12-14AJ + Recambio Powerex
| Número de pieza Powerex | R9G2-12-14AJ + |
| Corriente media hacia delante, IF(AV)M (TC) | 1400A (80ºC) |
| Tensión, VRRM | 1200V |
| Paquete imensiones |
R9G 73.5x47x27.4 |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ADD-R9G2-12-14AJ + |
| Añadir a la cesta | a petición
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Diodo de Recuperación Rápida ADD-R9G2-12-14AJ + AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al diodo de recuperación rápida R9G2-12-14AJ + de Powerex. Corriente directa media IFAV – 1400 amperios, tensión de pico repetitiva inversa VRRM – 1200V.
Características de los diodos de recuperación rápida: optimizados para frecuencia de línea; alta capacidad de sobrecarga; baja carga de recuperación; corto tiempo de recuperación inversa; alta velocidad de conmutación; alta tensión inversa y alta capacidad de manejo de corriente. La particularidad de estos diodos es su rápida recuperación (corto tiempo de recuperación inversa trr y baja carga de recuperación) y su uso en frecuencias elevadas. Los diodos tienen una alta capacidad de conducción de corriente a altas frecuencias. Sus principales aplicaciones son: convertidores DC-DC e inversores, calentamiento por inducción, rectificadores de alta frecuencia, fuentes de alimentación conmutadas. También están disponibles para pedido disipadores de calor por aire y agua para la refrigeración de diodos.
"Disipadores de calor refrigerados por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de aire serie SF", "Disipador de calor de agua serie SS" También están disponibles bajo pedido para refrigeración por tiristores.
Los diodos rectificadores AS ENERGITM tienen las siguientes características: encapsulado estándar industrial; bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VRRM/VRSM, amplia experiencia en el uso de estos dispositivos en diversas industrias, rango de tensiones de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 7500 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos.
Las especificaciones técnicas y parámetros del R9G2-12-14AJ + y su equivalente ADD-R9G2-12-14AJ +, PDF de hoja técnica, dibujo de dimensiones y esquema de conexión están listados a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los diodos de recuperación rápida de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar los diodos, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los diodos de recuperación rápida depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del diodo de recuperación rápida Powerex y sustitución:
| Especificaciones del diodo | R9G2-12-14AJ + | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IF(AV)M (TC) | 1400 A (80ºC) |
| Tensión de bloqueo inversa de pico repetitivo máx. | VRRM | 1200 V |
| Corrientes inversas pico repetitivas, máx. | IRRM | 100 mA |
| Pico de sobretensión de corriente de avance | IFSM | 25 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 2590 kA2·s |
| Tensión de umbral | VF(T0) | - |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | - |
| Corriente de pico en estado activado | IFM | 1500 A |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | di/dt | 25 A/µs |
| Tiempo de recuperación inversa | trr | 5 µs |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.023 °C/W °C/W |
| Temperatura | Tj | - 40 to 150 ºC |
| Fuerza de sujeción | Fm | 22.7 to 27 kN |
| Paquete (carcasa) | tipo | R9G |
| imensiones | Ød | 73.5x47x27.4 |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ADD-R9G2-12-14AJ + |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para el diodo de recuperación rápida ADD-R9G2-12-14AJ +:
| A | DS | – | R9G | 2 | 12 | – | 14 | AJ | + |
| A | – |  AS ENERGITM |
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| DS | – | Grupo de productos: Espárrago de diodo. | ||||||||||||||||||||||||||
| R9G | – | Tipo de caso. | ||||||||||||||||||||||||||
| 2 | – | 2: 2: Diodo de recuperación rápida (para cápsula roscada con polaridad estándar: cátodo a la base); 3: Diodo de recuperación rápida (para cápsula roscada con polaridad inversa: ánodo a la base); S: Diodo Snubber GTO (para cápsula roscada con polaridad estándar: cátodo a la base); R: Diodo Snubber GTO (para cápsula roscada con polaridad inversa: ánodo a la base); F: Diodo de rueda libre GTO (para cápsula roscada con polaridad estándar: cátodo a la base); E: Diodo de rueda libre GTO (para cápsula roscada con polaridad inversa: ánodo a la base). |
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| 12 | – | Clase de tensión VRRM / 100. | ||||||||||||||||||||||||||
| 14 | – | Corriente media en estado abierto IF(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||
| AJ | – | Tiempo de recuperación inversa:
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| + | – | Diodo de versión antigua. |
Dimensiones del diodo de recuperación rápida R9G2-12-14AJ + y del recambio ADD-R9G2-12-14AJ +:
Paquete R9G
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puedes adquirir dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al pedir grandes lotes, el precio será más bajo. Nos hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos y módulos, envía una solicitud por correo electrónico a:
Y te proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofreceremos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para diodos de potencia en encapsulado stud:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de dispositivos semiconductores de potencia en diseño stud.
Los disipadores están fabricados con perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se usan en diversas condiciones climáticas.
Para más información sobre disipadores, consulta: "Disipadores refrigerados por aire para dispositivos stud".
Recomendaciones de instalación para diodos rectificadores de potencia de tipo espárrago:
La fiabilidad de la transferencia de calor y del contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del diodo y el disipador, en todo el rango de temperatura, está asegurada por un par de apriete adecuado.
Antes del montaje, se debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar daños mecánicos y limpiar (2) con alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda lubricar (3) con una fina capa de pasta térmica conductora de silicona antes del montaje, aunque no es una condición obligatoria para la instalación.
Después de la instalación, los elementos de sujeción (tuercas y arandelas) deben protegerse adicionalmente contra la corrosión.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
