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Pavlo GorkunMDD56-12N1B Módulo de Doble diodo (71A 1200V) IXYS Sustitución
| Número de pieza IXYS | MDD56-12N1B |
| Corriente de avance media, IF(AV) (TC) | 71A (100ºC) |
| Tensión, VRRM | 1200V |
| Paquete Dimensiones L×B×H |
TO-240-AA 92x20x30 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ASMDD56-12-N1B |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Módulo de Diodo doble ASMDD56-12-N1B es un reemplazo, alternativo, análogo y equivalente para el módulo de diodo MDD56-12N1B IXYS, también conocido como Littelfuse o Westcode.
Corriente promedio directa IFAV – 71 amperios, voltaje pico inverso repetitivo VRRM – 1200V. El módulo diodo-diodo de dos posiciones MDD56-12N1B tener una medio puente circuito de conmutación (ánodo-cátodo común).
Los módulos de diodo se caracterizan por una alta capacidad de ciclo eléctrico y térmico, lo que significa alta fiabilidad y larga vida útil en modos de operación intensiva, baja fuga de corriente y caída de voltaje directo. Los módulos de diodo están alojados en una carcasa estándar de la industria, lo que facilita la integración del dispositivo en equipos existentes.
Los módulos de diodo dual se utilizan en diversos equipos de potencia: unidades de potencia y control, para configuraciones de puente monofásico y trifásico, reguladores de potencia, reguladores de CA, controladores de motores de CC, arrancadores suaves de motores de CA, convertidores, controladores de altos hornos o procesos químicos, equipos de soldadura y como rectificadores para convertidores de CA.
Nuestros módulos se ofrecen en varias topologías de dispositivos duales y simples para casi todas las aplicaciones de control de fase o rectificadores.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los módulos de diodo doble de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar módulos de diodo doble, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos de doble diodo depende de la clase, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del Módulo de doble Diodo MDD56-12N1B IXYS y Reemplazo:
| Especificaciones del módulo de diodos | MDD56-12N1B | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IFAV (Tcase) | 71 A (100ºC) |
| Tensión inversa pulsada repetitiva | VRRM | 1200 V |
| Corriente de choque | IFSM | 1400 A |
| Corriente RMS máxima en estado activado | IF(RMS) | 150 A |
| Factor de seguridad | I2t | 9.80 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT(TO) | 0.80 V |
| Corriente RMS | IRMS | 200 A |
| Resistencia de la pendiente | rT | 3.00 mΩ |
| Temperatura de unión | Tvj max | 150 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(JC) | 0.51 K/W |
| Resistencia térmica entre la carcasa y el disipador | Rth(CH) | 0.20 K/W |
| Diseño (interruptores) | - | doble componente |
| Tipo (esquema) | - | diodo-diodo |
| Peso | W | 76 g |
| Paquete Dimensiones, mm |
L×B×H | TO-240-AA 92x20x30 mm |
| Par de montaje | MD | 2.5-4 Nm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASMDD56-12-N1B |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para el módulo de Doble diodo ASMDD56-12-N1B:
| AS | M | DD | 56 | – | 12 | – | N1B |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Grupo de productos: Módulo semiconductor discreto. |
| DD | – | Topología del circuito: dos diodos de medio puente (ánodo-cátodo). |
| 56 | – | Corriente media IFAV, A. |
| 12 | – | Código de voltaje x 100 = VRRM. |
| N1B | – | Número de pieza de la versión. |
Dimensiones del módulo de doble diodo MDD56-12N1B y del recambio ASMDD56-12-N1B:
TO-240-AA
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