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Pavlo GorkunMódulo IGBT FF225R65T3E3 (225A 6500V) Recambio Infineon
| Número de pieza Infineon | FF225R65T3E3 |
| Corriente nominal de colector, ICnom | 225А |
| Tensión colector-emisor, VCES | 6500V |
| Paquete Dimensiones L×B×H |
XHP™ 3 144x100x36 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | AMFF225R65T3E3 |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Módulo IGBT AMFF225R65T3E3 AS ENERGITM es un reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para el módulo IGBT FF225R65T3E3 Infineon. Corriente continua del colector IC – 225 amperios, voltaje colector-emisor VCES – 6500V.
Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar, lo que facilita su integración en equipos existentes.
Los módulos IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) se utilizan como elementos de conmutación para los convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, inversores de corriente alterna, SAI, soldadores electrónicos, frenos regenerativos, fuentes de alimentación ininterrumpida y otros. Las topologías disponibles incluyen puente medio, interruptor único, seispack, 3 niveles y muchas más, cubriendo cada campo de aplicación.
El módulo de potencia IGBT se está convirtiendo en el dispositivo preferido para aplicaciones de alta potencia debido a su capacidad para mejorar el rendimiento en conmutación, temperatura, peso y costo.
Las especificaciones técnicas del módulo IGBT FF225R65T3E3 y AMFF225R65T3E3, hoja de datos en PDF, topología de la conexión interna, dibujo de contorno y dimensiones se detallan a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los módulos IGBT de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar módulos IGBT, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos IGBT depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del módulo IGBT FF225R65T3E3 Infineon y recambio AMFF225R65T3E3:
| Especificaciones del módulo IGBT | FF225R65T3E3 | |
| IGBT | ||
| Corriente continua de colector | IC | 225 A |
| Tensión colector-emisor | VCES | 6500 V |
| Carga inductiva | RG | 4.7 Ω |
| Resistencia de puerta interna | RGint | 0.67 Ω |
| Disipación de energía durante el encendido | Eon | 1710 mJ |
| Disipación de energía durante la desconexión | Eoff | 1170 mJ |
| Diodo | ||
| Corriente continua de CC | IF | 225 A |
| Tensión directa(Tj = 25ºC typ.) | VF | 3.25 V |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | RthJC | 51.3 K/W |
| Resistencia térmica, carcasa a disipador | RthCH | 24.2 K/W |
| Resistencia térmica, unión a disipador térmico | RthJH | - |
| Temperatura en condiciones de conmutación | Tvj | 125 °C |
| Módulo | ||
| Topología del circuito | - | |
| Peso | W | 700 g |
| Plano, embalaje, dimensiones, mm | L×B×H | XHP™ 3 144x100x36 mm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | AMFF225R65T3E3 |
| Ficha de datos | |
|
Guía de numeración de piezas para el módulo IGBT AMFF225R65T3E3:
| A | M | FF | 225 | R | 65 | T3E3 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Tipo de semiconductor: Módulo IGBT. |
| FF | – | Topología de módulos. |
| 225 | – | Corriente nominal, amperios. |
| R | – | Funcionalidad. |
| 65 | – | Clase de tensión colector-emisor VCES / 100. |
| T3E3 | – | Variación de la construcción. |
Dimensiones del módulo IGBT FF225R65T3E3 y del recambio AMFF225R65T3E3:
XHP™ 3
Diagrama de circuito del módulo IGBT FF225R65T3E3 y recambio AMFF225R65T3E3:
Topología
Semiconductores de alta potencia de AS ENERGI
La empresa fabrica una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores, diodos, módulos).
Puede comprarnos módulos tiristores en cualquier volumen, y al pedir grandes lotes, el precio será más bajo.
Nos hemos ganado la confianza de los clientes y suministramos productos a todo el mundo.
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Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
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Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
