Tiristor T86N 6...18 Número de pieza OLD Infineon Sustitución
| Número de pieza de Infineon OLD | T86N |
| Corriente media en estado activado, IT(AV)M (TC) | 86A (85ºC) |
| Tensión, VDRM/VRRM | 600-1800 V |
| Dimensiones | 210SW27M12 |
| Ficha de datos | |
| Sustitución AS ENERGITM | ATS86N |
| Añadir a la cesta | a petición |
Tiristor de control de fase ATS86N AS ENERGITM es un dispositivo semiconductor de reemplazo, análogo, alternativo y equivalente al tiristor SCR T86N 6...18 (Número de parte antiguo) de Infineon Technologies, Eupec.
Clasificación de tiristores de control de fase: T86N 600V, T86N 800V, T86N 1000V, T86N 1200V, T86N 1400V, T86N 1600V, T86N 1800V.
Corriente media en el estado de encendido ITAV – 86 amperios, voltaje de bloqueo repetitivo en avance y retroceso VDRM/VRRM – 600-1800 V. Los tiristores de control de fase están diseñados para convertir y controlar corrientes DC y AC. "Disipadores de calor enfriados por aire serie O para dispositivos de perno" también están disponibles para ordenar.
Se utilizan disipadores de calor de aire y agua para enfriar los tiristores. Para proporcionar un contacto térmico y eléctrico confiable con el disipador de calor, se debe observar un par de apriete Md durante el ensamblaje. Para una mejor disipación del calor del tiristor durante el ensamblaje, se utiliza pasta conductora de calor (esto es una recomendación y no un requisito previo para la instalación).
Características: Los tiristores se suministran en diseño de perno. La base del tiristor es el ánodo, el cable de alimentación flexible es el cátodo, el cable flexible que sale de la base del cable de alimentación es el cátodo auxiliar, y el cable flexible que sale del cuerpo es el electrodo de control (puerta). Estos tiristores son conocidos por su capacidad de ser utilizados en piezas móviles.
Los tiristores AS ENERGITM tienen las siguientes características: bajas pérdidas estáticas y dinámicas, altos valores de VDRM/VRRM, amplia experiencia en el uso de los dispositivos en diversas industrias, rango de voltajes de 100 a 9000 V y corrientes de 100 a 15000 A, alta resistencia a ciclos térmicos y eléctricos, enfriamiento por aire natural o forzado.
Las especificaciones y parámetros, el PDF de la hoja de datos, las dimensiones y los dibujos se detallan a continuación.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los tiristores de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos un pasaporte técnico y un certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores de espárrago de control de fase depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de Número de pieza OLD Control de fase Espárrago Tiristor Infineon y Sustitución:
| Especificaciones de los tiristores | T86N | |
| Corriente media de avance máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV)M (TC) | 86 A (85ºC) |
| Tensión de estado cerrado pulsada repetitiva; tensión inversa pulsada repetitiva | VDRM/VRRM | 600-1800 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMSM | 200 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 2 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 20 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT0 | 1.00 V |
| Resistencia en pendiente en estado | rT | 2.60 mΩ |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | (diT/dt)cr | 150 A/µs |
| Tiempo de desconexión, máx. | tq | 200 µs |
| Tasa crítica de aumento de la tensión de estado desactivado, min | (dVD/dt)cr | 1000 V/µs |
| Tensión directa de activación de puerta, máx. | VGT | 1.4 V |
| Corriente continua de activación de puerta, máx. | IGT | 150 mA |
| Temperatura de la unión p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(j-c) | 0.3000 ºC/W |
| Dimensiones | mm | 210SW27M12 |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ATS86N |
| Ficha de datos | ||
Guía de numeración de piezas para tiristores de control de fase:
| A | TS | 86 | N | 18 | E | O | F |
| A | – | |
| TS | – | Grupo de productos: Espárrago tiristor. |
| 86 | – | Corriente media en estado encendido IT(AV), Amp. |
| N | – | Dispositivo de control de fase. |
| 18 | – | Clase de tensión VRRM / 100. |
| E | – | Tipo de carcasa (paquete): carcasa de espárragos. |
| O | – | Tiempo de apagado tq: no garantizado. |
| F | – | dv/dt clase: С: 500 V/μs F: 1000 V/μs H: 2000 V/μs |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) de los tiristores de montantes de potencia:
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Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
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Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Recomendaciones de instalación para tiristores de montaje en espárrago de potencia:
La fiabilidad de la transferencia de calor y el contacto eléctrico entre las superficies de acoplamiento del tiristor y el disipador de calor a lo largo de todo el rango de temperatura se garantiza mediante un torque adecuado.
Antes del ensamblaje, debe realizar una inspección visual (1) de las superficies de contacto en busca de daños mecánicos y limpiar (2) con alcohol (tolueno, gasolina, acetona).
Para mejorar los parámetros de transferencia de calor, se recomienda lubricar (3) con una capa delgada de pasta térmica de silicona antes del ensamblaje, lo cual no es una condición obligatoria para la instalación.
Después del ensamblaje, los sujetadores (tuercas y arandelas) deben ser asegurados adicionalmente contra la corrosión.
Consejos y recomendaciones para los tiristores de potencia:
Los tiristores de potencia no deben operarse durante períodos prolongados a su carga límite para todos los parámetros. En este caso, el factor de seguridad se determina por el grado requerido de fiabilidad del dispositivo.
Reemplace un tiristor de potencia defectuoso por un tiristor que coincida con los parámetros del que se reemplaza.
Debe proporcionarse refrigeración cuando se opera en un entorno con temperatura ambiente elevada.
Se recomienda la limpieza periódica de los tiristores de potencia y disipadores de calor para eliminar el polvo y los contaminantes, asegurando una correcta disipación de calor.
Se deben utilizar divisores de corriente inductivos (a menudo cable toroidal trenzado) para igualar las corrientes entre los tiristores de potencia conectados en paralelo. Los métodos de conexión más populares son circuito cerrado, circuito de bobina común o tiristor de potencia. La eficiencia de los divisores de corriente en este caso se determina por la sección transversal del cable magnético.
La prevención de desbalance de voltaje cuando los tiristores de potencia están conectados en serie se logra utilizando resistores de derivación conectados en paralelo con cada tiristor. La igualación de voltaje en condiciones transitorias se proporciona mediante la conexión de capacitores en paralelo a cada tiristor.
Está estrictamente prohibido tocar los tiristores de potencia bajo alta tensión durante el funcionamiento.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
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Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
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Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
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AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:

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