Tiristor de conmutación rápida F75-700-04 Kubara Lamina de repuesto

Número de pieza de Kubara Lamina F75-700-04
Corriente media en estado activado, IT(AV) (TC) 700A (70ºC)
Tensión, VDRM/VRRM 400V
Tiempo de apagado tq 20 µs
Paquete
Dimensiones
13
42x25x15
Ficha de datos
Sustitución AS ENERGITM A-TDF75-700-04
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Tiristor de Conmutación Rápida A-TDF75-700-04 AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para el tiristor de conmutación rápida (tiristor de apagado rápido) F75-700-04 Kubara Lamina.

Corriente media en estado conductor ITAV700A, voltaje repetitivo pico directo/inverso VDRM/VRRM400V, tiempo de apagado tq20 µs.

Características: Los tiristores de conmutación rápida garantizan bajas pérdidas de conmutación y alto rendimiento de di/dt. Son adecuados para inversores existentes, controladores DC chopper, UPS y aplicaciones de potencia pulsada.

Los tiristores de conmutación rápida (tiristores tipo cápsula de apagado rápido) están disponibles en rangos desde 400V hasta 2200V, corrientes desde 63A hasta 700A y tiempos de apagado tq desde 12.5 μs hasta 40 μs.

"Disipadores de calor refrigerados por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de aire serie SF", "Disipador de calor de agua serie SS" También están disponibles bajo pedido para refrigeración por tiristores.

Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de estos dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y corrientes de 10 a 15000 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos, refrigeración natural o forzada por aire.

Las especificaciones técnicas y parámetros de F75-700-04 y su reemplazo A-TDF75-700-04, hoja de datos PDF, dibujo de contorno y dimensiones se detallan a continuación.

Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar los tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.

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El precio final de los tiristores de conmutación rápida depende de la clase de voltaje, cantidad, términos de entrega, fabricante, país de origen y forma de pago.

Especificaciones generales del tiristor de conmutación rápida Kubara Lamina y sustitución:

Especificaciones del tiristor F75-700-04
Corriente media en estado encendido (temperatura de la carcasa) IT(AV) (TC) 700 A (70ºC)
Pico repetitivo de tensión fuera de estado; pico repetitivo de tensión inversa VDRM/VRRM 400 V
Sobrecorriente de estado activado ITSM 8.5 kA
Factor de seguridad I2t 361 kA2·s
Tiempo de apagado tq 20 µs
Tensión de umbral VT0 -
Resistencia en pendiente en estado rT -
Pico de tensión en estado encendido VTM 1.7 V
Corriente de pico en estado activado ITM 1500 A
Corriente de puerta para disparar IGT 150 mA
Tensión de puerta para disparar VGT 3 V
Tasa de aumento de la corriente en estado repetitivo di/dt 200 A/µs
Tasa crítica de aumento de la tensión fuera de estado dv/dt 320 V/µs
Temperatura de la unión p-n Tvj -40...+125 ºC
Resistencia térmica, unión a disipador térmico RthJC 0.04 °C/W
Resistencia térmica, unión a disipador térmico RthCR 0.02 °C/W
Fuerza de sujeción Fm 9.0-11.0 kN
Peso W 85 g
Paquete (carcasa) tipo 13
Dimensiones ØDxØdxH 42x25x15
Sustitución AS ENERGITM tipo A-TDF75-700-04
Ficha de datos PDF

Guía de numeración de piezas del tiristor de conmutación rápida A-TDF75-700-04:

A TDF 7 5 700 04
A brand AS ENERGITM
TDF Grupo de productos: Tiristor de conmutación rápida.
7 Código de tamaño del elemento.
5 Código del tipo de encapsulado:
1 – base roscada, encapsulado cerámico
2 – base roscada, encapsulado vidrio-metal
3,5 – encapsulado tipo hockey puck, cerámico
4 – base plana, encapsulado cerámico
6 – base plana, encapsulado vidrio-metal
700 Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp.
04 Clase de tensión VRRM / 100.

Dimensiones del tiristor de conmutación rápida F75-700-04 y del recambio A-TDF75-700-04:

F75-700-04 dimensiones

Paquete 13


Semiconductores de Potencia AS ENERGITM

Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y tensiones de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puedes adquirir dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al solicitar grandes lotes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.

Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos o módulos, envía una solicitud por correo electrónico a:

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Y te enviaremos una oferta comercial para el suministro.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio individual!

Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.


Galería de fotos

La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.


Recomendaciones de instalación de tiristores de potencia:

Montaje de un tiristor de disco con un disipador de calor

La fiabilidad de la transferencia de calor y del contacto eléctrico entre las superficies de contacto del tiristor y el enfriador en todo el rango de temperaturas está garantizada por par apropiado (fuerza de sujeción).

Antes del montaje se debe realizar inspección visual (1) superficies de contacto por daños mecánicos y limpiar (2), empapado con alcohol (tolueno, gasolina, acetona).

Después de la inspección, arreglar los contactos actuales (dirige), instalar un pin Para fijar la alineación de la estructura.

Para mejorar los parámetros de transferencia de calor se recomienda para lubricar (3) una fina capa de pasta conductora térmica de silicona antes del montaje, lo cual no es una condición obligatoria para la instalación.

Instalar el tiristor (3), la segunda parte del enfriador, el aislante de fibra de vidrio y el arandela de empuje.

Para enhebrar la travesía (4) y Apriete las tuercas uniformemente. Cerciorarse sin desalineación y igualdad de las superficies de contacto.

Cuando las piezas estén suficientemente sujetas pero sean móviles, recomendamos colocar el enfriador sobre una superficie plana y comprobando la tolerancia al paralelismo del plano adyacente general de las superficies (5).

Sujete cada tuerca Sucesivamente (aproximadamente un cuarto de vuelta) hasta la parada (6). La magnitud de la desviación del travesaño determina si la fuerza de sujeción alcanzada corresponde a la requerida.

Después de la instalación, los sujetadores (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra corrosión.


Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:

Los tiristores de potencia no deben funcionar durante largos periodos de tiempo a su carga límite Para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad se determina por el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.

Reemplace un tiristor de potencia averiado por uno que coincida con los parámetros del que se va a reemplazar.

Se debe proporcionar sobreenfriamiento cuando se opera en un entorno con una temperatura ambiente elevada.

Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y los enfriadores para eliminar el polvo y los contaminantes para garantizar una disipación adecuada del calor.

Los divisores de corriente inductivos (a menudo de cable toroidal trenzado) deben utilizarse para igualar las corrientes entre tiristores de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más comunes son circuito cerrado, circuito de bobina común o tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del cable magnético.

La prevención del desequilibrio de tensión cuando los tiristores de potencia se conectan en serie se logra mediante el uso de resistencias shunt conectadas en paralelo con cada tiristor. La ecualización de tensión en condiciones transitorias se logra conectando condensadores en paralelo a cada tiristor.

Device under voltage

Está estrictamente prohibido tocar tiristores de potencia bajo alto voltaje durante el funcionamiento.


icon ¿Por qué elegir AS ENERGITM?

  • Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
  • Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
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  • 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
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Garantía de calidad

Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.

Certificados

Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.

Informe de la prueba

Geografía de la asociación

AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.

Geografía

Logística y entrega

Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.

Logistics

AS ENERGITM Fabricación de semiconductores

Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.

Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.


Productos destacados:

 

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