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IT
Pavlo GorkunTiristor rápido de 2000 amperios, TF273-2000 (1400 – 2400V)
| Corriente media hacia delante, ITAV | 2000A |
| Tensión, VDRM/VRRM | 1400–2400V |
| Código de tensión, VRRM / 100 | 14 – 24 |
| TF273-2000 | a petición
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| Paquete Dimensiones ØD×Ød×H |
PT73 112x75x26 mm |
| Peso | 1200 g |
| Ficha de datos |  |
Tiristor Rápido TF273-2000 AS ENERGITM en diseño de disco es un dispositivo semiconductor de conmutación rápida tipo press pack. Este tiristor rápido está diseñado para convertir y controlar corrientes de CC y CA de hasta 2000A con una frecuencia de hasta 10kHz en circuitos con voltajes de hasta 1400V – 2400V (Clase de voltaje de 14 seguro 24). Dimensiones del tiristor ØDxØdxH – 112x75x26 mm (diámetro exterior del encapsulado X diámetro de la superficie de contacto X altura del encapsulado), peso – 1200 g.
Los tiristores rápidos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor más alto de (diT/dt)cr (hasta 2500 A/µs), diseñados para operar en modos de alta frecuencia (hasta 10kHz). Los tiristores rápidos se caracterizan por un tiempo de desconexión muy bajo que los diferencia de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calentamiento por inducción y fusión, transporte eléctrico, accionamientos de CA, SAI y otros sistemas que requieren tiempos de conexión y desconexión cortos. Los tiristores tienen una carcasa sellada de cerámica estándar de la industria que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de impactos mecánicos y del medio ambiente.
El ánodo y el cátodo del tiristor (polaridad) se determinan por el símbolo en la carcasa. Los tiristores rápidos están en un encapsulado de disco tipo press pack (cápsula, tableta). Este tiristor rápido puede ser un producto alternativo, reemplazo, análogo o equivalente para otros tipos de tiristores rápidos con clasificaciones de 1700A, 1800A, 1900A, 2000 en un encapsulado de disco.
Para la refrigeración durante el funcionamiento de los tiristores de potencia, se montan con disipadores de calor (coolers). Dependiendo de la cantidad de calor generado y de las condiciones de trabajo de los semiconductores, se puede usar refrigeración por flujo de aire natural o forzado.
Durante el ensamblaje, se debe proporcionar la fuerza de sujeción Fm necesaria específica para cada tipo de carcasa de tiristor (indicada en la tabla de parámetros).
Las especificaciones y parámetros, hojas de datos en PDF, pasaporte técnico de muestra, dimensiones, dibujos de esquema (Esquema), diagramas de carcasa para tiristores y disipadores de calor recomendados se enumeran a continuación.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los tiristores rápidos de potencia de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos un pasaporte técnico y un certificado de conformidad.
Clasificaciones de tiristores rápidos: TF273-2000-14 (2000A 1400V), TF273-2000-16 (2000A 1600V), TF273-2000-18 (2000A 1800V), TF273-2000-20 (2000A 2000V), TF273-2000-22 (2000A 2200V), TF273-2000-24 (2000A 2400V)..
El precio final de los tiristores rápidos de disco depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los tiristores rápidos TF273-2000:
| Especificaciones del tiristor rápido | TF273-2000 | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV) (Tcase) | 2000 A (76°C) |
| Pico repetitivo de tensión fuera de estado; Pico repetitivo de tensión inversa | VDRM/VRRM | 1400-2400 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 3140 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 40 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 9300 kA2·s |
| Pico de tensión en estado encendido, máx. | VTM | 2.05 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 6280 A |
| Tensión umbral en estado activado, máx. | VT(TO) | 1.005 V |
| Resistencia en pendiente, máx. | rT | 0.25 mΩ |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 50 µs |
| Pico repetitivo en estado desactivado y pico repetitivo en corriente inversa, máx. | IDRM/IRRM | 300 mA |
| Tasa crítica de aumento de la tensión de estado desactivado, min | (dVD/dt)cr | 500-1000 V/µs |
| Tensión directa de activación de puerta, máx. | VGT | 2.5 V |
| Corriente continua de activación de puerta, máx. | IGT | 250 mA |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | (diT/dt)cr | 1000 A/µs |
| Temperatura de la unión p-n, máx. | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa, máx. | Rth(j-c) | 0.011 ºC/W |
| Fuerza de sujeción | Fm ±10% | 45 kN |
| Peso, aprox. | W | 1200 g |
| Tipo de embalaje, dimensiones | ØDxØdxH | PT73 112x75x26 mm |
| Disipadores recomendados | Disipadores térmicos | O173, O273 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para tiristores rápidos TF273-2000:
| TF | 273 | – | 2000 | – | 24 | – | 9 | 7 | 4 |
| TF | – | Tiristor rápido,  AS ENERGITM |
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| 273 | – | Tipo tiristor (tipo disco). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2000 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24 | – | Clase de tensión VRRM / 100 (Tensión nominal – 2400 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9 | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)cr:
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| 7 | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
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| 4 | – | Parámetro del tiempo de encendido tgt:
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Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) y dimensiones del tiristor rápido de disco TF273-2000:
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Ficha técnica del tiristor rápido TF273-2000:
Descargar hoja de datos en pdf de los tiristores TF273-2000
Pasaporte técnico para tiristores rápidos (muestra):
Cuando suministramos tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos. Puede comprar semiconductores en cualquier volumen, y al solicitar grandes lotes, el precio será más bajo.
Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para preguntas sobre la adquisición de tiristores, diodos y módulos de potencia, envíe una solicitud por correo electrónico a:
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Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de potencia rápidos en diseño de disco:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración unilateral y bilateral de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de disco.
Los disipadores de calor están fabricados con perfiles de aluminio y no requieren un recubrimiento protector adicional cuando se utilizan en diversas condiciones climáticas.
Para más información sobre los disipadores de calor, consulte: "Disipadores de calor por aire serie O para dispositivos en disco", "Disipador de calor por aire serie SF", "Disipador de calor por agua serie SS".
Foto del tiristor rápido SCR:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
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Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
