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Pavlo GorkunMódulo IGBT FF100R12KS4 (100A 1200V) Recambio Infineon
| Número de pieza Infineon | FF100R12KS4 |
| Corriente nominal de colector, ICnom | 100А |
| Tensión colector-emisor, VCES | 1200V |
| Paquete Dimensiones L×B×H |
62 mm 106x61x30 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | AMFF100R12KS4 |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Módulo IGBT AMFF100R12KS4 AS ENERGITM es un reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para el módulo IGBT FF100R12KS4 Infineon. Corriente continua del colector IC – 100 amperios, voltaje colector-emisor VCES – 1200V.
Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar, lo que facilita su integración en equipos existentes.
Los módulos IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) se utilizan como elementos de conmutación para los convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, inversores de corriente alterna, SAI, soldadores electrónicos, frenos regenerativos, fuentes de alimentación ininterrumpida y otros. Las topologías disponibles incluyen puente medio, interruptor único, seispack, 3 niveles y muchas más, cubriendo cada campo de aplicación.
El módulo de potencia IGBT se está convirtiendo en el dispositivo preferido para aplicaciones de alta potencia debido a su capacidad para mejorar el rendimiento en conmutación, temperatura, peso y costo.
Las especificaciones técnicas del módulo IGBT FF100R12KS4 y AMFF100R12KS4, hoja de datos en PDF, topología de la conexión interna, dibujo de contorno y dimensiones se detallan a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los módulos IGBT de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar módulos IGBT, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos IGBT depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del módulo IGBT FF100R12KS4 Infineon y recambio AMFF100R12KS4:
| Especificaciones del módulo IGBT | FF100R12KS4 | |
| IGBT | ||
| Corriente continua de colector | IC | 100 A |
| Tensión colector-emisor | VCES | 1200 V |
| Carga inductiva | RG | 9.1 Ω |
| Resistencia de puerta interna | RGint | 2.5 Ω |
| Disipación de energía durante el encendido | Eon | 9.50 mJ |
| Disipación de energía durante la desconexión | Eoff | 7.7 mJ |
| Diodo | ||
| Corriente continua de CC | IF | 100 A |
| Tensión directa(Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.4 V |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | RthJC | 0.3 K/W |
| Resistencia térmica, carcasa a disipador | RthCH | 0.06 K/W |
| Resistencia térmica, unión a disipador térmico | RthJH | - |
| Temperatura en condiciones de conmutación | Tvj | 125 °C |
| Módulo | ||
| Topología del circuito | - | |
| Peso | W | 340 g |
| Plano, embalaje, dimensiones, mm | L×B×H | 62 mm 106x61x30 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | AMFF100R12KS4 |
| Ficha de datos | |
|
Guía de numeración de piezas para el módulo IGBT AMFF100R12KS4:
| A | M | FF | 100 | R | 12 | KS4 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Tipo de semiconductor: Módulo IGBT. |
| FF | – | Topología de módulos. |
| 100 | – | Corriente nominal, amperios. |
| R | – | Funcionalidad. |
| 12 | – | Clase de tensión colector-emisor VCES / 100. |
| KS4 | – | Variación de la construcción. |
Dimensiones del módulo IGBT FF100R12KS4 y del recambio AMFF100R12KS4:
62 mm
Diagrama de circuito del módulo IGBT FF100R12KS4 y recambio AMFF100R12KS4:
Topología
Semiconductores de alta potencia de AS ENERGI
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Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
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AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
