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Pavlo GorkunTiristor rápido VS-ST083S12PFK0, tipo espárrago, recambio Vishay
| Número de pieza Vishay | VS-ST083S12PFK0 |
| Corriente media en estado activado, IT(AV)M (TC) | 85A (85ºC) |
| Tensión, VDRM/VRRM | 1200 V |
| Rosca de espárrago | 1/2"-20UNF-2A |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ASTS083S12PFK0 |
| Añadir a la cesta | a petición
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Tiristor rápido ASTS083S12PFK0 AS ENERGITM en diseño de espárrago es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para tiristores rápidos tipo espárrago VS-ST083S12PFK0 de Vishay Semiconductors.
Corriente promedio directa en estado encendido ITAV – 85 amperios, voltaje repetitivo pico directo y bloqueo inverso VDRM/VRRM – 1200V. Los tiristores de espárrago están diseñados para convertir y controlar corrientes de CC y CA. "Disipadores aire-aire serie O para dispositivos de espárrago" para enfriamiento de tiristores también están disponibles para ordenar.
Se usan disipadores de aire y agua para enfriar los tiristores. Para asegurar un contacto térmico y eléctrico confiable con el disipador, se debe respetar un par de apriete Md durante el montaje. Para una mejor disipación del calor del tiristor durante el montaje, se recomienda usar pasta térmica conductora (no es un requisito obligatorio para la instalación).
Los tiristores rápidos son dispositivos con valores reducidos de tq, trr, Qrr y con un valor más alto de (diT/dt)crit (hasta 2500 A/µs), diseñados para operar en modos de frecuencias más altas (hasta 10 kHz). Los parámetros del tiristor VTM, tq, Qrr están interrelacionados, por lo que una disminución en los valores de tq y Qrr conduce a un aumento en VTM. Los tiristores rápidos se caracterizan por un tiempo de apagado muy bajo que los diferencia de los modelos estándar. Se utilizan en soldadura, calentamiento por inducción y fusión, transporte eléctrico, accionamientos de CA, UPS y otros sistemas que requieren tiempos cortos de encendido y apagado. Los tiristores tienen una carcasa cerámica sellada estándar industrial que aísla la parte funcional y el elemento semiconductor de impactos mecánicos y del ambiente.
Características: los tiristores se suministran en diseño de espárrago. La base del tiristor es el ánodo, el cable flexible de potencia es el cátodo, el cable flexible que sale de la base del cable de potencia es el cátodo auxiliar, y el cable flexible que sale de la carcasa es el electrodo de control (puerta). Estos tiristores son notables por su capacidad de ser usados en partes móviles.
Los tiristores rápidos AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes desde 100 hasta 9000 V y amperajes desde 10 hasta 15000 A, alta resistencia al ciclo térmico y eléctrico, enfriamiento por aire natural o forzado.
Especificaciones y parámetros, hoja de datos PDF, dimensiones, dibujos se listan a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores rápidos en diseño de montantes depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del tiristor rápido (tipo espárrago) VS-ST083S12PFK0 Vishay y sustitución:
| Especificaciones del tiristor rápido | VS-ST083S12PFK0 | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV) (TC) | 85 A (85ºC) |
| Tensión de estado cerrado pulsada repetitiva; tensión inversa pulsada repetitiva | VDRM/VRRM | 1200 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 135 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 2450 A |
| Factor de seguridad | I2t | 30 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT0 | 1.52 V |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 2.34 mΩ |
| Pico de tensión en estado encendido | VTM | 2.15 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 300 A |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 10-20 µs |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.025 K/W |
| Par de montaje, roscas no lubricadas | Md ± 10 % | 15.5 N |
| Peso | W | 130 g |
| Paquete (carcasa) | tipo | TO-94 (TO-209AC) |
| Rosca de espárrago | Ød | 1/2"-20UNF-2A |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASTS083S12PFK0 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para tiristores rápidos:
| AS | TS | 08 | 3 | S | 12 | P | F | K | 0 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
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| TS | – | Grupo de productos: Perno de tiristor. | ||||||||||||||||
| 08 | – | Número de pieza esencial. | ||||||||||||||||
| 3 | – | Tiristor de apagado rápido | ||||||||||||||||
| S | – | Perno de unión por compresión. | ||||||||||||||||
| 12 | – | Clase de voltaje VRRM / 100. | ||||||||||||||||
| P | – | Base del perno 1/2"-20UNF-2A hijo. | ||||||||||||||||
| F | – | Parámetro de tasa crítica de aumento del voltaje en estado apagado (dVD/dt)crit:
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| K | – | Configuración del tiempo de desactivación tq:
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| 0 | – | Terminales de ojal (cables de compuerta y cátodo auxiliar). |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) de los tiristores rápidos de potencia:
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Semiconductores de Potencia Alta AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de avalancha, de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000 A y voltajes de hasta 9000 V, así como disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Puedes comprar dispositivos semiconductores en cualquier volumen, y al ordenar grandes lotes, el precio será más bajo. Hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de tiristores de potencia, diodos y módulos, envía una solicitud por correo electrónico a:
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¡Para pedidos grandes, ofrecemos un precio individual!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Recomendaciones de instalación para tiristores de montaje en espárrago de potencia:
La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del tiristor y el disipador en todo el rango de temperatura se garantiza mediante un par de apriete adecuado.
Antes del montaje, se debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto en busca de daños mecánicos y limpiarlas (2) con un paño empapado en alcohol (tolueno, gasolina o acetona).
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda aplicar (3) una capa delgada de pasta térmica de silicona antes del montaje, aunque esto no es un requisito obligatorio para la instalación.
Después de la instalación, los elementos de fijación (tuercas y arandelas) deben protegerse adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para tiristores de potencia:
No se debe hacer funcionar los tiristores de potencia durante largos períodos de tiempo en su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad se determina según el grado de fiabilidad requerido del dispositivo.
Un tiristor de potencia averiado debe sustituirse por otro con parámetros equivalentes al original.
Debe proporcionarse una refrigeración adicional cuando se opere en un entorno con temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y los disipadores para eliminar el polvo y los contaminantes, asegurando así una correcta disipación del calor.
Se deben utilizar divisores de corriente inductivos (a menudo alambre toroidal trenzado) para igualar las corrientes entre los tiristores conectados en paralelo. Los métodos de conexión más utilizados son: circuito cerrado, circuito de bobina común o tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso está determinada por la sección del alambre magnético.
Para prevenir el desequilibrio de tensión cuando los tiristores están conectados en serie, se deben usar resistencias de derivación conectadas en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se logra conectando condensadores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alta tensión durante su funcionamiento.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
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Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
