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Pavlo GorkunDiodo de recuperación rápida de alto rendimiento DSEP2X31-12A Recambio IXYS
| Número de pieza IXYS | DSEP2X31-12A |
| Corriente de avance media, IF(AV)M | 2x30 A |
| Tensión, VRRM | 1200 V |
| Paquete Dimensiones LxBxH |
SOT-227B (minibloc) 38x25x12 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | AMDSEP2X31-12A |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Diodo de recuperación rápida de alto rendimiento (HiPerFRED) AMDSEP2X31-12A AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al diodo de recuperación rápida de alto rendimiento DSEP2X31-12A de IXYS.
Corriente directa media IFAV – 2x30 amperios, tensión máxima repetitiva en inversa VRRM – 1200V.
Características: chips pasivados planos; corriente de fuga muy baja; tiempo de recuperación muy corto; mejor comportamiento térmico; valores muy bajos de Irm; comportamiento de recuperación muy suave; tensión de avalancha clasificada para operación fiable; recuperación inversa suave para baja EMI/RFI.
"Disipadores de calor por aire serie O para dispositivos en cápsula", "Disipadores de calor por aire serie SF", "Disipadores de calor por agua serie SS" para la refrigeración de tiristores y diodos también están disponibles por encargo.
Los diodos rectificadores AS ENERGITM tienen las siguientes características: encapsulado estándar de la industria; bajas pérdidas estáticas y dinámicas; altos valores de VRRM/VRSM; amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias; rango de tensiones de 100 a 9000 V y de corrientes de 10 a 15000 A; alta resistencia al estrés térmico y eléctrico cíclico.
Las especificaciones técnicas y parámetros del DSEP2X31-12A y su reemplazo AMDSEP2X31-12A, hoja de datos en PDF, dibujo dimensional y dimensiones están indicadas a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad de 2 años desde la fecha de compra para los diodos de recuperación rápida. Al suministrar los diodos, si es necesario, proporcionamos un pasaporte técnico y un certificado de conformidad.
El precio final de los diodos de recuperación rápida depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del diodo de recuperación rápida de alto rendimiento DSEP2X31-12A IXYS
y del diodo de repuesto AMDSEP2X31-12A:
| Especificaciones del diodo | DSEP2X31-12A | |
| Corriente media de avance máxima admisible | IF(AV)M | 2x30 A |
| Tensión de bloqueo inversa de pico repetitivo máx. | VRRM | 1200 V |
| Corriente de pico de sobretensión | IFSM | 200 A |
| Tensión de umbral | VF0 | 1.31 V |
| Resistencia de la pendiente | rF | 15.4 mΩ |
| Tiempo de recuperación inversa | trr | 60 ns |
| Corriente de recuperación inversa máx. | IRM | 8,5 A |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj max | 150 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | RthJC | 1.15 K/W |
| Resistencia térmica, carcasa a disipador | RthCH | 0.1 K/W |
| Par de montaje | MD | 1,5 Nm |
| Peso | W | 30 g |
| Tipo (esquema) | - | Parallel legs |
| Paquete (carcasa) | tipo | SOT-227B (minibloc) |
| Dimensiones | LxBxH | 38x25x12 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | AMDSEP2X31-12A |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para el diodo de recuperación rápida de alto rendimiento AMDSEP2X31-12A:
| A | MD | SEP | 2X31 | - | 12A |
| A | – |  AS ENERGITM |
| MD | – | Tipo de semiconductor: Diodo modular. |
| SEP | – | Topología de conexión interna. |
| 2X31 | – | 2 diodos de IF(AV) = 31A each. |
| 12 | – | Clase de voltaje VRRM / 100. |
Dimensiones del diodo de recuperación rápida de alto rendimiento DSEP2X31-12A y del repuesto AMDSEP2X31-12A:
Paquete SOT-227B (minibloc)
Semiconductores de Potencia de Alta Capacidad AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y tensiones de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puedes adquirir dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al ordenar grandes lotes, el precio será más bajo. Nos hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos en todo el mundo.
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Y te proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
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- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
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- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
