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IT
Pavlo GorkunTiristor rápido de 125A amperios, TF261-125 (600V-1400 V), tipo espárrago
| Corriente de avance media, ITAV | 125A |
| Tensión, VDRM/VRRM | 600-1400V |
| Código de tensión, VRRM / 100 | 6 - 14 |
| TF261-125 | a petición
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| Paquete Hilo |
ST6 M20x1.5 |
| Peso | 240 g |
| Ficha de datos |  |
Tiristor Rápido TF261-125 AS ENERGITM en diseño tipo stud es un dispositivo semiconductor de conmutación rápida, diseñado para convertir y controlar corrientes de CC y CA de hasta 125A con una frecuencia de hasta 10kHz en circuitos con voltajes de hasta 600V - 1400V (clase de voltaje de 6 a 14). Tipo de encapsulado del tiristor – ST6, rosca estándar de montaje M20x1.5, (a solicitud, rosca UNF 3/4"-16UNF-2A), peso – 240 g.
Los tiristores rápidos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor mayor de (diT/dt)cr (hasta 2500 A/µs) diseñados para operar en modos de alta frecuencia (hasta 10kHz). Los parámetros del tiristor VTM, tq, Qrr están interconectados, por lo que una disminución de los valores de tq y Qrr lleva a un aumento en VTM. Los tiristores rápidos se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo que los distingue de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calefacción y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de CA, UPS y otros sistemas que requieren tiempos cortos de encendido y apagado. Los tiristores tienen una carcasa cerámica sellada estándar de la industria que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de los impactos mecánicos y factores ambientales.
Los tiristores rápidos se suministran en diseño tipo stud. La base del tiristor es el Ánodo, el cable flexible de alimentación es el Cátodo, el cable flexible que sale de la base del cable de alimentación es el cátodo auxiliar, y el cable flexible que sale de la carcasa es el electrodo de control (Gate). Este tiristor puede ser un producto alternativo, reemplazo, análogo o equivalente para otros tipos de tiristores rápidos con clasificaciones de 100A, 110A, 120A, 125 amp en una carcasa tipo stud.
Se utilizan disipadores de calor de aire y agua para enfriar los tiristores. Para proporcionar un contacto térmico y eléctrico confiable con el disipador de calor, se debe observar un par de apriete Md durante el ensamblaje. Para mejorar la disipación de calor del tiristor durante el ensamblaje, se utiliza pasta conductora de calor.
Las especificaciones y parámetros, las hojas de datos en formato PDF, los pasaportes técnicos de muestra, dimensiones, dibujos esquemáticos, diagramas de carcasa para tiristores y disipadores recomendados se enumeran a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores rápidos de potencia de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos un pasaporte técnico y un certificado de conformidad.
Clasificación de los tiristores rápidos tipo stud: TF261-125-6 (100A 600V), TF261-125-7 (100A 700V), TF261-125-8 (100A 800V), TF261-125-9 (100A 900V), TF261-125-10 (100A 1000V), TF261-125-12 (100A 1200V), TF261-125-14 (100A 1400V).
El precio final de los tiristores rápidos stud depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los tiristores rápidos de espárrago TF261-125:
| Especificaciones del tiristor rápido | TF261-125 | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV) (Tcase) | 125 A (88°C) 132 A (85°C) 198 A (55°C) |
| Pico repetitivo de tensión fuera de estado; Pico repetitivo de tensión inversa | VDRM/VRRM | 600-1400 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 196 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 4.5 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 100 kA2·s |
| Pico de tensión en estado encendido, máx. | VTM | 2.30 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 392 A |
| Tensión umbral en estado activado, máx. | VT(TO) | 1.335 V |
| Resistencia en pendiente, máx. | rT | 2.083 mΩ |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 16-32 µs |
| Pico repetitivo en estado desactivado y pico repetitivo en corriente inversa, máx. | IDRM/IRRM | 50 mA |
| Tasa crítica de aumento de la tensión de estado desactivado, min | (dVD/dt)cr | 200-2500 V/µs |
| Tensión directa de activación de puerta, máx. | VGT | 2.5 V |
| Corriente continua de activación de puerta, máx. | IGT | 250 mA |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | (diT/dt)cr | 1000 A/µs |
| Temperatura de la unión p-n, máx. | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa, máx. | Rth(j-c) | 0.150 ºC/W |
| Par de montaje | Md | 20-30 N·m |
| Peso, aprox. | W | 240 g |
| Tipo de envase, Rosca | Esquema | ST6 M20x1.5 |
| Disipadores recomendados | Disipadores térmicos | O171,O271,O371,O471,OM101 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para tiristores rápidos TF261-125:
| TF | 261 | – | 125 | – | 14 | – | 7 | 6 | 3 |
| TF | – | Tiristor rápido,  AS ENERGITM |
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| 261 | – | Tipo tiristor (tipo espárrago). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 125 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 14 | – | Clase de tensión VRRM / 100 (Tensión nominal – 1400 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7 | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)cr:
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| 6 | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
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| 3 | – | Parámetro del tiempo de conexión tgt:
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Todos los números de pieza de TF261-125:
| Série | ITAV, A | VRRM, V |
| TF261-125-6 | 125A | 600V |
| TF261-125-7 | 125A | 700V |
| TF261-125-8 | 125A | 800V |
| TF261-125-9 | 125A | 900V |
| TF261-125-10 | 125A | 1000V |
| TF261-125-12 | 125A | 1200V |
| TF261-125-14 | 125A | 1400V |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) y dimensiones del tiristor rápido TF261-125:
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Pasaporte técnico para tiristores (muestra):
Cuando suministramos tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
Semiconductores de alta potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor de aire y agua para ellos. Puede comprar semiconductores en cualquier volumen, y al realizar pedidos de grandes lotes, el precio será más bajo.
Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para preguntas sobre la adquisición de tiristores, diodos y módulos de potencia, envíe una solicitud por correo electrónico a:
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de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores térmicos para tiristores rápidos de montantes de potencia:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de perno.
Los disipadores de calor de los enfriadores están hechos de perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se usan en diversas condiciones climáticas.
Consulte más información sobre los disipadores de calor: "Disipadores de calor refrigerados por aire para dispositivos con perno".
Foto de tiristores rápidos de espárrago de alta potencia:
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Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
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Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
