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IT
Pavlo GorkunTiristor de conmutación rápida 200A amp, TFI271-200 (1000V-1400V), Tipo de espárrago
| Corriente de avance media, ITAV | 200A |
| Tensión, VDRM/VRRM | 1000-1400V |
| Código de tensión, VRRM / 100 | 10 - 14 |
| TFI271-200 | a petición
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| Paquete Hilo |
ST7 M24x1.5 |
| Peso | 440 g |
| Ficha de datos |  |
Thyristor de conmutación rápida TFI271-200 AS ENERGITM en diseño de perno es un dispositivo semiconductor de conmutación rápida, diseñado para convertir y controlar corrientes de CC y CA de hasta 200A con una frecuencia de hasta 10kHz en circuitos con voltajes de hasta 1000V - 1400V (clase de voltaje de 10 a 14). Tipo de paquete del thyristor – ST7, rosca estándar de montaje M24x1.5, (bajo solicitud, rosca UNF 3/4"-16UNF-2A), peso – 440 g.
Los thyristores de conmutación rápida (pulsos) son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor mayor de (diT/dt)cr (hasta 2500 A/µs) diseñados para operar en modos de frecuencias más altas (hasta 10kHz). Los parámetros del thyristor de VTM, tq, Qrr están interconectados, por lo que una disminución en el valor de tq y Qrr conduce a un aumento en VTM. Los thyristores de conmutación rápida se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo que los distingue de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calentamiento y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de corriente alterna (CA), UPS y otros sistemas que requieren tiempos de encendido y apagado cortos. Los thyristores tienen una carcasa sellada cerámica estándar de la industria que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de impactos mecánicos y del entorno.
Los thyristores de conmutación rápida se suministran en diseño de perno. La base del thyristor es el Ánodo, el cable flexible de alimentación es el Cátodo, el cable flexible que sale de la base del cable de alimentación es el cátodo auxiliar, el cable flexible que sale del cuerpo es el electrodo de control (Puerta). Este thyristor puede ser un producto alternativo, reemplazo, análogo, equivalente para otros tipos de thyristores de conmutación rápida de 170A, 180A, 190A, 200 amp en una carcasa de perno.
Se utilizan disipadores de calor de aire y agua para enfriar los thyristores. Para proporcionar un contacto térmico y eléctrico confiable con el disipador de calor, se debe observar un par de apriete Md durante el ensamblaje. Para una mejor disipación de calor del thyristor durante el ensamblaje, se utiliza pasta conductora de calor.
Las especificaciones y parámetros, hojas de datos en PDF, pasaporte técnico de muestra, dimensiones, dibujos de contorno, diagramas de carcasa de los thyristores, disipadores recomendados se enumeran a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los thyristores de conmutación rápida de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar thyristors, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico, certificado de conformidad.
Calificaciones del thyristor de perno rápido: TFI271-200-10 (200A 1000V), TFI271-200-12 (200A 1200V), TFI271-200-14 (200A 1400V).
El precio final de los tiristores de conmutación rápida stud depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los tiristores de conmutación rápida TFI271-200:
| Especificaciones del tiristor de conmutación rápida | TFI271-200 | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV) (Tcase) | 200 A (95°C) 247 A (85°C) 365 A (55°C) |
| Pico repetitivo de tensión fuera de estado; Pico repetitivo de tensión inversa | VDRM/VRRM | 1000-1400 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 314 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 6.5 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 210 kA2·s |
| Pico de tensión en estado encendido, máx. | VTM | 1.96 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 628 A |
| Tensión umbral en estado activado, máx. | VT(TO) | 1.158 V |
| Resistencia en pendiente, máx. | rT | 1.227 mΩ |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 20-40 µs |
| Pico repetitivo en estado desactivado y pico repetitivo en corriente inversa, máx. | IDRM/IRRM | 70 mA |
| Tasa crítica de aumento de la tensión de estado desactivado, min | (dVD/dt)cr | 200-2500 V/µs |
| Tensión directa de activación de puerta, máx. | VGT | 2.5 V |
| Corriente continua de activación de puerta, máx. | IGT | 250 mA |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | (diT/dt)cr | 1600 A/µs |
| Temperatura de la unión p-n, máx. | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa, máx. | Rth(j-c) | 0.085 ºC/W |
| Par de montaje | Md | 25-35 N·m |
| Peso, aprox. | W | 440 g |
| Tipo de envase, Rosca | Esquema | ST7, M24x1.5 mm |
| Disipadores recomendados | Disipadores térmicos | O181,O281,OM105 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para tiristores de conmutación rápida TFI271-200:
| TFI | 271 | – | 200 | – | 14 | – | 9 | 7 | 3 |
| TFI | – | Tiristor de conmutación rápida (tiristor de impulso rápido),  AS ENERGITM |
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| 271 | – | Tipo tiristor (tipo espárrago). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 200 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 14 | – | Clase de tensión VRRM / 100 (Tensión nominal – 1400 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9 | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)cr:
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| 7 | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
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| 3 | – | Parámetro del tiempo de conexión tgt:
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Tous les numéros de pièces de TFI271-200:
| Serie | ITAV, A | VRRM, V |
| TFI271-200-10 | 200A | 1000V |
| TFI271-200-12 | 200A | 1200V |
| TFI271-200-14 | 200A | 1400V |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) y dimensiones del tiristor de conmutación rápida TFI271-200:
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Pasaporte técnico para tiristores (muestra):
Cuando suministramos tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor de aire y agua para ellos. Puede comprar semiconductores en cualquier volumen, y al realizar pedidos de grandes lotes, el precio será más bajo.
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Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de potencia de montaje rápido:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de montaje rápido.
Los disipadores de calor de los enfriadores están hechos de perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se usan en diversas condiciones climáticas.
Consulte más información sobre los disipadores de calor: "Disipadores de calor con enfriamiento por aire para dispositivos de montaje rápido".
Foto de tiristores de conmutación rápida tipo espárrago de alta potencia:
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Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
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Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
