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Pavlo GorkunMDNA65P2200TG Módulo de Doble diodo (65A 2200V) IXYS Sustitución
| Número de pieza IXYS | MDNA65P2200TG |
| Corriente de avance media, IF(AV) (TC) | 65A (100ºC) |
| Tensión, VRRM | 2200V |
| Paquete Dimensiones L×B×H |
TO-240-AA 92x20x30 mm |
| Ficha de datos |  |
| Sustitución AS ENERGITM | AMDNA65P-2200-TG |
| Añadir a la cesta | a petición
|
Módulo de Diodo doble AMDNA65P-2200-TG es un reemplazo, alternativo, análogo y equivalente para el módulo de diodo MDNA65P2200TG IXYS, también conocido como Littelfuse o Westcode.
Corriente promedio directa IFAV – 65 amperios, voltaje pico inverso repetitivo VRRM – 2200V. El módulo diodo-diodo de dos posiciones MDNA65P2200TG tener una medio puente circuito de conmutación (ánodo-cátodo común).
Los módulos de diodo se caracterizan por una alta capacidad de ciclo eléctrico y térmico, lo que significa alta fiabilidad y larga vida útil en modos de operación intensiva, baja fuga de corriente y caída de voltaje directo. Los módulos de diodo están alojados en una carcasa estándar de la industria, lo que facilita la integración del dispositivo en equipos existentes.
Los módulos de diodo dual se utilizan en diversos equipos de potencia: unidades de potencia y control, para configuraciones de puente monofásico y trifásico, reguladores de potencia, reguladores de CA, controladores de motores de CC, arrancadores suaves de motores de CA, convertidores, controladores de altos hornos o procesos químicos, equipos de soldadura y como rectificadores para convertidores de CA.
Nuestros módulos se ofrecen en varias topologías de dispositivos duales y simples para casi todas las aplicaciones de control de fase o rectificadores.
Nuestra empresa proporciona una garantía de calidad para los módulos de diodo doble de 2 años a partir de la fecha de compra. Al suministrar módulos de diodo doble, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
El precio final de los módulos de doble diodo depende de la clase, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales del Módulo de doble Diodo MDNA65P2200TG IXYS y Reemplazo:
| Especificaciones del módulo de diodos | MDNA65P2200TG | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IFAV (Tcase) | 65 A (100ºC) |
| Tensión inversa pulsada repetitiva | VRRM | 2200 V |
| Corriente de choque | IFSM | 1100 A |
| Corriente RMS máxima en estado activado | IF(RMS) | - |
| Factor de seguridad | I2t | 6.05 kA2·s |
| Tensión de umbral | VT(TO) | 0.81 V |
| Corriente RMS | IRMS | 200 A |
| Resistencia de la pendiente | rT | 4.3 mΩ |
| Temperatura de unión | Tvj max | 150 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa | Rth(JC) | 0.50 K/W |
| Resistencia térmica entre la carcasa y el disipador | Rth(CH) | 0.20 K/W |
| Diseño (interruptores) | - | doble componente |
| Tipo (esquema) | - | diodo-diodo |
| Peso | W | 76 g |
| Paquete Dimensiones, mm |
L×B×H | TO-240-AA 92x20x30 mm |
| Par de montaje | MD | 2.5-4 Nm |
| Sustitución AS ENERGITM | tipo | AMDNA65P-2200-TG |
| Ficha de datos | |
|
Guía de numeración de piezas para el módulo de Doble diodo AMDNA65P-2200-TG:
| A | M | D | N | A | 65 | P | – | 2200 | – | TG |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Grupo de productos: Módulo semiconductor discreto. |
| D | – | Diode. |
| N | – | Rectificador estándar de alto voltaje. |
| A | – | Tensión nominal >= 2000 V. |
| 65 | – | Corriente media IFAV, A. |
| P | – | Etapa de fase. |
| 2200 | – | Tensión inversa. |
| TG | – | Tipo de embalaje. |
Dimensiones del módulo de doble diodo MDNA65P2200TG y del recambio AMDNA65P-2200-TG:
TO-240-AA
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