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Pavlo GorkunMódulo de diodos 60 (60A 1000V) Recambio Vishay
| Número de pieza Vishay | VS-VSKJ56/10 |
| Corriente de avance media, IF(AV) (TC) | 60A (114ºC) |
| Tensión, VRRM | 1000V |
| Paquete, Dimensiones L×B×H | ADD-A-PAK 92x23x30 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ASMDKJ56/10 |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Módulo Pareja de diodo ASMDKJ56/10 AS ENERGITM es un reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al módulo de diodo VS-VSKJ56/10 de Vishay Semiconductors.
Corriente directa media IFAV – 60 amperios, tensión repetitiva máxima en inversa VRRM – 1000V. Módulo diodo-diodo de dos posiciones uno comuna de ánodo circuito de conmutación (ánodo común-ánodo).
Los módulos de diodos se caracterizan por una alta capacidad de ciclo eléctrico y térmico, lo que significa alta fiabilidad y larga vida útil en modos de funcionamiento intensivo. Los módulos están alojados en una carcasa estándar de la industria, lo que facilita su integración en el equipo existente.
Los módulos de diodo simples se utilizan en varios equipos de potencia: unidades de potencia y control, reguladores de potencia, reguladores de CA, control de motores de CC, arrancadores suaves de motores de CA, convertidores, controladores de hornos de cuba o procesos químicos, equipos de soldadura y como rectificadores para convertidores de CA.
Nuestros módulos se ofrecen en varias topologías de dispositivos simples y dobles para casi todas las aplicaciones de control de fase o rectificación.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los módulos de tiristores / diodos de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar módulos de tiristores / diodos, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos tiristores / diodos depende de la clase, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del módulo de diodos VS-VSKJ56/10 Vishay y recambio:
| Especificaciones del módulo de diodos | VS-VSKJ56/10 | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IFAV (Tcase) | 60 A (114ºC) |
| Tensión inversa pulsada repetitiva | VRRM | 1000 V |
| Corriente de choque | IFSM | 1300 A |
| Corriente RMS máxima en estado activado | IF(RMS) | 94 A |
| Factor de seguridad | I2t | 8.44 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT(TO) | 0.86 V |
| Pico de tensión en estado encendido | VFM | 1.6 V |
| Corriente de pico en estado activado | IFM | 188 A |
| Resistencia de la pendiente | rT | 3.43 mΩ |
| Temperatura de unión | Tvj max | 150 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.115 K/W |
| Diseño (interruptores) | - | dos componentes |
| Tipo (esquema) | - | diodo-diodo |
| Peso | W | 75 g |
| Paquete, Dimensiones, mm | L×B×H | ADD-A-PAK 92x23x30 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASMDKJ56/10 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para módulos de un solo diodo:
| AS | MD | K | J | 56 | / | 10 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| MD | – | Grupo de productos: Módulo de diodos. |
| K | – | Tipo de módulo. |
| J | – | Topología de circuitos: dos diodos de ánodo común (ánodo-ánodo). |
| 56 | – | Corriente continua media: IF(AV) redondeado, Amp. |
| 10 | – | Código de voltaje x 100 = VRRM. |
Dimensiones del módulo de diodos VS-VSKJ56/10 y del recambio ASMDKJ56/10:
ADD-A-PAK
Semiconductores de Alta Potencia de AS ENERGI
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Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
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AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
