Diodo de recuperación Normal VS-1N3883, tipo espárrago, recambio Vishay
| Número de pieza Vishay | VS-1N3883 |
| Corriente de avance media, IF(AV)M (TC) | 6A (100ºC) |
| Tensión, VRRM | 400 V |
| Rosca de espárrago | 10/32" UNF-2A |
| Ficha de datos | |
| Sustitución AS ENERGITM | ASDS1N3883 |
| Añadir a la cesta | a petición |
Diodo de Recuperación Normal ASDS1N3883 AS ENERGITM en diseño de espárrago, es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para el diodo de recuperación normal VS-1N3883 de Vishay Semiconductors.
Corriente media directa IFAV – 6 amperios, voltaje máximo repetitivo inverso VRRM – 400V. "Disipadores refrigerados por aire serie O para dispositivos de espárrago" para la refrigeración del diodo también están disponibles para pedido.
Se utilizan disipadores de aire y agua para enfriar los diodos. Para asegurar un contacto térmico y eléctrico fiable con el disipador, debe respetarse el par de apriete Md durante el montaje. Para mejorar la disipación de calor del diodo durante el montaje, se utiliza pasta conductora de calor (esto es una recomendación y no un requisito obligatorio para la instalación).
Características: optimizado para frecuencia de línea; bajas pérdidas en estado encendido; bajo tiempo de recuperación inversa; alta velocidad de conmutación; alto voltaje inverso y alta capacidad de manejo de corriente.
Los diodos de recuperación normal convierten corrientes CC y CA de hasta 200A en circuitos con voltajes hasta 2500V. Sus aplicaciones principales son para convertidores DC-DC e inversores, rectificadores de alta frecuencia, fuentes de alimentación conmutadas.
La particularidad de estos diodos es su normal recuperación (corto tiempo de recuperación inversa trr y pequeña carga de recuperación) y su aplicación en altas frecuencias. Los diodos tienen una alta capacidad de corriente a altas frecuencias.
Los diodos de recuperación normal AS ENERGITM tienen las siguientes características: encapsulado estándar industrial; bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VRRM/VRSM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes desde 100 hasta 9000 V y amperajes de 10 a 15000 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos.
Las especificaciones técnicas y parámetros del VS-SD203N04S10PV y su reemplazo ASDS203N04S10PV, hoja de datos PDF, dibujo esquemático y dimensiones se detallan a continuación.
Nuestra empresa ofrece garantía de calidad para los diodos por 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar los diodos, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los diodos de recuperación estándar en diseño de montantes depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del diodo de recuperación normal (tipo espárrago) Vishay y sustitución:
| Especificaciones del diodo | VS-1N3883 | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IF(AV)M (TC) | 6 A (6ºC) |
| Tensión de bloqueo inversa de pico repetitivo máx. | VRRM | 400 V |
| Pico de sobretensión de corriente de avance | IFSM | 72 A |
| Tiempo de recuperación inversa | trr | 150 μs |
| Factor de seguridad | I2t | 26 A2·s |
| Tensión de umbral | VF(T0) | - |
| Resistencia a la inclinación hacia delante | rT | - |
| Caída máxima de tensión directa | VFM | 1.4 V |
| Temperatura máxima de funcionamiento de la unión | Tj | -65 to +150 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 2.5 °C/W |
| Par de montaje, roscas no lubricadas | N · m ± 10 % | 1.5 Nm |
| Peso | W | 7 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | DO-4 (DO-203AA) |
| Rosca de espárrago | Ød | 10/32" UNF-2A |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASDS1N3883 |
| Ficha de datos | ||
Guía de numeración de piezas para diodos de recuperación Normal :
| AS | DS | 1 | N | 3883 |
| AS | – | |
| DS | – | Grupo de productos: Diodo Stud. |
| 1 | – | Número de pieza esencial. |
| N | – | Diodo de recuperación normal. |
| 3883 | – | Código del dispositivo. |
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
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Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para diodos de potencia con espárrago:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de dispositivos semiconductores de potencia con diseño de espárrago.
Los disipadores de los enfriadores están fabricados con perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se usan en diversas condiciones climáticas.
Para más información sobre disipadores: "Disipadores refrigerados por aire para dispositivos con espárrago".
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Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
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Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
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Productos destacados:

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