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IT
Pavlo GorkunTiristor de control de fase T830N18TOF Sustitución Infineon
| Número de pieza Infineon | T830N18TOF |
| Corriente media en estado encendido, IT(AV)M (TC) | 844А (85ºC) |
| Tensión, VDRM/VRRM | 1800 V |
| Dimensiones ØDxØdxH | 58x36x14.5 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ATD830N18TOF |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Tiristor de control de fase ATD830N18TOF AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al tiristor SCR T830N18TOF de Infineon Technologies, Eupec.
Corriente promedio en el estado de conducción ITAV – 830 amperios, voltaje repetitivo de bloqueo en avance y retroceso VDRM/VRRM – 1800V. Los tiristores de control de fase están diseñados para convertir y controlar corrientes de CC y CA. Se pueden pedir Enfriadores de agua y Enfriadores de aire para el enfriamiento del tiristor.
Características: carcasa cerámica estándar tipo press pack; diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia y transmisión de energía; optimizados para baja caída de voltaje en el estado de conducción; valores coincidentes de Qrr y VT disponibles para conexiones en serie y/o en paralelo. El ánodo y el cátodo del tiristor (polaridad) se determinan por el símbolo en la carcasa.
Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 15000 A, alta resistencia al ciclo térmico y eléctrico, enfriamiento por aire natural o forzado.
Las especificaciones y parámetros, la hoja de datos en PDF, las dimensiones y los dibujos se enumeran a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos el pasaporte técnico y el certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores de disco de control de fase depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del tiristor de control de fase Infineon y sustitutos:
| Especificaciones de los tiristores | T830N18TOF | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV)M (TC) | 844 A (85ºC) |
| Tensión de estado cerrado pulsada repetitiva; tensión inversa pulsada repetitiva | VDRM/VRRM | 1800 V |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 12500 A |
| Factor de seguridad | I2t | 781 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT0 | 0.85 V |
| On-state slope resistance | rT | 0.3 mΩ |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 38.0 K/kW |
| Fuerza de sujeción | Fm | 9-18 kN |
| Peso | W | 0.16 kg |
| Paquete (carcasa) | tipo | T58.14K0 |
| Dimensiones | ØDxØdxH | 58x36x14.5 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ATD830N18TOF |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para tiristores de control de fase:
| A | TD | 830 | N | 18 | T | O | F |
| A | – |  AS ENERGITM |
| TD | – | Grupo de productos: Disco tiristor. |
| 830 | – | Corriente media en estado encendido IT(AV), Amp. |
| N | – | Dispositivo de control de fase. |
| 18 | – | Clase de tensión VRRM / 100. |
| T | – | Tipo de carcasa (paquete): carcasa de disco. |
| O | – | Tiempo de apagado tq: no garantizado. |
| F | – | dv/dt clase: F: 1000 V/μs H: 2000 V/μs |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) de los tiristores de disco de potencia:
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Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puedes comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad, y al solicitar grandes lotes, el precio será menor. Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos y módulos, envía una solicitud por correo electrónico a:
Y te proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes volúmenes, ofrecemos un precio personalizado!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de disco de potencia:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración unilateral y bilateral de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de disco.
Los disipadores están fabricados con perfiles de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional para su uso en diversas condiciones climáticas.
También están disponibles para pedido disipadores de calor por aire y agua para la refrigeración de tiristores.
Consulta más información sobre los disipadores de calor en: "Disipadores de calor refrigerados por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de calor por aire serie SF", "Disipador de calor por agua serie SS".
Foto del SCR tiristor de control de fase:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
