Espárrago Tiristor VS-10RIA120M Vishay Recambio
| Número de pieza Vishay | VS-10RIA120M |
| Corriente media en estado activado, IT(AV)M (TC) | 10A (85ºC) |
| Tensión, VDRM/VRRM | 1200 V |
| Rosca de espárrago | M6 x 1 |
| Ficha de datos | |
| Sustitución AS ENERGITM | ASTS10RIA120M |
| Añadir a la cesta | a petición |
Tiristor de perno ASTS10RIA120M AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para tiristores de perno VS-10RIA120M Vishay Semiconductors.
Corriente media promedio directa ITAV – 10 amperios, voltaje repetitivo máximo de bloqueo directo e inverso VDRM/VRRM – 1200V. Los tiristores de perno están diseñados para convertir y controlar corrientes de CC y CA. También están disponibles para pedido los "Disipadores de aire serie O para dispositivos de perno" para la refrigeración de tiristores.
Se utilizan disipadores de aire y agua para enfriar los tiristores. Para asegurar un contacto térmico y eléctrico fiable con el disipador, se debe respetar el par de apriete Md durante el montaje. Para mejorar la disipación térmica del tiristor durante el montaje, se recomienda usar pasta térmica conductora (esto es una recomendación y no un requisito obligatorio para la instalación).
Características: los tiristores se suministran en diseño de perno. La base del tiristor es el ánodo, el conductor flexible de potencia es el cátodo, el conductor flexible que sale de la base del conductor de potencia es el cátodo auxiliar, el conductor flexible que sale de la carcasa es el electrodo de control (gate). Estos tiristores son conocidos por su capacidad para usarse en partes móviles.
Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y amperajes de 100 a 15000 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos, enfriamiento natural o forzado por aire.
Las especificaciones y parámetros, hoja de datos en PDF, dimensiones y dibujos se listan a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores de 2 años desde la fecha de compra. Si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad al suministrar los tiristores.
El precio final de los tiristores de espárrago depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del tiristor de espárrago VS-10RIA120M Vishay y sustitución:
| Especificaciones del tiristor de espárrago | VS-10RIA120M | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV) (TC) | 10 A (85ºC) |
| Tensión de estado cerrado pulsada repetitiva; tensión inversa pulsada repetitiva | VDRM/VRRM | 1200 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 25 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 225 A |
| Factor de seguridad | I2t | 255 A2·s |
| Tensión de umbral | VT0 | 1.39 V |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 16.7 mΩ |
| Pico de tensión en estado encendido | VTM | 1.75 V |
| Temperatura de la unión p-n | Tj | -65 to +125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 1.85 K/W |
| Peso | W | 14 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | TO-48 (TO-208AA) (TO-208AA) |
| Rosca de espárrago | Ød | M6 x 1 |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASTS10RIA120M |
| Ficha de datos | ||
Guía de numeración de piezas para tiristores de espárrago:
| AS | TS | 10 | RIA | 120 | M |
| AS | – | |
| TS | – | Grupo de productos: Perno de tiristor. |
| 10 | – | Clasificación actual: código = IT(AV). |
| RIA | – | Número de pieza esencial. |
| 120 | – | Código de voltaje x 10 = VRRM. |
| M | – | Ninguno = base de perno TO-48 (TO-208AA) 1/4" 28UNF-2A M = base de perno TO-48 (TO-208AA) M6 x 1. |
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos avalanche, diodos para rotor y soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, además de disipadores de aire y agua para ellos.
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Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Recomendaciones de instalación para tiristores de montaje en espárrago:
La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del tiristor y el disipador, en todo el rango de temperatura, se garantiza mediante un par de apriete adecuado.
Antes del montaje, debe realizarse una inspección visual (1) de las superficies de contacto para detectar daños mecánicos y limpiar (2) con alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda lubricar (3) una capa fina de pasta térmica conductora de silicona antes del montaje, aunque esto no es una condición obligatoria para la instalación.
Después de la instalación, los elementos de fijación (tuercas y arandelas) deben asegurarse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:
No se deben operar los tiristores de potencia durante largos períodos en su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad lo determina el grado requerido de fiabilidad del dispositivo.
Reemplace un tiristor de potencia defectuoso por uno que coincida con los parámetros del que está siendo reemplazado.
Debe proporcionarse una superrefrigeración al operar en un ambiente con temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y los disipadores para eliminar polvo y contaminantes, asegurando así una correcta disipación de calor.
Para igualar las corrientes entre tiristores de potencia conectados en paralelo, deben usarse divisores de corriente inductivos (a menudo alambre toroidal trenzado). Los métodos de conexión más populares son circuito cerrado, circuito de bobina común o tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección transversal del alambre magnético.
La prevención del desequilibrio de voltaje cuando los tiristores de potencia están conectados en serie se logra usando resistencias shunt conectadas en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se consigue conectando condensadores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alta tensión durante la operación.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
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Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
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AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:

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