Tiristor de compuerta distribuida R1279NS25J (D391SH25) Westcode Sustitución
| Número de pieza Westcode | R1279NS25J |
| Westcode OLD Número de pieza | D391SH25 |
| Corriente media en estado activado, IT(AV)M (TC) | 1279A (55ºC) |
| Tensión, VDRM | 2500 V |
| Tiempo de apagado tq | 50 µs |
| Paquete Dimensiones ØDxØdxH |
Paquete W11a 74x47x28 mm |
| Ficha de datos | |
| Replacement AS ENERGITM | ATDR1279NS25J |
| Añadir a la cesta | a petición |
Tiristor de puerta distribuida ATDR1279NS25J AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al tiristor de puerta distribuida R1279NS25J UK Westcode, Littelfuse, Número de Parte Antiguo D391SH25 Westcode.
Corriente promedio en estado activo ITAV – 1279A, voltaje máximo de pico en directo VDRM – 2500V, tiempo de apagado tq – 20 µs.
Características: El diseño de puerta distribuida y las características de control de vida útil brindan a estos dispositivos una alta capacidad di/dt y un apagado rápido y de baja recuperación, manteniendo una caída de voltaje en estado activo baja.
Los tiristores de puerta distribuida están disponibles con voltajes de bloqueo hasta 4.5kV y corrientes promedio superiores a 5.3kA, con calificaciones de tq desde 10µs.
Los tiristores de puerta distribuida son adecuados para fuentes de alimentación por inducción, inversores / convertidores de alta frecuencia, UPS y energía de pulso.
"Disipadores de calor con aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de calor de aire serie SF", "Disipador de calor de agua serie SS" para el enfriamiento de tiristores también están disponibles a pedido.
Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y amperajes de 10 a 15000 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos, enfriamiento por aire natural o forzado.
Las especificaciones técnicas y los parámetros de R1279NS25J, D391SH25 y el reemplazo ATDR1279NS25J, el PDF de la hoja de datos, el dibujo de contorno y las dimensiones están listados a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos el pasaporte técnico y el certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores de puerta distribuida depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del tiristor de puerta distribuida WESTCODE y sustitutos:
| Especificaciones de los tiristores | R1279NS25J (D391SH25) |
|
| Corriente media en estado encendido (temperatura de la carcasa) | IT(AV)M (TC) | 1279 A (55ºC) |
| Pico repetitivo de tensión fuera de estado | VDRM | 2500 V |
| Pico repetitivo de tensión inversa | VRRM | 2500 V |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 14800 A |
| Factor de seguridad | I2t | 1.10x106 A2·s |
| Tiempo de apagado | tq | 50 µs |
| Cargo recuperado | Qra | 700 µC |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 1000 A |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | -di/dt | 60 A/µs |
| Tensión de umbral | VT0 | 1.440 V |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 0.330 mΩ |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a disipador térmico | Rth(j-k) | 0.022 K/W |
| Peso | W | 510 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | W11a |
| Dimensiones | ØDxØdxH | 74x47x28 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ATDR1279NS25J |
| Ficha de datos | ||
Guía de numeración de piezas para tiristores de puerta distribuida:
| A | TDR | 1279 | NS | 25 | J |
| A | – | |
| TDR | – | Grupo de productos: Tiristor de puerta distribuida (tipo disco). |
| 1279 | – | Corriente media en estado activado IT(AV), Amp. |
| NS | – | Tipo de carcasa (paquete). |
| 25 | – | Código de tensión fuera de estado VDRM / 100. |
| J | – | Código de tiempo de apagado tq: A = 10 μs, B = 12 μs, C = 15 μs, D = 20 μs, E = 25 μs, F = 30 μs, G = 35 μs, H = 40 μs, J = 50 μs, K = 60 μs, L = 65 μs, M = 70 μs, N = 100 μs, P = 120 μs, R = 140 μs, S = 160 μs, T = 200 μs, V = 250 μs, W = 300 μs. |
Dimensiones del tiristor R1279NS25J (D391SH25) y del recambio ATDR1279NS25J:
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) de los tiristores de disco de potencia:
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Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, diodos de rotor y soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes hasta 9000V, así como disipadores de calor de aire y agua para ellos.
Puedes comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad, y al hacer pedidos de grandes lotes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos a todo el mundo.
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Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de potencia en diseño de disco:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de un solo y doble lado de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de disco.
Los disipadores de calor de los enfriadores están hechos de perfiles de radiadores de aluminio y no requieren recubrimientos protectores adicionales cuando se utilizan en diversas condiciones climáticas.
También están disponibles a pedido disipadores de calor de aire y agua para la refrigeración de tiristores.
Consulte más información sobre los disipadores de calor: "Disipadores de calor refrigerados por aire, serie O para dispositivos de disco", "Disipador de calor SF para aire, serie SF", "Disipador de calor SS para agua, serie SS".
Foto del SCR tiristor de control de fase:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
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Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
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Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:

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