DE
IT
Pavlo GorkunMDK950-22N1W Módulo de Doble diodo (668A 2200V) IXYS Sustitución
| Número de pieza IXYS | MDK950-22N1W |
| Corriente de avance media, IF(AV) (TC) | 668A (85ºC) |
| Tensión, VRRM | 2200V |
| Paquete Dimensiones L×B×H |
W64 150x60x62 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | ASMDK950-22-N1W |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Módulo de Diodo doble ASMDK950-22-N1W es un reemplazo, alternativo, análogo y equivalente para el módulo de diodo MDK950-22N1W IXYS, también conocido como Littelfuse o Westcode.
Corriente promedio directa IFAV – 668 amperios, voltaje pico inverso repetitivo VRRM – 2200V. El módulo diodo-diodo de dos posiciones MDK950-22N1W tener una comuna catódica circuito de conmutación (cátodo común-cátodo).
Los módulos de diodo se caracterizan por una alta capacidad de ciclo eléctrico y térmico, lo que significa alta fiabilidad y larga vida útil en modos de operación intensiva, baja fuga de corriente y caída de voltaje directo. Los módulos de diodo están alojados en una carcasa estándar de la industria, lo que facilita la integración del dispositivo en equipos existentes.
Los módulos de diodo dual se utilizan en diversos equipos de potencia: unidades de potencia y control, para configuraciones de puente monofásico y trifásico, reguladores de potencia, reguladores de CA, controladores de motores de CC, arrancadores suaves de motores de CA, convertidores, controladores de altos hornos o procesos químicos, equipos de soldadura y como rectificadores para convertidores de CA.
Nuestros módulos se ofrecen en varias topologías de dispositivos duales y simples para casi todas las aplicaciones de control de fase o rectificadores.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los módulos de diodo doble de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar módulos de diodo doble, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos de doble diodo depende de la clase, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del Módulo de doble Diodo MDK950-22N1W IXYS y Reemplazo:
| Especificaciones del módulo de diodos | MDK950-22N1W | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IFAV (Tcase) | 668 A (85ºC) |
| Tensión inversa pulsada repetitiva | VRRM | 2200 V |
| Corriente de choque | IFSM | 21800 A |
| Corriente RMS máxima en estado activado | IF(RMS) | 1173 A |
| Factor de seguridad | I2t | 2380 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT(TO) | 0.75 V |
| Corriente RMS | IRMS | - |
| Resistencia de la pendiente | rT | 0.2 mΩ |
| Temperatura de unión | Tvj max | 150 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(JC) | 0.09 K/W |
| Resistencia térmica entre la carcasa y el disipador | Rth(CH) | - |
| Diseño (interruptores) | - | doble componente |
| Tipo (esquema) | - | diodo-diodo |
| Peso | W | 1200 g |
| Paquete Dimensiones, mm |
L×B×H | W64 150x60x62 mm |
| Par de montaje | MD | 4.25-5.75 Nm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | ASMDK950-22-N1W |
| Ficha de datos | |
|
Guía de numeración de piezas para el módulo de Doble diodo ASMDK950-22-N1W:
| AS | M | DK | 950 | – | 22 | – | N1W | W |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Grupo de productos: Módulo semiconductor discreto. |
| DK | – | Topología del circuito: dos diodos de cátodo común (cátodo-cátodo). |
| 950 | – | Corriente media IFAV, A. |
| 22 | – | Código de voltaje x 100 = VRRM. |
| N1W | – | Número de pieza de la versión. |
| W | – | Refrigeración por agua.. |
Dimensiones del módulo de doble diodo MDK950-22N1W y del recambio ASMDK950-22-N1W:
W64
Semiconductores de Alta Potencia por AS ENERGI
La empresa fabrica una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores, diodos, módulos).
Puede comprar módulos de tiristor con nosotros en cualquier cantidad, y al realizar pedidos de grandes lotes, el precio será más bajo.
Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos a todo el mundo.
Para consultas sobre la adquisición de Módulos de Potencia, Diodos, Tiristores, envíe una solicitud por correo electrónico a:
Y le proporcionaremos una oferta comercial para la entrega.
¡Para una gran cantidad, proporcionaremos un precio individual!!!
Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
- Instalaciones de producción propias, incluida la producción de chips de silicio semiconductores
- Marca europea - calidad 100%, precio favorable, plazos de producción cortos
- Más de 20 años de experiencia en la industria de semiconductores
- Clientes de más de 50 países confían en nosotros
- 20000 artículos en la línea de productos para corrientes de 10A a 15000A, tensiones de 100V a 9000V
- Producimos análogos de productos de otros fabricantes
- Calidad certificada garantizada, periodo de garantía de funcionamiento - 2 años
Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
