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IT
Pavlo GorkunTiristor de control de fase 1000A, tipo T263-1000 (4600V - 5200V)
| Corriente de avance media, ITAV | 1000A |
| Tensión, VDRM/VRRM | 4600-5200V |
| Código de tensión, VRRM / 100 | 46 - 52 |
| T263-1000 | a petición
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| Paquete Dimensiones ØD×Ød×H |
PT63-1 100x63x26 mm |
| Peso | 1000 g |
| Ficha de datos |  |
Tiristor de control de fase T263-1000 AS ENERGITM es un tiristor de disco de uso general, también conocido como Rectificador Controlado por Silicio (SCR). Este es un tiristor de potencia diseñado para convertir y controlar corrientes de CC y CA hasta 1000A con frecuencias de hasta 500Hz en circuitos con voltajes de hasta 4600V - 5200V (clase de voltaje de 4600 a 5200). Las dimensiones del tiristor ØDxØdxH – 100x63x26 mm (diámetro del caso exterior X diámetro de la superficie de contacto X altura del caso), peso – 1000 g.
Calificaciones del tiristor: T263-1000-46 (1000A 4600V), T263-1000-48 (1000A 4800V), T263-1000-50 (1000A 5000V), T263-1000-52 (1000A 5200V).
El ánodo y el cátodo del tiristor (polaridad) se determinan por el símbolo en el caso. Los tiristores están en una carcasa de disco tipo press pack (cápsula, pastilla). Este tiristor SCR puede ser un producto alternativo, reemplazo, análogo o equivalente para otros tipos de tiristores de 850A, 900A, 950A, 990A, 1000 amp en una carcasa de disco.
Para la refrigeración durante el funcionamiento de los tiristores de potencia, se montan con disipadores de calor. Dependiendo de la cantidad de calor generado y las condiciones de trabajo de los semiconductores, se puede utilizar refrigeración por flujo de aire natural o forzada.
Al ensamblar, se debe proporcionar la fuerza de sujeción Fm necesaria, específica para cada tipo de carcasa del tiristor (indicado en la tabla de parámetros).
Los tiristores SCR de tipo disco se utilizan en equipos de potencia: unidades de potencia y control, reguladores de potencia, convertidores (por ejemplo, hornos de fusión), controladores donde se necesita conmutación rápida y control de corrientes.
Las especificaciones y parámetros, hojas de datos en PDF, pasaporte técnico de muestra, dimensiones, dibujos de contorno, diagramas de la carcasa de los tiristores y los disipadores recomendados se enumeran a continuación.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los tiristores SCR de potencia de 2 años desde la fecha de compra. Al suministrar tiristores, si es necesario, proporcionamos el pasaporte técnico y el certificado de conformidad.
El precio final de los tiristores de disco de control de fase depende de la clase de tensión, la cantidad, las condiciones de entrega, el fabricante, el país de origen y la forma de pago.
Especificaciones generales de los tiristores de control de fase T263-1000:
| Especificaciones del tiristor | T263-1000 | |
| Corriente de avance media máxima admisible (temperatura de la carcasa) | IT(AV) (Tcase) | 1632 A (85°C) 1000 A (104°C) |
| Pico repetitivo de tensión fuera de estado; Pico repetitivo de tensión inversa | VDRM/VRRM | 4600-5200 V |
| Corriente RMS en estado activado | ITRMS | 1570 A |
| Sobrecorriente de estado activado | ITSM | 21 kA |
| Factor de seguridad | I2t | 2000 kA2·s |
| Pico de tensión en estado encendido, máx. | VTM | 2.80 V |
| Corriente de pico en estado activado | ITM | 5000 A |
| Tensión umbral en estado activado, máx | VT(TO) | 1.05 V |
| Resistencia en pendiente, máx | rT | 0.35 mΩ |
| Tiempo de desconexión, máx | tq | 800 µs |
| Pico repetitivo en estado desactivado y pico repetitivo en corriente inversa, máx | IDRM/IRRM | 200 mA |
| Tasa crítica de aumento de la tensión de estado desactivado, min | (dVD/dt)cr | 500-1000 V/µs |
| Tensión directa de activación de puerta, máx | VGT | 3.0 V |
| Corriente continua de activación de puerta, máx | IGT | 300 mA |
| Velocidad crítica de aumento de la corriente de estado activado | (diT/dt)cr | 200 A/µs |
| Temperatura de la unión p-n, máx | Tvj max | 125 ºC |
| Resistencia térmica, unión a la carcasa, máx | Rth(j-c) | 0.01 ºC/W |
| Fuerza de sujeción | Fm ±10% | 40 kN |
| Peso, aprox. | W | 1000 g (PT63-1) undefined g (T.E3) g |
| Tipo de envase, Dimensiones | ØDxØdxH | PT63-1, 100x63x26 mm |
| Disipadores recomendados | Disipadores térmicos | O163 |
| Ficha de datos | |
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Guía de numeración de piezas para tiristores SCR T263-1000:
| T | 263 | – | 1000 | – | 52 | – | 4 | 2 |
| T | – | Tiristor,  AS ENERGITM |
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| 263 | – | Tipo tiristor (tipo disco). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1000 | – | Corriente media en estado abierto IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 52 | – | Clase de tensión VRRM / 100 (Tensión nominal - 5200 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4 | – | Parámetro de la velocidad crítica de aumento de la tensión fuera de estado (dVD/dt)cr:
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| 2 | – | Parámetro del tiempo de desconexión tq:
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Todos los números de pieza de T263-1000:
| Serie | ITAV, A | VRRM, V |
| T263-1000-46 | 1000A | 4600V |
| T263-1000-48 | 1000A | 4800V |
| T263-1000-50 | 1000A | 5000V |
| T263-1000-52 | 1000A | 5200V |
Polaridad (ánodo, cátodo, puerta) y dimensiones del tiristor de disco T263-1000:
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Pasaporte técnico para tiristores de control de fase (muestra):
Cuando suministramos tiristores, si es necesario, proporcionamos pasaporte técnico y certificado de conformidad.
Semiconductores de Alta Potencia AS ENERGITM
Nuestra empresa se dedica a la fabricación y venta de una amplia gama de semiconductores de potencia (tiristores de potencia, módulos, diodos rectificadores, diodos de rotor y de soldadura, triacs, etc.) con corrientes de hasta 15000A y voltajes de hasta 9000V, además de disipadores de calor por aire y agua para ellos. Puede comprar semiconductores en cualquier volumen, y al realizar pedidos de grandes lotes, el precio será menor.
Hemos ganado la confianza de nuestros clientes y suministramos productos en todo el mundo.
Para preguntas sobre la adquisición de tiristores, diodos y módulos de potencia, envíe una solicitud por correo electrónico a:
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Estamos abiertos a fabricar productos en nuestras instalaciones de producción
de acuerdo con sus peticiones y tarea técnica.
Galería de fotos
La galería de fotos muestra una variedad de dispositivos semiconductores, chips semiconductores y SCRs producidos por AS ENERGITM, así como ejemplos de informes de prueba.
Disipadores de calor para tiristores de disco de potencia:
Los disipadores de calor (radiadores) se utilizan para la refrigeración de una o dos caras de dispositivos semiconductores de potencia en diseño de disco.
Los disipadores de calor están hechos de perfiles de radiador de aluminio y no requieren recubrimiento protector adicional cuando se utilizan en diversas condiciones climáticas.
Consulte más información sobre los disipadores de calor: "Disipadores de calor por aire serie O para dispositivos de disco", "Disipador de calor por aire serie SF", "Disipador de calor por agua serie SS".
Foto del SCR tiristor de control de fase:
¿Por qué elegir AS ENERGITM?
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Garantía de calidad
Nuestros productos están certificados y cumplen con los estándares internacionales.
Nuestra empresa ofrece una garantía de calidad para los productos de 2 años.
Proporcionamos certificados de conformidad, informes de fiabilidad, hojas de datos y pasaportes técnicos a solicitud del cliente.
Cada producto se somete a pruebas de los parámetros principales, y se proporcionan informes de prueba con los parámetros de cada producto.
Geografía de la asociación
AS ENERGITM fabrica y suministra semiconductores de potencia a más de 50 países de todo el mundo.
Logística y entrega
Entregamos nuestros productos en todo el mundo con los servicios de empresas de logística: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Los productos pueden entregarse por cualquier medio de transporte: aéreo, marítimo, ferroviario y por carretera.
AS ENERGITM Fabricación de semiconductores
Nuestro catálogo de productos incluye diodos rectificadores, tiristores de control de fase en diseño de disco y perno, diodos y tiristores de avalancha, tiristores de conmutación rápida, de alta frecuencia, de recuperación rápida, diodos de soldadura y de rotor, triacs, puentes rectificadores, módulos de potencia (tiristores, diodos, tiristores-diodos, IGBT) y disipadores de calor por aire y agua para ellos.
Los diodos y tiristores de potencia se fabrican para corrientes desde 10A hasta 15000A y un rango de voltaje de 100V a 9000V.
Los módulos de diodos y tiristores de potencia se producen en un rango de corriente de 25A hasta 1250A y voltaje de 400V a 4400V.
El catálogo de semiconductores de potencia también incluye dispositivos equivalentes, de reemplazo, análogos y alternativos de fabricantes globales.
Productos destacados:
