Módulo IGBT FF1200R17IP5P (1200A 1700V) Recambio Infineon

Número de pieza Infineon FF1200R17IP5P
Corriente nominal de colector, ICnom 1200А
Tensión colector-emisor, VCES 1700V
Paquete
Dimensiones L×B×H
PrimePACK™ 2
172x89x36.5 mm
Ficha de datos Ficha de datos FF1200R17IP5P
Sustitución AS ENERGITM AMFF1200R17IP5P
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Módulo IGBT AMFF1200R17IP5P AS ENERGITM es un reemplazo, análogo, alternativo y equivalente para el módulo IGBT FF1200R17IP5P Infineon. Corriente continua del colector IC1200 amperios, voltaje colector-emisor VCES1700V.

Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar, lo que facilita su integración en equipos existentes.

Los módulos IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) se utilizan como elementos de conmutación para los convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, inversores de corriente alterna, SAI, soldadores electrónicos, frenos regenerativos, fuentes de alimentación ininterrumpida y otros. Las topologías disponibles incluyen puente medio, interruptor único, seispack, 3 niveles y muchas más, cubriendo cada campo de aplicación.

El módulo de potencia IGBT se está convirtiendo en el dispositivo preferido para aplicaciones de alta potencia debido a su capacidad para mejorar el rendimiento en conmutación, temperatura, peso y costo.

Las especificaciones técnicas del módulo IGBT FF1200R17IP5P y AMFF1200R17IP5P, hoja de datos en PDF, topología de la conexión interna, dibujo de contorno y dimensiones se detallan a continuación.

Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los módulos IGBT de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar módulos IGBT, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.

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El precio final de los módulos IGBT depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.

Especificaciones generales del módulo IGBT FF1200R17IP5P Infineon y recambio AMFF1200R17IP5P:

Especificaciones del módulo IGBT FF1200R17IP5P
IGBT
Corriente continua de colector IC 1200 A
Tensión colector-emisor VCES 1700 V
Carga inductiva RG 1 Ω
Resistencia de puerta interna RGint 12 Ω
Disipación de energía durante el encendido Eon 485 mJ
Disipación de energía durante la desconexión Eoff 470 mJ
Diodo
Corriente continua de CC IF 1200 A
Tensión directa(Tj = 25ºC typ.) VF 2.15 V
Resistencia térmica, unión a la carcasa RthJC -
Resistencia térmica, carcasa a disipador RthCH -
Resistencia térmica, unión a disipador térmico RthJH 64.8 K/W
Temperatura en condiciones de conmutación Tvj 175 °C
Módulo
Topología del circuito - FF1200R17IP5P circuit
Peso W 825 g
Plano, embalaje, dimensiones, mm L×B×H PrimePACK™ 2
172x89x36.5 mm
Sustitución AS ENERGITM tipo AMFF1200R17IP5P
Ficha de datos PDF Ficha de datos FF1200R17IP5P

Guía de numeración de piezas para el módulo IGBT AMFF1200R17IP5P:

A M FF 1200 R 17 IP5P
A brand AS ENERGITM
M Tipo de semiconductor: Módulo IGBT.
FF Topología de módulos.
1200 Corriente nominal, amperios.
R Funcionalidad.
17 Clase de tensión colector-emisor VCES / 100.
IP5P Variación de la construcción.

Dimensiones del módulo IGBT FF1200R17IP5P y del recambio AMFF1200R17IP5P:

FF1200R17IP5P dimensiones

PrimePACK™ 2


Diagrama de circuito del módulo IGBT FF1200R17IP5P y recambio AMFF1200R17IP5P:

FF1200R17IP5P Topology

Topología


Semiconductores de alta potencia de AS ENERGI

La empresa fabrica una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores, diodos, módulos).
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Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
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Certificados

Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.

Informe de la prueba

Geografía de la asociación

AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.

Geografía

Logística y entrega

Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
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Logistics

AS ENERGITM Fabricación de semiconductores

Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.

Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.


Productos destacados:

 

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