DE
IT
Pavlo GorkunTiristor de conmutación rápida 1600 amp, TFI873-1600 (3800–4000V)
| Corriente de avance media, ITAV | 1600A |
| Tensión, VDRM/VRRM | 3800–4000V |
| Código de tensión, VRRM / 100 | 38 – 40 |
| TFI873-1600 | a petición
|
| Paquete Dimensiones ØD×Ød×H |
PT73 112x75x26 mm |
| Peso | 1210 g |
| Ficha de datos |  |
Tiristor de Conmutación Rápida TFI873-1600 AS ENERGITM en diseño de disco es un dispositivo semiconductor de tipo press pack de conmutación rápida (pulso). Este tiristor de potencia de pulso rápido está diseñado para convertir y controlar corrientes DC y AC hasta 1600A con frecuencia de hasta 10 kHz en circuitos con voltajes de hasta 3800V – 4000V (Clase de voltaje de 38 a 40). Dimensiones del tiristor ØDxØdxH – 112x75x26 mm (diámetro de la carcasa exterior X diámetro de la superficie de contacto X altura de la carcasa), peso – 1210 g.
Los tiristores de conmutación rápida son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor más alto de (diT/dt)cr (hasta 2500 A/µs), diseñados para operar en modos de alta frecuencia (hasta 10 kHz). Los tiristores rápidos se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo, lo que los distingue de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calentamiento y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de corriente alterna, UPS y otros sistemas que requieren tiempos de encendido y apagado cortos. Los tiristores tienen una carcasa cerámica sellada estándar de la industria que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de impactos mecánicos y el ambiente.
El ánodo y el cátodo del tiristor (polaridad) están determinados por el símbolo en la carcasa. Los tiristores de conmutación rápida están en una carcasa de disco press pack (cápsula, pastilla). Este tiristor rápido puede ser un producto alternativo, reemplazo, análogo o equivalente para otros tipos de tiristores de conmutación rápida de 1450A, 1500A, 1600 en un paquete de disco.
Para la refrigeración durante la operación de los tiristores de potencia, se montan con disipadores de calor. Dependiendo de la cantidad de calor generado y las condiciones de trabajo de los semiconductores, se puede utilizar refrigeración por flujo de aire natural o refrigeración forzada.
Al ensamblar, se debe proporcionar la fuerza de apriete Fm necesaria específica para cada tipo de carcasa del tiristor (indicada en la tabla de parámetros).
Las especificaciones y parámetros, hojas de datos en PDF, pasaporte técnico de muestra, dimensiones, dibujos de contorno, diagramas de carcasa de tiristores y disipadores recomendados se encuentran a continuación.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los tiristores de conmutación rápida de potencia de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar tiristores de pulso, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
Clasificación de los tiristores de conmutación rápida: TFI873-1600-6 (250A 600V), TFI873-1600-7 (250A 700V), TFI873-1600-8 (250A 800V), TFI873-1600-9 (250A 900V), TFI873-1600-10 (250A 1000V), TFI873-1600-12 (250A 1200V).
El precio final de los tiristores rápidos depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los tiristores de conmutación rápida TFI873-1600:
| Especificaciones del tiristor de conmutación rápida | TFI873-1600 | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV) (Tcase) | 1600A (90°C) 1759A (85°C) |
| Pico repetitivo de tensión fuera de estado; Pico repetitivo de tensión inversa | VDRM/VRRM | 3800-4000 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 2512 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 34 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 5700 kA2·s |
| Pico de tensión en estado encendido, máx. | VTM | 2.70 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 5024 A |
| Tensión umbral en estado activado, máx. | VT(TO) | 1.503 V |
| Resistencia en pendiente, máx. | rT | 0.272 mΩ |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 125 µs |
| Pico repetitivo en estado desactivado y pico repetitivo en corriente inversa, máx. | IDRM/IRRM | 300 mA |
| Tasa crítica de aumento de la tensión de estado desactivado, min | (dVD/dt)cr | 200-2500 V/µs |
| Tensión directa de activación de puerta, máx. | VGT | 3.0 V |
| Corriente continua de activación de puerta, máx. | IGT | 300 mA |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | (diT/dt)cr | 2000 A/µs |
| Temperatura de la unión p-n, máx. | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa, máx. | Rth(j-c) | 0.0085 ºC/W |
| Fuerza de sujeción | Fm ±10% | 45 kN |
| Peso, aproximadamente. | W | 1210 g |
| Tipo de embalaje, dimensiones | ØDxØdxH | PT73 (T.F1) 112x75x26 mm |
| Disipadores de calor recomendados | Disipador de calor | O173, O273 |
| Ficha de datos | |
|
Guía de numeración de piezas para tiristores de conmutación rápida TFI873-1600:
| TFI | 873 | – | 1600 | – | 40 | – | 8 | 4 | 2 |
| TFI | – |  AS ENERGITM Fast Switching Thyristor (Fast Impulse Thyristor) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 873 | – | Tipo tiristor (tipo disco). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1600 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 40 | – | Clase de tensión VRRM / 100 (Tensión nominal – 4000 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8 | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)cr:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4 | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2 | – | Parámetro del tiempo de conexión tgt:
|
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) y dimensiones del tiristor de conmutación rápida de disco TFI873-1600:
|
|
Hoja de datos del tiristor de conmutación rápida TFI873-1600:
Descargar hoja de datos en PDF para tiristores TFI873-1600
Pasaporte técnico para tiristores (muestra):
Cuando suministramos tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
Semiconductores de alta potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, además de disipadores de calor por aire y agua para estos dispositivos. Puede adquirir semiconductores en cualquier volumen, y al solicitar grandes lotes, el precio será más bajo.
Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos y módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, ofrecemos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de potencia de disco:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de un solo y doble lado de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de disco.
Los disipadores de calor de los enfriadores están hechos de perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se usan en diversas condiciones climáticas.
Para más información sobre disipadores de calor: "Disipadores de calor refrigerados por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de aire serie SF", "Disipador de agua serie SS".
Foto del tiristor de conmutación rápida SCR:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
