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IT
Pavlo GorkunControl de fase Tiristor T63-250-04 Kubara Lamina Recambio
| Número de pieza de Kubara Lamina | T63-250-04 |
| Corriente media en estado activado, IT(AV)M (TC) | 250A (85ºC) |
| Tensión, VDRM/VRRM | 400V |
| Paquete Dimensiones ØDxØdxH |
A-puk (TO-200AB) 42x19x15 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | A-TD63-250-04 |
| Añadir a la cesta | a petición
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Tiristor de control de fase A-TD63-250-04 AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de repuesto, análogo, alternativo y equivalente al tiristor SCR T63-250-04 de Kubara Lamina.
Corriente media directa en estado de conducción ITAV – 250 amperios, tensión máxima repetitiva de bloqueo directa e inversa VDRM/VRRM – 400V. Los tiristores de control de fase están diseñados para convertir y controlar corrientes de CC y CA. También están disponibles para pedido los "Disipadores de calor por aire serie O para dispositivos disco", "Disipador de aire serie SF", "Disipador de agua serie SS" para la refrigeración de tiristores.
Características: carcasa cerámica estándar tipo press-pack; diseñado para aplicaciones industriales de alta potencia y transmisión de energía; optimizado para baja caída de tensión en conducción; disponibles valores emparejados de Qrr y VT para conexiones en serie y/o paralelo. El ánodo y el cátodo del tiristor (polaridad) se determinan por el símbolo en la carcasa.
Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de estos dispositivos en diversas industrias, rango de tensiones de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 15000 A, alta resistencia a los ciclos térmicos y eléctricos, refrigeración por aire natural o forzado.
Las especificaciones y parámetros del T63-250-04 y su reemplazo A-TD63-250-04, hoja de datos en PDF, dimensiones y dibujos se presentan a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad de 2 años a partir de la fecha de compra para los tiristores. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores de disco de control de fase depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del tiristor de control de fase Kubara Lamina y sustitución:
| Especificaciones del tiristor | T63-250-04 | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV)M (TC) | 250 A (85ºC) |
| Tensión de estado cerrado pulsada repetitiva; tensión inversa pulsada repetitiva | VDRM/VRRM | 400 V |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 4000 A |
| Factor de seguridad | I2t | 80 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT0 | 1,15 V |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 1,15 mΩ |
| Pico de tensión en estado encendido | VTM | 1,85 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 625 A |
| Corriente de puerta para disparar | IGT | 150 mA |
| Tensión de puerta para disparar | VGT | 3 V |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 250 µs |
| Tasa de aumento de la corriente en estado repetitivo | di/dt | 100 A/µs |
| Tasa crítica de aumento de la tensión fuera de estado | dv/dt | 200 - 1000 V/µs |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj | -40...+125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0,08 °C/W |
| Resistencia térmica, carcasa a disipador | Rth(CS) | 0,02 °C/W |
| Fuerza de sujeción | Fm ± 10 % | 4.5-6.5 kN |
| Peso | W | 60 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | A-puk (TO-200AB) |
| Dimensions | ØDxØdxH | 42x19x15 mm |
| Replacement AS ENERGITM | tipo | A-TD63-250-04 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas del tiristor de control de fase A-TD63-250-04:
| A | – | TD | 6 | 3 | – | 250 | – | 04 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| TD | – | Grupo de productos: Disco tiristor. |
| 6 | – | Código de tamaño del elemento. |
| 3 | – | Código de tipo de caso: 1 – base de espárragos, carcasa cerámica 2 – base de espárragos, carcasa de cristal-metal 3,5 – cerámica, estuche hockey puk 4 – base plana, carcasa cerámica 6 – base plana, carcasa de vidrio-metal |
| 250 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. |
| 04 | – | Clase de tensión VRRM / 100. |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) de los tiristores de disco de potencia:
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Semiconductores de Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y tensiones de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para estos dispositivos.
Puedes adquirir dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al pedir grandes lotes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos o módulos, envía una solicitud por correo electrónico a:
Y te proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para pedidos grandes, ofrecemos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de potencia en cápsula:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de uno o ambos lados de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de cápsula.
Los disipadores están fabricados con perfiles radiadores de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional para su uso en diversas condiciones climáticas.
También están disponibles por encargo disipadores de calor por aire y por agua para la refrigeración de tiristores.
Consulta más información sobre los disipadores en: "Disipadores de aire serie O para dispositivos en cápsula", "Disipadores de aire serie SF", "Disipadores de agua serie SS".
Foto del SCR tiristor de control de fase:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
