MCD95-08IO1B Módulo de diodo tiristor (116A 800V) Recambio IXYS

IXYS Número de pieza MCD95-08IO1B
Corriente de avance media, IT(AV) 116A
Tensión, VRRM 800V
Paquete
Dimensiones L×B×H
TO-240AA-1B
92x20x30 mm
Ficha de datos Ficha de datos
Sustitución AS ENERGITM ASMCD95-08-IO1B
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Módulo de diodo de tiristor ASMCD95-08-IO1B AS ENERGITM es un reemplazo, análogo, alternativo y para el módulo discreto de semiconductores de tiristor-diodo MCD95-08IO1B de IXYS, también conocido como Littelfuse o Westcode.

La corriente directa promedio ITAV116 amperios, el voltaje máximo repetitivo inverso VRRM800V. Los terminales principales (de potencia) están en la parte superior de la carcasa y están marcados como 1, 2, 3 (ánodo-cátodo común, cátodo, ánodo).

Los módulos de diodo de tiristor se caracterizan por una alta capacidad de ciclado eléctrico y térmico, lo que significa alta fiabilidad y larga vida útil en modos de operación intensivos, baja fuga de corriente y caída de voltaje directa. Los módulos de diodo de tiristor están alojados en una carcasa estándar industrial, lo que facilita la integración del dispositivo en equipos existentes.

Los módulos de diodo de tiristor dual se utilizan en diversos equipos de potencia: unidades de potencia y control, para configuraciones de puente monofásico y trifásico, reguladores de potencia, reguladores de CA, control de motores de CC, arrancadores suaves de motores de CA, convertidores, controladores de hornos de fundición o procesos químicos, equipos de soldadura, para convertidores de CA.

Nuestros módulos se ofrecen en varias topologías de dispositivos duales y simples para casi todas las aplicaciones de control de fase o rectificadores.

Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los módulos de diodo de tiristor de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar módulos de diodo de tiristor dual, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.

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El precio final de los módulos de diodos tiristores depende de la clase, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.

Especificaciones generales del módulo de diodo tiristor MCD95-08IO1B IXYS y sustitución:

Especificaciones del módulo tiristor MCD95-08IO1B
Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) ITAV 116 A
Tensión inversa pulsada repetitiva VRRM 800 V
Corriente de choque ITSM 2250 A
Corriente RMS máxima en estado activado IT(RMS) 180 A
Factor de seguridad I2t 25.3 kA2·s
Tensión de umbral VT(TO) 0.85 V
Corriente RMS IRMS 200 A
Resistencia de la pendiente rT 2.40 mΩ
Tiempo de apagado tq 185 μs
Tensión de activación de la puerta VGT 2.5 V
Corriente de activación de puerta IGT 150 mA
Resistencia térmica, unión a la carcasa Rth(JC) 0.22 K/W
Resistencia térmica de la carcasa al disipador Rth(CH) 0.20 K/W
Diseño (interruptores) - doble componente
Tipo (esquema) - tiristor-diodos
Peso W 81 g
Paquete
Dimensiones, mm
L×B×H TO-240AA-1B
92x20x30 mm
Par de montaje MD 2.5-4 Nm
Sustitución AS ENERGITM tipo ASMCD95-08-IO1B
Ficha de datos PDF Ficha de datos

Guía de numeración de piezas para el módulo de diodo tiristor ASMCD95-08-IO1B:

AS M CD 95 08 I O 1B
AS brand AS ENERGITM
M Grupo de productos: Módulo semiconductor discreto.
CD Topología de circuitos : tiristor-diodo.
95 Corriente media ITAV, A.
08 Código de voltaje x 100 = VRRM.
I Crítica dv/dt 1000 V/μs.
O Tiempo de inactividad típico.
1B Número de pieza de la versión.

Dimensiones del módulo MCD95-08IO1B y del recambio ASMCD95-08-IO1B:

MCD95-08IO1B Dimensiones

TO-240AA-1B


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Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.


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