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IT
Pavlo GorkunTiristor rápido VS-ST303C10LFJ0 Vishay Sustitución
| Número de pieza Vishay | VS-ST303C10LFJ0 |
| Corriente media en estado activado, IT(AV)M (TC) | 515A (55ºC) |
| Tensión, VDRM/VRRM | 1000 V |
| Dimensiones ØDxØdxH | 58x34x27 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ASTD303C10LFJ0 |
| Añadir a la cesta | a petición
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Tiristor rápido ASTD303C10LFJ0 AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al tiristor de grado inversor VS-ST303C10LFJ0 de Vishay Semiconductors.
La corriente promedio de encendido ITAV – 515 amperios, voltaje de bloqueo repetitivo en avance y retroceso VDRM/VRRM – 1000V. Los tiristores de apagado rápido están diseñados para convertir y controlar corrientes de CC y CA. "Disipadores de calor enfriados por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de calor por aire serie SF", "Disipador de calor por agua serie SS" para la refrigeración del tiristor también están disponibles para pedido.
Tiristores discretos rápidos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor mayor de (diT/dt)crit (hasta 2500 A/µs), diseñados para operar a frecuencias más altas. Los tiristores de grado inversor se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo que los distingue de los modelos estándar. Se utilizan en inversores, interruptores, calefacción y fusión por inducción, transporte eléctrico, accionamientos de CA, UPS y otros sistemas que requieren tiempos cortos de encendido y apagado. Los tiristores tienen una carcasa cerámica sellada de estándar industrial que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de los impactos mecánicos y el entorno.
Características: carcasa cerámica estándar de paquete presionado; diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia y transmisión de energía; optimizados para baja caída de voltaje en el estado de encendido; valores coincidentes de Qrr y VT disponibles para conexiones en serie y/o paralelo. El ánodo y el cátodo del tiristor (polaridad) están determinados por el símbolo en el caso.
Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 15000 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos, refrigeración por aire natural o forzada.
Las especificaciones y parámetros, el PDF de la hoja de datos, dimensiones y dibujos se detallan a continuación.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los tiristores de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos un pasaporte técnico y un certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores rápidos de disco depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los tiristores Fast Discrete Vishay y sus sustitutos:
| Especificaciones de los tiristores rápidos | VS-ST303C10LFJ0 | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV)M (TC) | 515 A (55ºC) |
| Tensión de estado cerrado pulsada repetitiva; tensión inversa pulsada repetitiva | VDRM/VRRM | 1000 V |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 7950 A |
| Factor de seguridad | I2t | 316 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT0 | 1.48 V |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 0.56 mΩ |
| Pico de tensión en estado encendido | VTM | 2.16 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 1255 A |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 995 A |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 10-30 µs |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.010 K/W |
| Fuerza de sujeción | Fm ± 10 % | 9.8 kN |
| Peso | W | 250 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | B-PUK (TO-200AC) |
| Dimensiones | ØDxØdxH | 58x34x27 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASTD303C10LFJ0 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para tiristores discretos rápidos:
| AS | TD | 30 | 3 | C | 10 | L | F | J | 0 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
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| TD | – | Grupo de productos: Tiristor de disco discreto. | ||||||||||||||||
| 30 | – | Número de pieza esencial. | ||||||||||||||||
| 3 | – | Tiristor de desconexión rápida. | ||||||||||||||||
| C | – | PUK de cerámica. | ||||||||||||||||
| 10 | – | Clase de tensión VRRM / 100. | ||||||||||||||||
| L | – | Tipo de carcasa (paquete): B-PUK (TO-200AC). | ||||||||||||||||
| F | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)crit:
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| J | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
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| 0 | – | Bornes de conexión rápida (puerta y cátodo auxiliar sin soldar). |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) de los tiristores de disco de potencia:
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Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puede comprar dispositivos semiconductores en cualquier cantidad, y cuando se realicen pedidos en grandes lotes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de Tiristores de Potencia, Diodos, Módulos, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para grandes cantidades, proporcionaremos un precio individual!!!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de disco de potencia:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para el enfriamiento de un solo y doble lado de los dispositivos semiconductores de potencia en diseño de disco.
Los disipadores de calor de los enfriadores están hechos de perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se utilizan en diversas condiciones climáticas.
También están disponibles para pedido disipadores de calor de aire y agua para el enfriamiento de tiristores.
Consulte para más información sobre disipadores de calor: "Disipadores de calor con aire O serie para dispositivos de disco", "Disipador de aire serie SF", "Disipador de agua serie SS".
Foto de un SCR tiristorizado discreto rápido:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
