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Pavlo GorkunMódulo IGBT SKM200GAL126D (150A 1200V) Semikron Recambio
| Número de pieza Semikron | SKM200GAL126D |
| Corriente nominal de colector, ICnom | 150А |
| Tensión colector-emisor, VCES | 1200V |
| Paquete, Dimensiones L×B×H | Paquete 3 106x62x31 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | AMM200GAL126D |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Módulo IGBT AMM200GAL126D AS ENERGITM es un reemplazo, análogo, alternativa y equivalente al módulo IGBT SKM200GAL126D SEMIKRON (paquete SEMITRANS). Corriente nominal del colector ICnom – 150 amperios, corriente continua del colector IC – 260 amperios, voltaje colector-emisor VCES – 1200V. Interruptores – Interruptor único.
Los módulos IGBT están alojados en una carcasa industrial estándar, lo que facilita su integración en equipos existentes.
Los módulos IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) se utilizan como elementos de conmutación en los convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, inversores de CA, SAI, soldadores electrónicos, choppers de freno, fuentes de alimentación ininterrumpidas, entre otros. Las topologías disponibles incluyen half bridge, single switch, sixpack, 3-level y muchas más, cubriendo todos los campos de aplicación.
El módulo de potencia IGBT se está convirtiendo en el dispositivo preferido para aplicaciones de alta potencia debido a su capacidad para mejorar el rendimiento de conmutación, temperatura, peso y costo.
Las especificaciones técnicas del módulo IGBT SKM200GAL126D y AMM200GAL126D, hoja de datos en PDF, topología de conexión interna, diagrama de contorno y dimensiones se enumeran a continuación.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los módulos IGBT de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar módulos IGBT, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos IGBT depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del módulo IGBT SKM200GAL126D Semikron y sustitución:
| Especificaciones del módulo IGBT | SKM200GAL126D | |
| IGBT | ||
| Corriente nominal de colector | ICnom | 150 A |
| Corriente continua del colector (temperatura de la carcasa) | IC | 260 A (25ºC) |
| Tensión colector-emisor | VCES | 1200 V |
| Tensión de saturación colector-emisor (Tj = 25ºC typ.) | VCE(sat) | 1.71 V |
| Disipación de energía durante el encendido | Eon | 18 mJ |
| Disipación de energía durante la desconexión | Eoff | 24 mJ |
| Diodo | ||
| Corriente continua de CC (temperatura ambiente) | IF | 200 A (25ºC) |
| Tensión directa (Tj = 25ºC typ.) | VF | 1.60 V |
| Disipación de energía durante la recuperación inversa (diodo) | Err | 18 mJ |
| Módulo | ||
| Topología del circuito | - | |
| Interruptores | - | Interruptor único |
| Peso | W | 0.325 kg |
| Plano, embalaje, dimensiones, mm | L×B×H | Paquete 3 106x62x31 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | AMM200GAL126D |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para módulos IGBT:
| A | M | M | 200 | GAL | 12 | 6D |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Grupo de productos: Módulo. |
| M | – | Tipo de semiconductor: Módulo IGBT. |
| 200 | – | Corriente nominal de colector ICnom, Amp. |
| GAL | – | Topología de la conexión interna. |
| 12 | – | Clase de tensión colector-emisor VCES / 100. |
| 6D | – | Características, por ejemplo, característica del chip IGBT, número de referencia interno. |
Dimensiones del módulo IGBT SKM200GAL126D y recambio AMM200GAL126D:
Paquete 3
Diagrama de circuito del módulo IGBT SKM200GAL126D y del repuesto AMM200GAL126D:
Topología GAL
Semiconductores de Alta Potencia de AS ENERGI
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Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
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Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
